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1. 发明授权

CN104487403B 具有热喷涂被覆层的碳材料有权
公开(公告)号：CN104487403B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201380036152.0
申请日：2013-07-08
申请人：都卡洛股份有限公司 , 东洋炭素株式会社
发明人：高畠刚 , 大井手雄平 , 折岛毅 , 泉宫正树 , 多田良臣
IPC分类号： C04B41/89 , C04B41/90 , C21D1/00 , C23C4/06 , C22C19/05 , C22C27/06 , C22C29/02
CPC分类号： C04B41/90 , C04B41/009 , C04B41/52 , C21D1/06 , C21D1/08 , C21D1/18 , C21D9/38 , C21D2251/00 , C22C19/05 , C22C27/06 , C23C4/02 , C23C4/08 , C23C4/134 , C23C28/322 , C23C28/341 , C23C28/345 , C04B35/522 , C04B41/4539 , C04B41/455 , C04B41/5001 , C04B41/5059 , C04B41/4527 , C04B41/51
摘要：本发明的目的在于，提供一种基材与被覆层的密合性优异、而且耐氧化消耗性也优异的碳材料。本发明的碳材料的特征在于，具备：碳质基材；含有碳化硅的碳化层，其形成于该碳质基材的表面，算术表面粗糙度Ra为1μm以上，维氏硬度HV为50以上，此外从上述碳质基材的表面渗透的部位的渗透深度为50μm以上；和热喷涂被覆层(3)，其形成于该含有碳化硅的碳化层的表面，也可以在上述热喷涂被覆层的表面设置表面涂层。

2. 发明公开

CN104487403A 具有热喷涂被覆层的碳材料有权
公开(公告)号：CN104487403A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380036152.0
申请日：2013-07-08
申请人：都卡洛股份有限公司 , 东洋炭素株式会社
发明人：高畠刚 , 大井手雄平 , 折岛毅 , 泉宫正树 , 多田良臣
IPC分类号： C04B41/89 , C04B41/90 , C21D1/00 , C23C4/06 , C22C19/05 , C22C27/06 , C22C29/02
CPC分类号： C04B41/90 , C04B41/009 , C04B41/52 , C21D1/06 , C21D1/08 , C21D1/18 , C21D9/38 , C21D2251/00 , C22C19/05 , C22C27/06 , C23C4/02 , C23C4/08 , C23C4/134 , C23C28/322 , C23C28/341 , C23C28/345 , C04B35/522 , C04B41/4539 , C04B41/455 , C04B41/5001 , C04B41/5059 , C04B41/4527 , C04B41/51
摘要：本发明的目的在于，提供一种基材与被覆层的密合性优异、而且耐氧化消耗性也优异的碳材料。本发明的碳材料的特征在于，具备：碳质基材；含有碳化硅的碳化层，其形成于该碳质基材的表面，算术表面粗糙度Ra为1μm以上，维氏硬度HV为50以上，此外从上述碳质基材的表面渗透的部位的渗透深度为50μm以上；和热喷涂被覆层(3)，其形成于该含有碳化硅的碳化层的表面，也可以在上述热喷涂被覆层的表面设置表面涂层。

3. 发明专利

TWI683034B 熔射用粉末、熔射皮膜、皮膜及熔融金屬浴中輥有权
简体标题：熔射用粉末、熔射皮膜、皮膜及熔融金属浴中辊
公开(公告)号：TWI683034B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104135431
申请日：2015-10-28
申请人：日商都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO.,LTD , 日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：水津竜夫 , SUIDZU, TATSUO , 安尾典之 , YASUO, NORIYUKI , 高畠剛 , TAKABATAKE, TAKESHI , 水野宏昭 , MIZUNO, HIROAKI , 益田敬也 , MASUDA, TAKAYA , 久野達也 , KUNO, TATSUYA
IPC分类号： C23C4/06 , C23C4/10 , C25D17/06

4. 发明专利

TW201834988A 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法
公开(公告)号：TW201834988A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107124236
申请日：2014-08-27
申请人：日商泰谷諾石英股份有限公司 , TECHNO QUARTZ INC. , 日商都卡洛股份有限公司 , TOCALO CO., LTD.
发明人：磯貝宏道 , ISOGAI,HIROMICHI , 加藤征秀 , KATO,MASAHIDE , 梅津康浩 , UMETSU,YASUHIRO , 山崎良 , YAMAZAKI,RYO , 土生陽一郎 , TSUCHIO,YOICHIRO
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03C17/02 , C23C4/10 , C23C4/12 , H05H1/48
摘要：〔課題〕提供一種對應於薄型化且提高遮光性和耐熱性之石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法。〔解決手段〕一種石英玻璃元件，係在石英玻璃基材之表面，藉由以電漿熔射矽粉末而形成皮膜所組成之石英玻璃元件，其特徵在於：石英玻璃基材係由非透明石英玻璃而組成，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為3%以下，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為0%，矽粉末之D50%粒徑為25～35μm，皮膜20之平均膜厚為40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra為2～4μm。
简体摘要：〔课题〕提供一种对应于薄型化且提高遮光性和耐热性之石英玻璃组件及石英玻璃组件之制造方法。〔解决手段〕一种石英玻璃组件，系在石英玻璃基材之表面，借由以等离子熔射硅粉末而形成皮膜所组成之石英玻璃组件，其特征在于：石英玻璃基材系由非透明石英玻璃而组成，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为3%以下，硅粉末之100μm以上之粒径之比率为0%，硅粉末之D50%粒径为25～35μm，皮膜20之平均膜厚为40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra为2～4μm。

5. 发明专利

TWI368573B 印刷用滾輪及其製造方法失效
简体标题：印刷用滚轮及其制造方法
公开(公告)号：TWI368573B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW098138210
申请日：2009-11-11
申请人：都卡洛股份有限公司
发明人：原田良夫 , 寺谷武馬
IPC分类号： B41F
CPC分类号： B41N1/12 , B41C1/05 , B41N1/20 , B41N1/22
摘要：為了提案不會排出環境污染物質且安全、並具有美麗之畫線部用凹部之印刷用滾輪的乾式步驟製造技術，和圖謀印刷物之品質提高的新技術，係在滾輪基材表面所形成的碳化物金屬陶瓷(cermet)熔射皮膜上，將具有設置屬於畫線部用凹部之雷射光束雕刻溝而成之DLC膜層的印刷用滾輪、及經由噴砂處理而粗面化的滾輪基材之加工面，以熔射法被覆形成碳化物金屬陶瓷熔射皮膜，並將此碳化物金屬陶瓷熔射皮膜的表面予以研削或研削-研磨，且於研削或研削-研磨後，於其上被覆形成DLC膜，接著，於此DLC膜之表面形成屬於畫線部用凹部之雷射光束雕刻溝的方法。
简体摘要：为了提案不会排出环境污染物质且安全、并具有美丽之画线部用凹部之印刷用滚轮的干式步骤制造技术，和图谋印刷物之品质提高的新技术，系在滚轮基材表面所形成的碳化物金属陶瓷(cermet)熔射皮膜上，将具有设置属于画线部用凹部之激光光束雕刻沟而成之DLC膜层的印刷用滚轮、及经由喷砂处理而粗面化的滚轮基材之加工面，以熔射法被覆形成碳化物金属陶瓷熔射皮膜，并将此碳化物金属陶瓷熔射皮膜的表面予以研削或研削-研磨，且于研削或研削-研磨后，于其上被覆形成DLC膜，接着，于此DLC膜之表面形成属于画线部用凹部之激光光束雕刻沟的方法。

6. 发明专利

TWI328051B 具有優良耐電漿腐蝕性之熔射覆膜被覆構件及其製造方法有权
简体标题：具有优良耐等离子腐蚀性之熔射复膜被覆构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI328051B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW095129001
申请日：2006-08-08
申请人：都卡洛股份有限公司
发明人：原田良夫 , 戶越健一郎 , 櫛木富士生
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C4/10 , C23C4/12 , C23C28/042 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , Y10T428/24355 , Y10T428/26
摘要：【課題】得到因為鹵素化合物之環境等之腐蝕作用所造成之損傷小，且無因為其腐蝕生成物成為環境污染的原因導致半導體加工裝置品質降低及生產成本增大的各種半導體裝置用熔射覆膜被覆構件。
【解決手段】一種具有優良耐電漿腐蝕性之構件及其製造方法，可以藉由電子束照射處理而對於形成在基材表面、由Al2O3、Y2O3或Al2O3-Y2O3複氧化物等所構成之熔射覆膜之表面，具有優良的微粒等之附著、堆積特性，能夠有效地防止其再飛散。
简体摘要：【课题】得到因为卤素化合物之环境等之腐蚀作用所造成之损伤小，且无因为其腐蚀生成物成为环境污染的原因导致半导体加工设备品质降低及生产成本增大的各种半导体设备用熔射复膜被覆构件。【解决手段】一种具有优良耐等离子腐蚀性之构件及其制造方法，可以借由电子束照射处理而对于形成在基材表面、由Al2O3、Y2O3或Al2O3-Y2O3复氧化物等所构成之熔射复膜之表面，具有优良的微粒等之附着、堆积特性，能够有效地防止其再飞散。

7. 发明专利

TW200714560A 對電漿腐蝕性優良之熔射皮膜被覆構件及其製造方法审中-公开
简体标题：对等离子腐蚀性优良之熔射皮膜被覆构件及其制造方法
公开(公告)号：TW200714560A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095129001
申请日：2006-08-08
申请人：都卡洛股份有限公司 TOCALO CO., LTD.
发明人：原田良夫 HARADA YOSHIO , 戶越健一郎 TOGOE KENICHIRO , 櫛木富士生 KUSHIKI FUJIO
IPC分类号： C03B
CPC分类号： C23C4/10 , C23C4/12 , C23C28/042 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , Y10T428/24355 , Y10T428/26
摘要： [課題]得到由於包含鹵素化合物之環境等之腐蝕作用所造成之損傷並且其腐蝕生成物成為環境污染原因、並無導致半導體加工裝置之品質降低及生產成本之增大的各種半導體裝置用熔射皮膜被覆構件。[解決手段]一種構件及其製造方法係可以藉由電子束照射處理而對於形成在基材表面且由Al2O3、Y2O3或Al2O3-Y2O3複氧化物等之所構成之熔射皮膜之表面進行微粒等之附著,堆積特性良好,能夠有效地防止其再飛散之對電漿腐蝕性呈優良。
简体摘要： [课题]得到由于包含卤素化合物之环境等之腐蚀作用所造成之损伤并且其腐蚀生成物成为环境污染原因、并无导致半导体加工设备之品质降低及生产成本之增大的各种半导体设备用熔射皮膜被覆构件。[解决手段]一种构件及其制造方法系可以借由电子束照射处理而对于形成在基材表面且由Al2O3、Y2O3或Al2O3-Y2O3复氧化物等之所构成之熔射皮膜之表面进行微粒等之附着,堆积特性良好,能够有效地防止其再飞散之对等离子腐蚀性呈优良。

8. 发明专利

TWI276704B 氧化釔熔射皮膜被覆構件及其製造方法有权
简体标题：氧化钇熔射皮膜被覆构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI276704B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW094144057
申请日：2005-12-13
申请人：都卡洛股份有限公司 TOCALO CO., LTD.
发明人：原田良夫 HARADA YOSHIO , 寺谷武馬 TERATANI TAKEMA
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C4/02 , C03C17/23 , C03C17/36 , C03C17/3615 , C03C17/3649 , C03C23/0025 , C03C23/004 , C03C2217/288 , C03C2218/112 , C03C2218/32 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/18 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/347 , Y02T50/67
摘要：本發明係在基材表面上，形成氧化釔之黑色熔射皮膜，在基材表面上，透過底覆膜層或中間層，被覆氧化釔之黑色熔射皮膜來形成之構件。此構件熱特性良好，由於高硬度化所以耐損傷性能良好。前述氧化釔之黑色熔射皮膜，係藉由在實質上不含有氧氣之非活性氣體氣氛中以電漿熔射白色氧化釔粉末材料，或是在形成氧化釔之白色熔射皮膜以後，藉由將此皮膜照射電子光束或雷射光束，而使白色皮膜之至少一部分加熱熔融，使皮膜表面平滑化之同時黑色化來製造。
简体摘要：本发明系在基材表面上，形成氧化钇之黑色熔射皮膜，在基材表面上，透过底覆膜层或中间层，被覆氧化钇之黑色熔射皮膜来形成之构件。此构件热特性良好，由于高硬度化所以耐损伤性能良好。前述氧化钇之黑色熔射皮膜，系借由在实质上不含有氧气之非活性气体气氛中以等离子熔射白色氧化钇粉末材料，或是在形成氧化钇之白色熔射皮膜以后，借由将此皮膜照射电子光束或激光光束，而使白色皮膜之至少一部分加热熔融，使皮膜表面平滑化之同时黑色化来制造。

9. 发明专利

TWI240015B 靜電夾持構件及其製造方法有权
简体标题：静电夹持构件及其制造方法
公开(公告)号：TWI240015B
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：TW090101106
申请日：2001-01-18
申请人：都卡洛股份有限公司 TOCALO CO., LTD. , 東京電子股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田良夫 YOSHIO HARADA , 竹內純一 JUNICHI TAKEUCHI , 戶越健一郎 KENICHIRO TOGOE
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B23Q3/154 , H01L21/6833
摘要：本發明的目的在於提供吸附能力強、另一方面停止電壓施加時的應答性能(釋放)佳的靜電夾持構件，此構件包括基材上的至少一個表面具有金屬質的底部塗覆物，並且此底部塗覆物上具有Al2O3陶瓷構成的下部絕緣層，再者，此下部絕緣層上具有金屬質電極層，並且此電極層上具有 Al2O3陶瓷構成的上部絕緣層。
简体摘要：本发明的目的在于提供吸附能力强、另一方面停止电压施加时的应答性能(释放)佳的静电夹持构件，此构件包括基材上的至少一个表面具有金属质的底部涂覆物，并且此底部涂覆物上具有Al2O3陶瓷构成的下部绝缘层，再者，此下部绝缘层上具有金属质电极层，并且此电极层上具有 Al2O3陶瓷构成的上部绝缘层。

10. 发明专利

TW486758B 電漿處理容器內部材及其製造方法有权
简体标题：等离子处理容器内部材及其制造方法
公开(公告)号：TW486758B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW089124520
申请日：2000-11-20
申请人：都卡洛股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：原田良夫 , 竹內純一 , 濱口龍哉 , 長山將之 , 三橋康至
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32477 , B01J19/02 , B01J2219/0218 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , B01J2219/0263 , B01J2219/0286 , B01J2219/0894 , C09D1/00 , C23C4/00 , C23C4/02 , C23C4/11 , Y10T428/12458 , Y10T428/12479 , Y10T428/12549 , Y10T428/12618 , Y10T428/24999
摘要：本發明提供一種電漿(plasma)處理容器內部材及其製造方法，在含有鹵素(halogen)氣體的工作環境下，該電漿處理容器內部材其有良好的耐化學腐蝕性及耐電漿侵蝕性(plasma erosion)。為了要達到此目的，需在基材表面先形成當作下層皮膜(under coat)的金屬皮膜，然後在該下層皮膜上形成一Al2O3中間層，然後在該中間層上方形成一上層皮膜(top coat)，該上層皮膜是Y2O3溶射皮膜。因此電漿處理容器內部材，是由上述各皮膜形成的多層狀複合層所構成。
简体摘要：本发明提供一种等离子(plasma)处理容器内部材及其制造方法，在含有卤素(halogen)气体的工作环境下，该等离子处理容器内部材其有良好的耐化学腐蚀性及耐等离子侵蚀性(plasma erosion)。为了要达到此目的，需在基材表面先形成当作下层皮膜(under coat)的金属皮膜，然后在该下层皮膜上形成一Al2O3中间层，然后在该中间层上方形成一上层皮膜(top coat)，该上层皮膜是Y2O3溶射皮膜。因此等离子处理容器内部材，是由上述各皮膜形成的多层状复合层所构成。

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