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1. 发明公开

KR20200139840A 기계 학습에 의한 결함 또는 핫스폿의 식별 审中-公开
公开(公告)号：KR20200139840A
公开(公告)日：2020-12-14
申请号：KR20207034578
申请日：2017-04-20
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： SU JING , ZOU YI , LIN CHENXI , HUNSCHE STEFAN , JOCHEMSEN MARINUS , LU YEN WEN , CHEONG LIN LEE
IPC分类号： G03F7/20 , G06F30/398 , G06K9/62 , G06T7/00
摘要： 본명세서에서는, 기계학습모델을이용하여, 디자인레이아웃으로부터핫스폿을식별하거나, 디자인레이아웃내의패턴이결함있는지를예측하는다양한방법들이개시된다. 본명세서에개시된예시적인방법은디바이스제조공정에서의복수의공정조건들하에서각각핫스폿들의성능의특성들의세트들을각각얻는단계; 핫스폿들각각에대하여공정조건들각각에대해, 그공정조건하에서의특성들에기초하여, 그핫스폿이결함있는지를결정하는단계; 공정조건들각각의특성들을얻는단계; 핫스폿들각각의특성들을얻는단계; 및공정조건들중 하나의특성들, 핫스폿들중 하나의특성들, 및그 공정조건하에서그 핫스폿이결함있는지의여부를포함하는트레이닝세트를이용하여기계학습모델을트레이닝하는단계를포함한다.

2. 发明公开

KR20200133740A ＥＵＶ 광원에서 부스러기를 제어하기 위한 장치 및 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200133740A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR20207026497
申请日：2019-03-20
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： LANGLOIS MARC GUY , LANSBERGEN ROBERT GABRIEL MARIA , LEENDERS MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , TEGENBOSCH HENRICUS GERARDUS
IPC分类号： H05G2/00
摘要： 타겟재료부스러기를액체형태로축적하는수단을포함하는 EUV 시스템이개시되며, 타겟재료는광학기구상으로튀는것이차단되고, 타겟재료는고화될수 있고, 그런다음에, 융용되어콜렉터를오염시킴이없이배출될수 있는위치로전달된다.

3. 发明公开

KR20200130441A 광범위 활성 영역 고속 검출기를 위한 픽셀 형상 및 섹션 형상 선택 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130441A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR20207029918
申请日：2019-03-21
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： WANG YONGXIN , DONG ZHONGHUA
IPC分类号： H01J37/244 , H01L27/146
摘要： 검출기및 검출시스템이개시된다. 소정실시예들에따르면, 검출기는제 1 감지요소(402) 및제 2 감지요소(403)를포함한복수의감지요소들을포함하는기판을포함하고, 적어도제 1 감지요소는삼각형형상으로형성된다. 검출기는제 1 감지요소및 제 2 감지요소를연결하도록구성되는스위칭구역(4009A)을포함할수 있다. 또한, 제 1 복수의감지요소들을제 1 출력에연결하는제 1 섹션및 제 2 복수의감지요소들을제 2 출력에연결하는제 2 섹션을포함한복수의섹션들이제공될수 있다. 섹션은육각형형상으로제공될수 있다.

4. 发明公开

KR20200130289A 그래핀 펠리클 리소그래피 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130289A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR20207025911
申请日：2019-02-07
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： KURGANOVA EVGENIA , GIESBERS ADRIANUS JOHANNES MARIA , KLEIN ALEXANDER LUDWIG , NASALEVICH MAXIM ALEKSANDROVICH , NOTENBOOM ARNOUD WILLEM , PETER MARIA , VAN ZWOL PIETER JAN , VLES DAVID FERDINAND , VOLLEBREGT STEN , VOORTHUIJZEN WILLEM PIETER
IPC分类号： B01J21/18 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J23/652 , B01J23/883 , B01J23/885 , B01J27/22 , B01J35/00 , B01J37/02 , G03F1/62 , G03F7/20
摘要： 몰리브덴을포함하는제 1 층; 베이스층; 및중간층을포함하고, 중간층은베이스층과제 1 층사이에배치되는촉매가개시된다. 또한, 촉매를제조하는방법및 그래핀을합성하는방법, 본명세서에개시된촉매또는방법을사용하여생성되는펠리클, 및이러한펠리클을포함하는리소그래피장치가개시된다.

5. 发明公开

KR20200125990A 비선형 광학계를 갖는 검사 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200125990A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：KR20207028477
申请日：2019-03-25
申请人： ASML NETHERLANDS BV , ASML HOLDING NV
发明人： VAN DAM MARINUS JOHANNES MARIA , ZIMMERMAN RICHARD CARL
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/21 , G01N21/47
摘要： 검사장치또는리소그래피장치는광학시스템과검출기를포함하고있다. 광학시스템은비선형프리즘광학계를포함하고있다. 광학시스템은회절타겟에서반사된 0차및 1차회절차수빔을받아들이고각 회절차수빔의제1 및제2 편광을분리하도록구성되어있다. 검출기는 0차및 1차회절차수빔들의각각의제1 및제2 편광을동시에검출하도록구성되어있다. 하나이상의회절차수의검출된제1 및제2 편광에기초하여, 리소그래피장치의작동매개변수가조정되어리소그래피장치의정확도또는정밀도를개선할수 있다. 광학시스템은복수의비선형프리즘광학계를포함할수 있다. 예를들어, 광학시스템은복수의월라스턴프리즘을포함할수 있다.

6. 发明公开

KR20180021218A 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 审中-公开
标题翻译：基于衍射的覆盖度量工具和方法
公开(公告)号：KR20180021218A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20187004581
申请日：2008-12-09
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： DEN BOEF ARIE JEFFREY
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , H01L21/027
CPC分类号： G01N21/95607 , G03F7/7015 , G03F7/70633
摘要： 기판(100) 상의제 1 격자(110)와제 2 격자(120) 간의오버레이오차를결정하는방법이제공되며, 상기제 2 격자(120)는상기제 1 격자(110)의최상부상에있고, 상기제 2 격자(120)는상기제 1 격자(110)와실질적으로동일한피치(P1)를가지고, 상기제 2 격자및 상기제 1 격자는복합격자(110, 120)를형성하며, 상기방법은, 상기복합격자(110, 120)를상기기판의표면을따르는제 1 수평방향(D1)을따라소정의입사각(β)으로조명하는제 1 조명빔(IB)을제공하는단계; 상기복합격자(110, 120)로부터 1차회절빔(B+)의제 1 세기(i+)를측정하는단계; 상기복합격자(110, 120)를상기기판의표면을따르는제 2 수평방향(D2)을따라소정의입사각(-β)으로조명하는제 2 조명빔을제공하는단계 - 제 2 수평방향(D2)은제 1 수평방향(D1)과대향됨 -; 및상기복합격자(110, 120)로부터 -1차회절빔(B-)의제 2 세기(i-)를측정하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了系统，方法和设备，用于利用在衬底上的图案顶部上的抗蚀剂层中限定的掩模图案来确定衬底上的图案的覆盖。第一光栅设置在第二光栅下方，每个光栅具有与另一光栅基本相同的间距，一起形成复合光栅。第一照明光束在沿第一水平方向的入射角下被提供。测量来自复合光栅的衍射光束的强度。在沿着第二水平方向的入射角下提供第二照明光束。第二水平方向与第一水平方向相反。测量来自复合光栅的衍射光束的强度。线性缩放来自第一照明光束的衍射光束和来自第二照明光束的衍射光束之间的差异导致重叠误差。

7. 发明公开

KR20180021217A 리소그래피 장치 및 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180021217A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20187004578
申请日：2011-03-17
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： YAKUNIN ANDREI , BANINE VADIM , LOOPSTRA ERIK , VAN DER SCHOOT HARMEN , STEVENS LUCAS , VAN KAMPEN MAARTEN
IPC分类号： G03F1/62 , C01B32/20 , G02B5/08 , G02B5/20 , G03F1/24 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B27/0006 , G03B27/54 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70058 , G03F7/702 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , H01B1/04 , H01B1/24
摘要： 리소그래피장치는방사선빔을생성하도록구성된방사선소스, 및패터닝디바이스를지지하도록구성된지지체를포함한다. 패터닝디바이스는패터닝된방사선빔을형성하기위해방사선빔에패턴을부여하도록구성된다. 방사선소스와패터닝디바이스사이에는챔버가위치된다. 챔버는방사선빔을반사시키도록구성된적어도 1 이상의광학구성요소를포함하고, 방사선소스로부터의방사선이이를통과하는것을허용하도록구성된다. 멤브레인(44)이멤브레인을통한방사선빔의통과를허용하고, 오염입자(54)들의통과를방지하도록구성된다. 챔버내부로부터챔버외부로우회경로를따라가스가흐르는것을허용하도록입자포획구조체(52)가구성된다. 우회경로는챔버내부로부터챔버외부로의오염입자(58)들의통과를실질적으로방지하도록구성된다.

8. 发明公开

KR20180019783A 검사 방법 및 장치, 검사 방법 및 장치에서 사용되는 기판, 및 디바이스 제조 방법 审中-公开
标题翻译：检查方法和装置基板及其使用方法和装置制造方法
公开(公告)号：KR20180019783A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187004695
申请日：2014-05-02
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： BOGAART ERIK , BIJNEN FRANCISCUS , DEN BOEF ARIE , MATHIJSSEN SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/65 , G01N21/95 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70483 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/656 , G03F7/70625
摘要： 기판에는디바이스구조물및 계측구조물(800)이제공된다. 디바이스구조물은하나이상의파장의여기방사선의비탄성산란을나타내는재료를포함한다. 디바이스구조물은하나이상의치수에서충분히작아서비탄성산란의특성이양자구속에의하여크게영향받게하는구조를포함한다. 계측구조물(800)은조성및 치수에있어서디바이스피쳐와유사한디바이스-유사구조물(800b), 및교정구조물(800a)을포함한다. 교정구조물은조성에있어서디바이스피쳐와유사하지만적어도하나의치수에있어서상이하다. 라만분광을구현하는검사장치및 방법을사용하면, 디바이스-유사구조물의치수는디바이스-유사구조물및 교정구조물로부터비탄성적으로산란된방사선의스펙트럼피쳐를비교함으로써측정될수 있다.
摘要翻译：衬底配备有器件结构和度量结构（800）。器件结构包括显示一个或多个波长的激发辐射的非弹性散射的材料。器件结构包括在一个或多个维度上足够小的结构，非弹性散射的特性受量子限制的显着影响。度量结构（800）包括类似于器件特征和校准结构（800a）的组成和尺寸的器件状结构（800b）。校准结构与组成装置中的装置特征类似，但在至少一个维度上不同。使用实施拉曼光谱学的检查设备和方法，可以通过比较来自类似装置的结构和校准结构的非弹性散射辐射的光谱特征来测量装置状结构的尺寸。

9. 发明公开

KR20100135198A A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus 无效
标题翻译：一种平面设备，一种控制设备的方法和一种使用平面设备制造设备的方法
公开(公告)号：KR20100135198A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR20100056706
申请日：2010-06-15
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： DIRECKS DANIEL JOZEF MARIA , KEMPER NICOLAAS RUDOLF , PHILIPS DANNY MARIA HUBERTUS , RIEPEN MICHEL , VAN DEN DUNGEN CLEMENS JOHANNES GERARDUS , SCHEPERS MAIKEL ADRIANUS CORNELIS
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , H01L21/0274 , G03F7/2041 , G03F7/7085
摘要： PURPOSE: A lithography apparatus, a method for controlling the same, and a method for manufacturing a device using the same are provided to reduce the generation risk of imaging defects by supplying immersing liquid into a space between a projection system and an opposite surface. CONSTITUTION: Patterned radiation beam directs toward a substrate through a projection system. The substrate is supported by a table. A liquid handling system supplies immersing liquid into a space between the projection system and an opposite surface. The structure of an opening(70) affects the influence of a liquid handling structure(12) in which the liquid is contained. A controller controls the operation of the table with respect to the liquid handling system.
摘要翻译：目的：提供一种光刻设备及其控制方法，以及使用该方法的设备的制造方法，以通过将浸入液体供入投影系统与相对面之间的空间来降低成像缺陷的产生风险。构成：图案化的辐射束通过投影系统指向衬底。基板由桌子支撑。液体处理系统将浸入液体提供到投影系统和相对表面之间的空间中。开口（70）的结构影响液体处理结构（12）的含有液体的影响。控制器控制工作台相对于液体处理系统的操作。

10. 发明公开

KR20070092155A METHOD AND SYSTEM FOR ENHANCED LITHOGRAPHIC ALIGNMENT 审中-公开
标题翻译：用于增强光刻对准的方法和系统
公开(公告)号：KR20070092155A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：KR20070022433
申请日：2007-03-07
申请人： ASML NETHERLANDS BV
发明人： LALBAHADOERSING SANJAYSINGH , MUSA SAMI
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01L21/3105 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2223/54426 , H01L2924/00
摘要： A method and a system for enhancing lithographic alignment are provided to obtain an improved alignment system and an improved method of a lithography system. A substrate preparing process is performed to prepare a lower alignment mark structure for defining a lower trench region on a substrate(411). An applying process is performed to apply a hard mask coating having a top surface on the substrate. An exposing process is performed to expose parts of the hard mask coating to a dose of radiation in order to raise a top surface region of the hard mask coating located on the lower trench region in the lower alignment mark structure. As a result, the top surface region is higher than parts of the top surface adjacent to the top surface region of the hard mask coating. The hard mask coating is formed of amorphous carbon.
摘要翻译：提供了一种用于增强光刻对准的方法和系统，以获得改进的对准系统和光刻系统的改进方法。进行衬底制备工艺以制备用于限定衬底（411）上的下沟槽区域的下部对准标记结构。执行施加工艺以在基底上施加具有顶表面的硬掩模涂层。进行曝光处理以将硬掩模涂层的一部分暴露于一定量的辐射，以便提高位于下对准标记结构中的下沟槽区上的硬掩模涂层的顶表面区域。结果，顶表面区域高于与硬掩模涂层的顶表面区域相邻的顶表面的部分。硬掩模涂层由无定形碳形成。

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