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1. 发明专利

JP2021520622A 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021520622A
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：JP2019519434
申请日：2018-11-30
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐藤弘樹 , 玉置洋正 , 菅野勉
IPC分类号： H01L35/14
摘要：【課題】クラスレート化合物において、P型でかつ高い熱電変換性能指数ZTを示す、新規な熱電変換材料を提供する。【解決手段】化学式Ba 8+a Cu 6−b Ge 40+b で表される熱電変換材料であって、aの値は0.1以上0.47以下であり、bの値は0以上0.43以下であり、熱電変換材料は、クラスレート型の結晶構造を有し、かつ熱電変換材料は、P型である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018190953A ジントル相熱電変換材料审中-公开
公开(公告)号：JP2018190953A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017219215
申请日：2017-11-14
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：菅野勉 , 玉置洋正 , 佐藤弘樹
IPC分类号： C04B35/547 , H01L35/16
CPC分类号： H01L35/16 , C04B35/547 , C04B2235/666 , C04B2235/786
摘要：【課題】200℃付近で性能の高い熱電変換材料を提供する。【解決手段】化学式Mg 3+m−a A a B 2−c−e C c E e により表される熱電変換材料であって、元素Aは、Ca、Sr、Ba、Nb、Zn、およびAlからなる群から選択される少なくとも1種を表し、元素Bは、SbおよびBiからなる群から選択される少なくとも1種を表し、元素Cは、Mn、SiおよびCrからなる群から選択される少なくとも1種を表し、元素Eは、SeおよびTeからなる群から選択される少なくとも1種を表し、mの値は−0.1以上0.4以下であり、aの値は0以上0.1以下であり、cの値は0以上0.1以下であり、eの値は、0.001以上0.06以下であり、La 2 O 3 型の結晶構造を有し、平均グレインサイズは3μm以上70μm以下である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6089347B2 チューブ状熱発電デバイス有权
标题翻译：管状热电装置
公开(公告)号：JP6089347B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2015054584
申请日：2015-03-18
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：酒井章裕 , 菅野勉 , 高橋宏平 , 玉置洋正 , 草田英夫 , 山田由佳
IPC分类号： H02N11/00
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/34

4. 发明专利

JPWO2020021783A1 熱電変換材料および熱電変換材料を用いて電力を得る方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020021783A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2019015881
申请日：2019-04-12
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：玉置洋正 , 菅野勉 , 佐藤弘樹
IPC分类号： H01L35/18
摘要：本開示による熱電変換材料は、化学式Li 3-a Bi 1-b Ge b により表される組成を有する。ここで、aおよびbの値の範囲は:0≦a≦0.0003、かつ−a+0.0003≦b≦0.108;0.0003≦a≦0.003、かつ0≦b≦0.108;または0.003≦a≦0.085、かつ0≦b≦exp[−0.157×(ln(a)) 2 −2.22×ln(a)−9.81]であり、前記熱電変換材料はBiF 3 型の結晶構造を有し、かつ前記熱電変換材料はp型の極性を有する。

5. 发明专利

JPWO2019225036A1 熱電変換モジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019225036A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2018044177
申请日：2018-11-30
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐藤弘樹 , 菅野勉 , 玉置洋正 , 金子由利子 , 上原美穂
IPC分类号： H01L35/16 , H02N11/00 , H01L35/32
摘要：熱電変換モジュール(100)は、基板(10H)、基板上に設けられた、電気的に直列接続された複数の熱電変換素子対(20)、電力の入力又は出力を行うための一対の外部端子(40)、低融点導体(60)を具備し、低融点導体はp型熱電変換素子(21P)又はn型熱電変換素子(20N)の耐熱温度と略等しい融点を有し、一対の外部端子の一方はp型熱電変換素子に接続する第1接続部(42)を有し、一対の外部端子の他方はn型熱電変換素子に接続する第2接続部(43)を有し、第1接続部、第2接続部、及び低融点導体は基板の内側領域(51)に位置し、低融点導体の少なくとも一部は一対の外部端子の間に位置し、低融点導体は一対の外部端子の少なくとも一方とは電気的に絶縁されることにより、複数の熱電変換モジュールのうちの一部が高温に晒されて故障した場合でも、熱発電システムの継続利用できる熱電変換モジュールを提供する。

6. 发明专利

JP2019207983A 熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019207983A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2018103785
申请日：2018-05-30
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：菅野勉 , 玉置洋正 , 佐藤弘樹
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/22 , C22C12/00 , B82Y30/00 , C01B33/06 , H01L35/26
摘要：【課題】従来よりも低い熱伝導率を有しうるMg 3 (Sb,Bi) 2 系熱電変換材料を提供する。【解決手段】本開示の熱電変換材料は、複数の結晶粒から構成される多結晶体であり、各々の結晶粒はLa 2 O 3 型の結晶構造を有し、少なくとも1つの結晶粒はナノ粒子及び/又はナノ空孔を含有し、ナノ粒子及びナノ空孔は200nm以下のサイズを有し、熱電変換材料は、式Mg 3+m-a A a B 2-c-e C c E e により表される組成を有する。Aは、Ca、Sr、Ba、Nb、Zn、Yb及びAlから選ばれる少なくとも1種であり、Bは、Sb及び/又はBiであり、Cは、Mn、Si及びCrから選ばれる少なくとも1種であり、Eは、Se及び/又はTeであり、mは−0.1以上0.4以下であり、aは0以上0.1以下であり、cは0以上0.1以下であり、eは0.001以上0.06以下である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015195711A チューブ状熱発電デバイス有权
标题翻译：管形热电发生器件
公开(公告)号：JP2015195711A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015054584
申请日：2015-03-18
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：酒井章裕 , 菅野勉 , 高橋宏平 , 玉置洋正 , 草田英夫 , 山田由佳
IPC分类号： H02N11/00
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/34
摘要：【課題】より高い発電効率を有するチューブ状熱発電デバイスを提供すること。【解決手段】本発明によるチューブ状熱発電デバイス100は、p型熱電部材31、n型熱電部材32、外側電極35、及び内側電極34を具備する。p型熱電部材およびn型熱電部材は互い違いに配置される。各外側電極は、互いに隣接するp型・n型熱電部材の外周面に接する。各内側電極は、互いに隣接するp型・n型熱電部材の内周面に接する。各外側電極は、p型熱電部材の外周面から内周面に向かう方向に伸び出た内側フランジを有する。各内側フランジは、互いに隣接するp型・n型熱電部材の間に挟まれている。各内側フランジは導電体から形成され、第1絶縁膜331が内側フランジおよびp型熱電部材の間に挟まれている。第2絶縁膜332が、内側フランジおよび前記n型熱電部材の間に挟まれている。各内側電極も同様である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有较高发电效率的管状热电发电装置。解决方案：管状热电发生装置100具有p型热电元件31，n型热电元件32，外电极35和内部电极34. p型热电元件和n型热电元件交替布置。每个外电极连接到相邻的p型和n型热电元件的外周表面。每个内部电极连接到相邻的p型和n型热电元件的内周表面。每个外电极具有沿从p型热电元件的外周表面到其内周表面的方向延伸的内凸缘。每个内凸缘夹在相邻的p型和n型热电元件之间。每个内凸缘由导体材料形成，第一绝缘膜331夹在内凸缘和p型热电元件之间。第二绝缘膜332夹在内凸缘和n型热电元件之间。对于每个内部电极也是一样的。

8. 发明专利

JPWO2020079873A1 熱電変換材料および熱電変換材料を用いて電力を得る方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020079873A1
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2019015883
申请日：2019-04-12
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：玉置洋正 , 菅野勉 , 佐藤弘樹
IPC分类号： C01B33/00 , H01L35/18
摘要：本開示による熱電変換材料は、化学式Li 3-a Bi 1-b Si b により表される組成を有する。ここで、aおよびbの値の範囲は:0≦a≦0.0001、かつ−a+0.0003≦b≦0.023;0.0001≦a 2 −1.03×ln(a)−9.51];または0.0003≦a≦0.085、かつ0

2−1.03×ln(a)−9.51]であり、前記熱電変換材料はBiF
3 型の結晶構造を有し、かつ前記熱電変換材料はp型の極性を有する。

9. 发明专利

JPWO2020031671A1 材料記述子生成方法、材料記述子生成装置、材料記述子生成プログラム、予測モデル構築方法、予測モデル構築装置及び予測モデル構築プログラム审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020031671A1
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：JP2019028602
申请日：2019-07-22
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：羽川令子 , 森川幸治 , 玉置洋正
IPC分类号： G16C20/30 , G16C60/00
摘要：材料の組成式を取得するステップ(S301)と、前記組成式から、母物質を示す式と、前記母物質に添加される1または複数の添加物を示す1または複数の式を含む添加物リストとを生成するステップ(S302)と、前記母物質を示す式及び前記添加物リストに対応する、前記材料の所定の特性値の予測に必要な複数の記述子を算出するステップ(S304)と、前記複数の記述子を統合した材料記述子を出力するステップ(S305)とを含み、前記材料記述子は、前記材料の前記所定の特性値を予測する予測モデルに入力される、材料記述子生成方法。

10. 发明专利

JP6127281B1 熱電変換材料有权
公开(公告)号：JP6127281B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2016540073
申请日：2016-02-17
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：玉置洋正 , 菅野勉 , 佐藤弘樹 , 酒井章裕 , 高橋宏平
IPC分类号： C22C12/00 , C22C30/00 , C22C30/06 , H02N3/00 , H01L35/16
CPC分类号： C01B19/002 , C01B19/007 , C22C23/00 , H01L35/16 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C22C12/00
摘要：本発明は、Mg 3+m A a B b D 2−e E e により表される熱電変換材料を提供する。ここで、元素Aは、Ca、Sr、Ba、およびYbからなる群から選択される少なくとも1種を表し、元素Bは、MnおよびZnからなる群から選択される少なくとも1種を表し、mの値は−0.39以上0.42以下であり、aの値は0以上0.12以下であり、bの値は0以上0.48以下であり、元素Dは、SbおよびBiからなる群から選択される少なくとも1種を表し、元素Eは、SeおよびTeからなる群から選択される少なくとも1種を表し、eの値は、0.001以上0.06以下であり、前記熱電変換材料は、La 2 O 3 型の結晶構造を有し、かつ前記熱電変換材料は、n型である。

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