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    • 1. 发明专利
    • 温度センサのためのナノ磁性多層膜とその製造方法
    • 纳米磁性多层膜和用于温度传感器及其制造方法
    • JP2016541112A
    • 2016-12-28
    • JP2016526771
    • 2014-01-23
    • 中国科学院物理研究所
    • 秀峰 ▲韓▼秀峰 ▲韓▼忠▲輝▼ 袁忠▲輝▼ 袁▲ぱん▼ ▲劉▼▲ぱん▼ ▲劉▼国▲強▼ 于国▲強▼ 于家峰 ▲豊▼家峰 ▲豊▼殿琳 ▲張▼殿琳 ▲張▼
    • H01L43/08G01K7/36H01L43/12
    • H01L43/08G01K7/36G01K7/38H01F10/3272H01L43/02H01L43/12
    • 温度センサのための面内ナノ磁性多層膜とその製造方法。多層フィルムは、3つのタイプに分類される。第1のタイプの構造は、基板(1)、底部層(2)、底部磁性複合材料層(3)、中間バリア層(4)、上部磁性複合材料層(5)及びキャップ層(6)を下から上の順序で含む。第1のタイプにおいて、上部磁性複合層(5)と底部磁性複合層(3)は、直接ピニング構造又は間接ピニング構造を採用する。第2のタイプは、基板、底部層、底部ピニング層、中間バリア層、上部ピニング層、及びキャップ層を下から上の順序で、含む。第2のタイプにおいて、上部ピニング層及び底部ピニング層は、直接ピニング構造又は間接ピニング構造を採用する。磁性ナノ多層膜構造の第3のタイプは、基板、底部層、底部磁性多層膜、底部磁性層、中間バリア層、上部磁性膜、上部磁性多層膜及びキャップ層を下から上の順序で含む。第3のタイプにおいて、磁性多層膜の磁気モーメントは、膜面に垂直であり、底部多層膜と上部多層膜の保磁力が異なり、2つの強磁性層、すなわち上部強磁性層及び底部強磁性層の磁気モーメントは、アニーリングを介して反平行配置にある。
    • 平面纳米磁性多层膜和用于温度传感器及其制造方法。 所述多层膜可分为三种类型。 第一种类型的结构中,在基板(1),底层(2),底部磁性复合材料层(3),中间层(4),上部磁性复合材料层(5)和所述覆盖层(6) 包括在从底部顺序到顶部。 在第一种类型中,上部磁性复合层(5)和底磁性复合层(3)采用直接钉扎结构或间接钉扎结构。 第二种类型,一基板,一底层,底钉扎层,中间势垒层,上钉扎层,并从底部,包括上帽层的顺序。 在第二种类型中,上钉扎层和钉扎底部层采用直接钉扎结构或间接钉扎结构。 第三种类型的磁性纳米多层膜结构的包括基板,底层,底磁性多层膜,底磁性层,中间势垒层,上磁膜,在上部磁性多层膜,并从底部的帽层之上的顺序。 在第三类型中,磁性多层膜的磁矩是垂直于膜平面的,不像底部多层膜的矫顽力和两个铁磁层的上部多层膜,即上侧强磁性层和底部铁磁层 磁矩通过退火反平行地布置。