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    • 9. 发明专利
    • 半導体パターン測長処理装置
    • JP2020150107A
    • 2020-09-17
    • JP2019045608
    • 2019-03-13
    • TASMIT株式会社
    • 米谷 秀嗣芳賀 継彦
    • G01B15/00H01L21/66
    • 【課題】画像を解析する範囲が少なくて済み、少ない作業時間で効率よく測長を行うことができることが可能な半導体パターン測長処理システムを提供する。 【解決手段】走査型電子顕微鏡からなる画像生成装置600を使用して、繰り返しパターンと個別パターンとからなる測長対象パターンが形成された半導体ウェーハの表面を測長する半導体パターン測長処理システム1であって、走査型電子顕微鏡からなる画像生成装置600によって生成された半導体ウェーハの画像を画像データとして読み込むSEM画像読込部110と、繰り返しパターンと個別パターンとを識別するために予め定められた検出ルールを読み込む検出ルール読込部120と、検出ルールを用いて画像データから抽出された繰り返しパターンを測長する繰り返しパターン測長部130と、検出ルールを用いて画像データから抽出された個別パターンを測長する個別パターン測長部150と、を備える。 【選択図】図1