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1. 发明公开

KR20200130818A 다이 타일링을 위한 기술 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130818A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：KR20207025735
申请日：2019-03-22
申请人： INTEL CORP
发明人： PIETAMBARAM SRINIVAS V , DUAN GANG , KULKARNI DEEPAK
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L25/065
摘要： 미세노드이종칩 패키지들을위한기술이제공된다. 일례에서, 이종칩 패키지를제조하는방법은실리콘브리지를이용하여제1 베이스다이의제1 측면의전기단자들을제2 베이스다이의제1 측면의전기단자들에결합하는단계, 실리콘브리지주위에그리고제1 및제2 베이스다이들의제1 측면들에인접하여유기기판을형성하는단계, 및미세노드다이를제1 베이스다이또는제2 베이스다이중 적어도하나의것의제2 측면에결합하는단계를포함할수 있다.

2. 发明公开

KR20180021831A 전자 디바이스들의 열 스로틀링 审中-公开
标题翻译：电子设备的热节流
公开(公告)号：KR20180021831A
公开(公告)日：2018-03-05
申请号：KR20187002269
申请日：2016-04-22
申请人： INTEL CORP
发明人： KAM TIMOTHY Y , AHUJA SANDEEP , AGARWAL RAJAT , SODANI AVINASH , SUH JINHO , CHINTHAMANI MEENAKSHISUNDARAM
IPC分类号： G06F1/20 , G05B11/42 , G06F1/32
CPC分类号： G06F1/206 , G06F1/3206 , G06F1/3225 , G06F1/3234 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F2212/1028 , Y02D10/126 , Y02D10/14 , Y02D10/16
摘要： 본명세서에서개시되는것은컴퓨팅디바이스의컴포넌트의열 스로틀링을구현하도록구성되는컴퓨팅디바이스이다. 컴퓨팅디바이스는전자컴포넌트와전자컴포넌트에열적으로커플링되는온도센서를포함한다. 컴퓨팅디바이스는온도센서로부터온도측정치를수신하고전자컴포넌트에대한스로틀링팩터를생성하는열 관리제어기를또한포함한다. 온도측정치가특정된임계값보다더 크면, 스로틀링팩터는전자컴포넌트에대한적어도성능보증이되도록전자컴포넌트의성능을감소시키기위한것이다.
摘要翻译：这里公开了一种被配置为实现计算设备的组件的热节流的计算设备。该计算设备包括热耦合到电子部件和电子部件的温度传感器。该计算设备还包括热管理控制器，该热管理控制器从温度传感器接收温度测量结果并为电子部件生成节流因子。如果温度测量值大于指定的阈值，则节流因数旨在降低电子组件的性能以至少保证电子组件的性能。

3. 发明公开

KR20180021210A 에어갭 스페이서를 갖는 트랜지스터 审中-公开
标题翻译：晶体管与气隙垫片
公开(公告)号：KR20180021210A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20187004449
申请日：2015-07-17
申请人： INTEL CORP
发明人： LEE CHEN GUAN , PARK JOODONG , LIU EN SHAO , CASSIDY COMFORT EVERETT S , HAFEZ WALID M , JAN CHIA HONG
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/764 , H01L21/768 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L29/4991 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要： 게이트측벽스페이서로서형성된에어갭스페이서를갖는마이크로전자트랜지스터가제조될수 있으며, 에어갭스페이서는마이크로전자트랜지스터의게이트전극과소스콘택및/또는드레인콘택사이에위치하게된다. 기체물질들의유전상수가고체또는반고체유전체재료의유전상수보다상당히낮기때문에, 에어갭스페이서는게이트전극과소스콘택및/또는드레인콘택사이의최소용량성결합을야기할수 있으며, 이는마이크로전자트랜지스터의회로지연을감소시킬수 있다.
摘要翻译：并作为栅极侧壁间隔来制造形成具有气隙垫片微电子晶体管，空气间隙的隔片被放置在微电子晶体管的栅极电极和源极接触和/或漏极触点之间。由于基材比固体或半固体的介电材料的介电常数的显著较低的介电常数，气隙垫片能够使栅电极与所述源极接触和/或漏极触点之间的最小电容性耦合的，其作为微电子晶体管国会延迟可以减少。

4. 发明公开

KR20180020298A 박형 폼팩터 저비용 설계를 가능하게 하는 무체결구 힌지 审中-公开
标题翻译：超薄外形独特的铰链可实现低成本设计
公开(公告)号：KR20180020298A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：KR20187002559
申请日：2016-06-27
申请人： INTEL CORP
发明人： SPRENGER MARK , ARIK KENAN , DAMM DREW
IPC分类号： G06F1/16 , F16C11/04
CPC分类号： E05D7/1061 , E05D7/10 , G06F1/16 , G06F1/1616 , G06F1/1681 , Y10T16/554
摘要： 본개시는박형폼팩터저비용설계를가능하게하는무체결구힌지시스템을포함한다. 여기에기재된힌지시스템은힌지브래킷과힌지윙을포함할수 있다. 힌지브래킷은융기부를포함하고, 이에의해중공부와하나이상의스프링탭을제공한다. 상기힌지윙은상기중공부를통해힌지브래킷에활주가능하게결합된다. 유리하게도, 본발명에따른힌지시스템은비용을저감할수 있도록하는것에더해컴퓨팅장치의 "Z" 높이를최소화할수 있도록체결구를포함하지않는다.
摘要翻译：本公开内容涵盖能够实现薄型，低成本设计的单向铰链系统。这里描述的铰链系统可以包括铰链支架和铰链翼。铰链支架包括脊部分，由此提供脊和至少一个弹簧片。铰链翼通过中心铰链可滑动地连接到铰链支架。有利的是，根据本发明的铰链系统除了能够降低成本之外，不包括紧固件以最小化计算设备的“Z”高度。

5. 发明公开

KR20180020285A 안티퓨즈 프로그래밍 전압의 제어된 수정 审中-公开
标题翻译：可控修改反熔丝编程电压
公开(公告)号：KR20180020285A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：KR20187002225
申请日：2015-06-25
申请人： INTEL CORP
发明人： TONG XIAOGHONG , HAFEZ WALID M , MA ZHIYONG , BAI PENG , JAN CHIA HONG , CHEN ZHANPING
IPC分类号： H01L23/525 , G11C17/16 , H01L27/112
CPC分类号： H01L23/5252 , G11C17/16 , H01L27/11206
摘要： 안티퓨즈프로그래밍전압의제어된수정이설명된다. 한예에서, 안티퓨즈회로가, 안티퓨즈회로의게이트영역을포함하여, 기판상에형성된다. 분자가게이트영역의구조를손상시키기위해게이트영역내로주입된다. 전극들이안티퓨즈회로를다른소자들에접속시키기위해게이트영역들위에형성된다.
摘要翻译：描述了反熔丝编程电压的受控修改。在一个示例中，反熔丝电路形成在衬底上，包括反熔丝电路的栅极区域。将分子注入到栅极区域中以破坏栅极区域的结构。在栅极区上形成电极以将反熔丝电路连接到其他元件。

6. 发明公开

KR20180020255A 패키지 온 패키지를 위한 리세싱된 전도성 컨택들을 갖는 집적 회로 구조체들 审中-公开
标题翻译：集成电路结构具有用于堆叠封装的凹入式导电触点
公开(公告)号：KR20180020255A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：KR20187001975
申请日：2015-06-25
申请人： INTEL CORP
发明人： LEE KYU OH , SALAMA ISLAM A , VISWANATH RAM S , SANKMAN ROBERT L , SABI BABAK , CHAVALI SRI CHAITRA JYOTSNA
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/00 , H01L23/13 , H01L23/498 , H01L25/10
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/48 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15311
摘要： 패키지온 패키지(PoP)를위한리세싱된전도성컨택들을가지는집적회로(IC) 구조체들이본원에서개시되어있다. 예를들어, IC 구조체는제1 레지스트표면을가지는 IC 패키지; 제1 레지스트표면에서배치된리세스 - 리세스의하부는제2 레지스트표면을포함함 -; 제1 레지스트표면에서위치된제1 복수의전도성컨택들; 및제2 레지스트표면에서위치된제2 복수의전도성컨택들을포함할수도있다. 다른실시예들이개시될수도있으며및/또는청구될수도있다.
摘要翻译：本文公开了具有用于堆叠封装（PoP）的凹陷式导电触点的集成电路（IC）结构。例如，IC结构可以包括具有第一抗蚀剂表面的IC封装; 设置在第一抗蚀剂表面处的凹槽的下部包括第二抗蚀剂表面; 第一多个导电触点位于第一抗蚀剂表面处; 并且第二多个导电触点位于抗蚀剂表面。其他实施例可以被公开和/或要求保护。

7. 发明公开

KR20180019744A IV족 기판 상의 III족-N MEMS 구조체들 审中-公开
标题翻译： IV-substrate上的III-N MEMS结构
公开(公告)号：KR20180019744A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187002474
申请日：2015-06-26
申请人： INTEL CORP
发明人： THEN HAN WUI , DASGUPTA SANSAPTAK , GARDNER SANAZ K , PILLARISETTY RAVI , RADOSAVLJEVIC MARKO , SUNG SEUNG HOON , CHAU ROBERT S
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H01L41/083 , H01L41/18
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01L1/18 , G01L1/2293
摘要： 실리콘, 실리콘게르마늄, 또는게르마늄기판과같은 IV족기판상에 III족재료-나이트라이드(III-N) 미세전자기계시스템들(MEMS) 구조체들을형성하기위한기법들이개시되어있다. 일부경우에, 기법들은기판상에그리고임의적으로얕은트렌치격리(STI) 재료상에 III-N 층을형성하는것과, 그다음으로, 기판위에매달려진 III-N 층의자유부분을형성하기위하여에칭함으로써 III-N 층을이형하는것을포함한다. 기법들은예를들어, 기판및/또는 STI 재료를선택적으로에칭하지만 III-N 재료를에칭하지않는(또는실질적으로더 느린레이트로 III-N 재료를에칭하지않는) 습식에칭프로세스를이용하는것을포함할수 있다. 압전저항엘리먼트들은예를들어, III-N 층의자유/매달린부분에서진동들또는편향을검출하기위하여 III-N 층상에형성될수 있다. 따라서, MEMS 센서들은예를들어, 가속도계들, 자이로스코프들, 및압력센서들과같은기법들을이용하여형성될수 있다.
摘要翻译：公开了在诸如硅，硅锗或锗衬底的第IV族衬底上形成III族材料 - 氮化物（III-N）微机电系统（MEMS）结构的技术。在一些情况下，可以采用技术在衬底上并且可选地在浅沟槽隔离（STI）材料上形成III-N层，然后蚀刻以形成III- N层“。技术可以包括例如使用选择性蚀刻衬底和/或STI材料但不蚀刻III-N材料（或不以显着更慢的速率蚀刻III-N材料）的湿法蚀刻工艺，有。可以在III-N层上形成压阻元件以检测例如在III-N层的自由/悬置部分中的振动或偏转。因此，可以使用例如加速度计，陀螺仪和压力传感器等技术来形成MEMS传感器。

8. 发明公开

KR20180019741A 보행자 추측 항법 기술 审中-公开
标题翻译：行人导航技术
公开(公告)号：KR20180019741A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187002279
申请日：2015-06-26
申请人： INTEL CORP
发明人： HAN KE , WANG XUN , CAI XIAODONG , LI LIANG
IPC分类号： G01C21/16 , G01D1/04 , G01D1/16 , G06F17/10
CPC分类号： G01C22/006 , G01C21/16
摘要： 사용자의위치를결정하는기술은모바일컴퓨팅장치(100)를포함하는데, 이장치는장치의감지된관성특성에기초하여사용자의워킹걸음걸이를판정한다. 워킹걸음걸이는사용자가모바일컴퓨팅장치를자신측으로홀딩하는것을나타내는제 1 걸음걸이또는사용자가모바일컴퓨팅장치를자신을따라스윙하는것을나타내는제 2 걸음걸이중 하나이다. 모바일컴퓨팅장치는추가로감지된관성특성및 사용자의판정된워킹걸음걸이에기초하여사용자가물리적스텝을취했음을검출하고, 물리적스텝의방향을나타내는모바일컴퓨팅장치의원 진행방향을결정한다. 모바일컴퓨팅장치는사용자의결정된원 진행방향, 사용자의추정스텝길이및 사용자의이전위치에기초하여사용자의추정위치를결정한다.
摘要翻译：用于确定用户的位置的技术包括移动计算设备100，其基于感测到的设备的惯性特性来确定用户的步态步态。步行步态是第一步态和第二步态之一，第一步态指示用户将移动计算装置保持在其侧面，或者第二步态指示用户正在与其一起摆动移动计算装置。移动计算设备基于进一步感测到的惯性特征和用户确定的步行步态来检测用户已经采取了物理步骤，并且确定移动计算设备的指示物理步骤的方向的行进方向。移动计算设备基于用户确定的圆进度方向，用户的估计步长和用户的先前位置来确定用户的估计位置。

9. 发明公开

KR20180019527A 인터커넥트들 및 비아들에 의한 MEMS 구조물들의 통합 审中-公开
标题翻译： MEMS结构通过互连和通孔集成
公开(公告)号：KR20180019527A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20177033336
申请日：2015-06-22
申请人： INTEL CORP
发明人： LIN KEVIN LAI , PAWASHE CHYTRA , KIM RASEONG , YOUNG IAN A , SINGH KANWAL JIT , BRISTOL ROBERT L
IPC分类号： B81B7/02 , H01L21/8238
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0118 , B81C2203/0714 , B81C2203/0742 , B81C2203/0771
摘要： 전도성층이기판상의희생층에서의트렌치내에퇴적된다. 에칭정지층이전도성층 위에퇴적된다. 갭을형성하기위해희생층이제거된다. 일실시예에서, 빔은기판위에있다. 인터커넥트는빔 상에있다. 에칭정지층은빔 위에있다. 빔과에칭정지층 사이에갭이있다.
摘要翻译：导电层沉积在衬底上的牺牲层中的沟槽中。蚀刻停止层沉积在导电层上。牺牲层被去除以形成间隙。在一个实施例中，该束在衬底上。互连在梁上。蚀刻停止层位于梁上。光束与蚀刻停止层之间存在间隙。

10. 发明公开

KR20180019078A 온-칩 스루-바디-비아 커패시터들 및 이를 형성하기 위한 기법들 审中-公开
标题翻译：片上通体电容器和形成它们的技术
公开(公告)号：KR20180019078A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：KR20177033496
申请日：2015-06-22
申请人： INTEL CORP
发明人： CHEN YI WEI , PHOA KINYIP , NIDHI NIDHI , LIN JUI YEN , SHIH KUN HUAN , YANG XIAODONG , HAFEZ WALID M , TSAI CURTIS
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768 , H01L27/06 , H01L49/02
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L27/0629 , H01L28/90
摘要： 스루-바디-비아(TBV)들을사용하여온-칩커패시턴스를제공하기위한기법들이개시된다. 일부실시예들에따르면, TBV는반도체층 내에형성될수 있고, 유전체층은 TBV와주변반도체층 사이에서형성될수 있다. TBV는 TBV 커패시터의하나의전극(예를들어, 애노드)으로서의역할을할 수있고, 유전체층은그 TBV 커패시터의유전체바디로서의역할을할 수있다. 일부실시예들에서, 반도체층은 TBV 커패시터의다른전극(예를들어, 캐소드)으로서의역할을한다. 그러한목적으로, 일부실시예들에서, 전체반도체층은낮은-비저항재료를포함할수 있는반면, 일부다른실시예들에서, 낮은-비저항영역(들)은, 예를들어, 해당위치(들) 내의선택적도핑에의해 TBV에대해국부적인측벽들을따라서만제공될수 있다. 다른실시예들에서, 유전체층과반도체층 사이에형성되는전도성층은 TBV 커패시터의다른전극(예를들어, 캐소드)으로서의역할을한다.
摘要翻译：公开了使用体通孔（TBV）提供片上电容的技术。根据一些实施例，TBV可以形成在半导体层中，并且介电层可以形成在TBV和外围半导体层之间。 TBV可以用作TBV电容器的一个电极（例如，阳极），并且介电层可以用作TBV电容器的介电体。在一些实施例中，半导体层用作TBV电容器的另一电极（例如阴极）。为此，在一些实施例中，整个半导体层可以包括低电阻率材料，而在一些其他实施例中，低电阻率区域可以包括，例如，可以通过选择性掺杂仅沿TBV的局部侧壁提供。在其他实施例中，介电层和半导体层之间形成的导电层用作TBV电容器的另一电极（例如，阴极）。

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