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    • 3. 发明专利
    • 用於對光檢測器作單一光子讀出動作之超低雜訊高帶寬介面電路
    • 用于对光检测器作单一光子读出动作之超低噪声高带宽界面电路
    • TW382182B
    • 2000-02-11
    • TW087113285
    • 1998-10-31
    • 洛克威爾科技中心公司
    • 雷斯特J.考茲羅斯基威廉A.克萊恩漢斯
    • H04NH03F
    • H03F3/082H01L27/14634
    • 本案提出用於以視訊訊框率對從x射線至長IR帶的已知光檢測器作單一光子讀出的一種超低雜訊高增益介面電路;檢測器電流調變一負載FET之閘極至源極電壓,其再調變一增益FET之閘極至源極電壓,而產生為該檢測器電流之一經放大複本的一信號電流;負載FET之閘極至源極電壓被連接在一低雜訊高增益放大器之負回授迴路中;此有效地依該放大器之增益使光檢測器所見的電阻減小,因而使介面電路之RC時間常數減小相同量;因為放大器針對一給定通量位準插連負載FET之閘極電壓,故負載FET之l/f雜訊被傳送至放大器,因而致能單一光子讀出敏感度。
    • 本案提出用于以视频讯框率对从x射线至长IR带的已知光检测器作单一光子读出的一种超低噪声高增益界面电路;检测器电流调制一负载FET之闸极至源极电压,其再调制一增益FET之闸极至源极电压,而产生为该检测器电流之一经放大复本的一信号电流;负载FET之闸极至源极电压被连接在一低噪声高增益放大器之负回授回路中;此有效地依该放大器之增益使光检测器所见的电阻减小,因而使界面电路之RC时间常数减小相同量;因为放大器针对一给定通量位准插连负载FET之闸极电压,故负载FET之l/f噪声被发送至放大器,因而致能单一光子读出敏感度。