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1. 发明公开

CN102292465A Pt-Al-Hf/Zr涂层及方法有权
公开(公告)号：CN102292465A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005405.4
申请日：2010-05-18
申请人：豪梅特公司
发明人： K·S·莫菲
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： F01D5/288 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C16/00 , C22C21/00 , C22C27/00 , C23C10/52 , C23C16/12 , C23C16/14 , Y10T428/12 , Y10T428/12736
摘要：提供了Pt-Al-Hf/Zr铝化物涂层，该涂层可用作TBC的粘接涂层并改善在高温下使用的TBC剥落寿命。该铝化物涂层可包括亚稳三元或更高元X-Pt/Pd-Ni相，其中该相和合金系统中的其它元素存在于涂层的NiAlβ相中。该亚稳相在粘接涂层的沉积态条件下可存在并可观察到；例如在粘接涂层的CVD沉积态条件下。

2. 发明公开

CN103921492A Pt-Al-Hf/Zr涂层及方法有权
公开(公告)号：CN103921492A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410143291.X
申请日：2010-05-18
申请人：豪梅特公司
发明人： K·S·莫菲
IPC分类号： B32B15/01 , C23C16/12 , C23C16/14 , C22C16/00
CPC分类号： F01D5/288 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C16/00 , C22C21/00 , C22C27/00 , C23C10/52 , C23C16/12 , C23C16/14 , Y10T428/12 , Y10T428/12736
摘要：本发明涉及Pt-Al-Hf/Zr涂层及方法。本发明提供了Pt-Al-Hf/Zr铝化物涂层，该涂层可用作TBC的粘接涂层并改善在高温下使用的TBC剥落寿命。该铝化物涂层可包括亚稳三元或更高元X-Pt/Pd-Ni相，其中该相和合金系统中的其它元素存在于涂层的NiAlβ相中。该亚稳相在粘接涂层的沉积态条件下可存在并可观察到；例如在粘接涂层的CVD沉积态条件下。

3. 发明授权

CN103921492B Pt‑Al‑Hf/Zr涂层及方法有权
公开(公告)号：CN103921492B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410143291.X
申请日：2010-05-18
申请人：豪梅特公司
发明人： K·S·莫菲
IPC分类号： B32B15/01 , C23C16/12 , C23C16/14 , C22C16/00
CPC分类号： F01D5/288 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C16/00 , C22C21/00 , C22C27/00 , C23C10/52 , C23C16/12 , C23C16/14 , Y10T428/12 , Y10T428/12736
摘要：本发明涉及Pt‑Al‑Hf/Zr涂层及方法。本发明提供了Pt‑Al‑Hf/Zr铝化物涂层，该涂层可用作TBC的粘接涂层并改善在高温下使用的TBC剥落寿命。该铝化物涂层可包括亚稳三元或更高元X‑Pt/Pd‑Ni相，其中该相和合金系统中的其它元素存在于涂层的NiAlβ相中。该亚稳相在粘接涂层的沉积态条件下可存在并可观察到；例如在粘接涂层的CVD沉积态条件下。

4. 发明授权

CN102292465B Pt-Al-Hf/Zr涂层及方法有权
公开(公告)号：CN102292465B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080005405.4
申请日：2010-05-18
申请人：豪梅特公司
发明人： K·S·莫菲
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： F01D5/288 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C16/00 , C22C21/00 , C22C27/00 , C23C10/52 , C23C16/12 , C23C16/14 , Y10T428/12 , Y10T428/12736
摘要：提供了Pt-Al-Hf/Zr铝化物涂层，该涂层可用作TBC的粘接涂层并改善在高温下使用的TBC剥落寿命。该铝化物涂层可包括亚稳三元或更高元X-Pt/Pd-Ni相，其中该相和合金系统中的其它元素存在于涂层的NiAlβ相中。该亚稳相在粘接涂层的沉积态条件下可存在并可观察到；例如在粘接涂层的CVD沉积态条件下。

5. 发明专利

TW200600599A 製造濺鍍靶的方法 METHOD OF MAKING SPUTTERING TARGET 审中-公开
简体标题：制造溅镀靶的方法 METHOD OF MAKING SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TW200600599A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094106042
申请日：2005-03-01
申请人：豪梅特公司 HOWMET CORPORATION
发明人：葛列格A 巴特瑟 BUTZER, GREG A. , 羅伯特H 胡森加 HUIZENGA, ROBERT H. , 史帝芬D 姆斯曼 MUSSMAN, STEVEN D.
IPC分类号： C23C
摘要：一種製造用於濺鍍靶之大型鉬坯料與棒材的方法，其中二個或多個含鉬本體彼此相鄰放置(諸如彼此堆疊)，且鉬粉末金屬存在於該相鄰本體間的間隙或接面。熱均壓該相鄰本體，以在相鄰本體之間的各金屬－鉬粉末金屬層－金屬(metal－powder metal layer－metal)接面形成擴散接合，而形成可加工或成形而提供大型濺鍍靶的坯料或棒材。彼此相鄰放置之鉬本體的數量與尺寸係經選擇，以形成適用於濺鍍靶的希冀大尺寸坯料或棒材。該用於濺鍍靶的坯料或棒材具有含小於30微米晶粒尺寸等軸晶的HIP微結構及小於約100重量ppm的低氧氣含量。
简体摘要：一种制造用于溅镀靶之大型钼坯料与棒材的方法，其中二个或多个含钼本体彼此相邻放置(诸如彼此堆栈)，且钼粉末金属存在于该相邻本体间的间隙或接面。热均压该相邻本体，以在相邻本体之间的各金属－钼粉末金属层－金属(metal－powder metal layer－metal)接面形成扩散接合，而形成可加工或成形而提供大型溅镀靶的坯料或棒材。彼此相邻放置之钼本体的数量与尺寸系经选择，以形成适用于溅镀靶的希冀大尺寸坯料或棒材。该用于溅镀靶的坯料或棒材具有含小于30微米晶粒尺寸等轴晶的HIP微结构及小于约100重量ppm的低氧气含量。

6. 发明专利

TWI385262B 製造濺鍍靶的方法有权
简体标题：制造溅镀靶的方法
公开(公告)号：TWI385262B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW094106042
申请日：2005-03-01
申请人：豪梅特公司 , HOWMET CORPORATION
发明人：葛列格A 巴特瑟 , BUTZER, GREG A. , 羅伯特H 胡森加 , HUIZENGA, ROBERT H. , 史帝芬D 姆斯曼 , MUSSMAN, STEVEN D.
IPC分类号： C23C14/34

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