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1. 发明专利

DE112017000574B4 LEUCHTVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112017000574B4
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：DE112017000574
申请日：2017-01-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： STREPPEL ULRICH
IPC分类号： F21V5/00 , F21Y115/10 , G02B19/00 , G03B15/05
摘要： Leuchtvorrichtung (100), aufweisend:mehrere Halbleiter-Lichtquellen (110, 121), wobei die Halbleiter-Lichtquellen (110, 121) zur Erzeugung von unterschiedlichen Lichtstrahlungen ausgebildet sind; undein den Halbleiter-Lichtquellen (110, 121) nachgeordnetes optisches Element (130), wobei das optische Element (130) an einer den Halbleiter-Lichtquellen (110, 121) abgewandten Seite (131) eine Struktur aus erhabenen Pyramidenstümpfen (140) aufweist,und wobei Übergänge zwischen Seitenflächen (143) der Pyramidenstümpfe (140) und Übergänge zwischen Seitenflächen (143) und einer Deckfläche (142) der Pyramidenstümpfe (140) abgerundet ausgebildet sind.

2. 发明专利

DE102015111130B4 Optoelektronisches Bauelement 未知
公开(公告)号：DE102015111130B4
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：DE102015111130
申请日：2015-07-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： KREUTER PHILIPP , VARGHESE TANSEN , SCHMID WOLFGANG , BRÖLL MARKUS
IPC分类号： H01L33/38 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/58
摘要： Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend:- eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt,- einer Strahlungsfläche (13), die direkt an die zweite Schicht (12) grenzt und über die im Betrieb Strahlung aus oder in die Halbleiterschichtenfolge (1) gekoppelt wird,- eine oder mehrere Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10),- eine oder mehrere Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12), wobei- die Durchkontaktierungen (23) durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt sind und in die zweite Schicht (12) münden,- die Kontaktinseln (20) lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht sind,- in Draufsicht auf die Rückseite (15) die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet sind,- jede Kontaktinsel (20) lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben ist und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet und getrennt ist,- ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) höchstens ein Viertel eines Flächenwiderstands der ersten Schicht (10) beträgt,- die Strahlungsfläche (13) Strukturierungen in Form von Mikrolinsen (14) aufweist,- jeder Kontaktinsel (20) eine Mikrolinse (14) gegenüberliegt, so dass in Draufsicht auf die Strahlungsfläche (13) jede Kontaktinsel (20) teilweise oder vollständig mit einer Mikrolinse (14) überlappt.

3. 发明专利

DE102020132948A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN MODULS 未知
公开(公告)号：DE102020132948A1
公开(公告)日：2022-06-15
申请号：DE102020132948
申请日：2020-12-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： HÖFLINGER BENJAMIN , KLEIN MARKUS , KERSCHER STEFAN , BRANDL CHRISTIAN , STIGLER SEBASTIAN , MORITZ MARTIN , ELSSNER MICHAEL
IPC分类号： G05D25/02 , H05B45/10 , H05B45/20
摘要： Es wird ein optoelektronisches Modul (1) angegeben, das ein Steuerelement (10), zumindest einen Temperatursensor (20) und zumindest eine Halbleiteremittereinheit (30) umfasst. Die Halbleiteremittereinheit (30) umfasst zumindest einen ersten und einen zweiten Emitter (301, 302). Der erste Emitter (301) ist zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich eingerichtet. Der zweite Emitter (302) ist zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten Wellenlängenbereich eingerichtet. Das Steuerelement (10) umfasst eine Speichereinheit (101) und jeweils einen Treiberausgang (102) für jeden Emitter (301, 302). Der Temperatursensor (20) ermittelt eine Temperatur. Jedem Emitter (301, 302) ist eine nichtlineare Kennlinie in der Speichereinheit (101) zugeordnet. Das Steuerelement (10) ist dazu eingerichtet, die Emitter (301, 302) mittels jeweils eines Treiberausganges (102) in Abhängigkeit der ermittelten Temperatur und der jeweiligen Kennlinie des Emitters (301, 302) unabhängig voneinander anzusteuern. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls (1) angegeben.

4. 发明专利

DE102018120073B4 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND BLITZLICHT 未知
公开(公告)号：DE102018120073B4
公开(公告)日：2022-06-15
申请号：DE102018120073
申请日：2018-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： FLOCK KLAUS , SCHUMANN MICHAEL , LAUBSCHER MORITZ
IPC分类号： H01L25/075 , C09K11/08 , F21Y105/16 , G03B15/05 , H01L23/60 , H01L33/50 , H01L33/58
摘要： Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einem Träger (2) mit elektrischen Anschlussflächen (22) an einer Trägeroberseite (20), und- mit mindestens vier Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35), die dazu eingerichtet sind, Licht voneinander verschiedener Farben zu emittieren, wobei- die Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) nah beieinander auf den Anschlussflächen (22) angebracht sind, sodass ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips (31, 32, 33, 34, 35) in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen höchstens 100 µm beträgt,- genau einer der Halbleiterchips (31) zur Erzeugung von blauem Licht eingerichtet ist,- genau einer der Halbleiterchips (32) zur Erzeugung von cyan-farbigem Licht eingerichtet ist,- genau einer der Halbleiterchips (33) zur Erzeugung von grünem Licht eingerichtet ist,- genau einer der Halbleiterchips (34) zur Erzeugung von gelb-orangem Licht eingerichtet ist, und- zwei der Halbleiterchips (35) zur Erzeugung von rotem Licht eingerichtet sind, und- die Halbleiterchips (35) in zwei Reihen und in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen hinsichtlich ihrer Emissionseigenschaften möglichst punktsymmetrisch angeordnet sind.

5. 发明专利

DE102012107409B4 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Laserelements 未知
公开(公告)号：DE102012107409B4
公开(公告)日：2022-06-15
申请号：DE102012107409
申请日：2012-08-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： ENZMANN ROLAND , HANEDER STEPHAN , ARZBERGER MARKUS , WALTER CHRISTOPH , SWIETLIK TOMASZ , KÖNIG HARALD , FEHSE ROBIN , KÄMPF MATHIAS , GRAUL MARKUS , HORN MARKUS
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/40
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiter-Laserelementen (1) mit den Schritten:A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1),B) Erzeugen von Sollbruchstellen (25) in dem Trägerverbund (20) zwischen benachbarten Trägern (2),C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen,D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20) derart, dass der Trägerverbund (20) den Laserbarren (30) an einer einer Stirnseite (27) gegenüberliegenden Rückseite (28) des Trägerverbunds (20) überragt, und Trägerverbund (20) an der Rückseite (28) über den Laserbarren (30) übersteht, wobei- die Oberseite (23) senkrecht zu der Stirnseite (27) des Trägerverbunds (20) orientiert ist,- ein den Laserbarren (30) überragender Teilbereich des Trägerverbunds (20) an der Rückseite (28) einen Haltestreifen (8) bildet, und- über den Haltestreifen (8) die benachbarten Träger (2), auch nach dem Erstellen der Sollbruchstellen (25) in dem Trägerverbund (20) oder nach einem mechanischen Separieren der benachbarten Träger (2) unmittelbar voneinander, noch mechanisch gekoppelt sind, undE) Vereinzeln an den Sollbruchstellen (25) entlang einer Mehrzahl von Vereinzelungslinien zu den Halbleiter-Laserelementen (1) nach dem Schritt D), wobei der Haltestreifen (8) im oder nach dem Schritt E) teilweise oder vollständig entfernt wird.

6. 发明专利

DE102009033915B4 Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels und Leuchtmittel 未知
公开(公告)号：DE102009033915B4
公开(公告)日：2022-05-25
申请号：DE102009033915
申请日：2009-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： HAHN BERTHOLD DR , MAUTE MARKUS DR , HERRMANN SIEGFRIED
IPC分类号： H01L25/16 , F21K9/00
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41,42,43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41,42,43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41,42,43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41,42,43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind,- Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist,- Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41,42,43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.

7. 发明专利

DE112016003142B4 Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronische Halbleiterchips 未知
公开(公告)号：DE112016003142B4
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：DE112016003142
申请日：2016-07-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： PERZLMAIER KORBINIAN , HÖPPEL LUTZ
IPC分类号： H01L33/02 , H01L23/60 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44
摘要： Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten:a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (3) umfassend eine erste Halbleiterschicht (3a) und eine zweite Halbleiterschicht (3b), sowie einer ersten Kontaktschicht (5a), die sich lateral entlang der ersten Halbleiterschicht (3a) erstreckt und diese elektrisch kontaktiert;b) Aufbringen einer dritten Halbleiterschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht (5a);c) Ausbilden einer Ausnehmung (8), die sich durch die dritte Halbleiterschicht (7), die erste Kontaktschicht (5a) und die erste Halbleiterschicht (3a) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (3b) hinein erstreckt;d) Aufbringen einer Passivierungsschicht (9) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der dritten Halbleiterschicht (7);e) Ausbilden von wenigstens einer ersten Durchgangsöffnung (9a) und wenigstens einer zweiten Durchgangsöffnung (9b, 9c) in der Passivierungsschicht (9); undf) Aufbringen einer zweiten Kontaktschicht (5b), wobei die zweite Kontaktschicht (5b) die zweite Halbleiterschicht (3b) im Bereich der wenigstens einen ersten Durchgangsöffnung (9a) elektrisch kontaktiert, und die dritte Halbleiterschicht (7) im Bereich der wenigstens einen zweiten Durchgangsöffnung (9b, 9c) elektrisch kontaktiert, wobei- zusätzlich ein Teil der Passivierungsschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht (5a) aufgebracht wird; und- wenigstens eine weitere Durchgangsöffnung (9d) in der Passivierungsschicht (9) ausgebildet wird, so dass die erste Kontaktschicht (5a) die dritte Halbleiterschicht (7) im Bereich der wenigstens einen weiteren Durchgangsöffnung (9d) elektrisch kontaktiert.

8. 发明专利

DE112016001670B8 Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements 未知
公开(公告)号：DE112016001670B8
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：DE112016001670
申请日：2016-04-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： MALM NORWIN VON
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/13 , H01L23/60 , H01L33/38 , H01L33/54

9. 发明专利

DE102020129064A1 ABZIEHVERFAHREN, ABZIEHWERKZEUG UND HALBLEITERBAUTEIL 未知
公开(公告)号：DE102020129064A1
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：DE102020129064
申请日：2020-11-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： ZITZLSPERGER MICHAEL
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58
摘要： In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zum Abziehen einer Schutzfolie (2) von einem Halbleiterbauteil (1), wie einer Leuchtdiode, und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen des Halbleiterbauteils (1) mit der Schutzfolie (2) an einer Bauteiloberseite (10), undB) Entfernen der Schutzfolie (2) mit einem Abziehwerkzeug (4), das eine Abziehöffnung (44) aufweist,wobei die Schutzfolie (2) im Schritt A) an einer Längsseite (11), in Verlängerung der Bauteiloberseite (10) gesehen, über die Bauteiloberseite (10) übersteht, undwobei der Schritt B) die folgenden Teilschritte umfasst:B1) Führen des Abziehwerkzeugs (4) neben dem Halbleiterbauteil (1) an der Längsseite (11) an der Schutzfolie (2) schleifend entlang, sodass die Schutzfolie (2) vom Abziehwerkzeug (4) in Richtung hin zu einer Seitenfläche (12) des Halbleiterbauteils (1) umgebogen wird,undB2) Zurückziehen des Abziehwerkzeugs (4), sodass sich die Schutzfolie (2) in der Abziehöffnung (44) verfängt und die Schutzfolie (2) von der Bauteiloberseite (10) abgelöst wird

10. 发明专利

DE102020127450A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 未知
公开(公告)号：DE102020127450A1
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：DE102020127450
申请日：2020-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GES MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG
发明人： SORG JÖRG ERICH
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/64 , H01S5/02
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben mit- einem Halbleiterchip (2), aufweisend,- eine Auskoppelfacette (3), die im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung emittiert,- einer funktionellen Schicht (4), wobei die Auskoppelfacette (3) von der funktionellen Schicht (4) zumindest stellenweise bedeckt ist, und- die funktionelle Schicht (4) eine katalytische Schicht ist.Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

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