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1. 发明公开

CN117645473A 一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645473A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509782.7
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/465 , C04B35/622
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法，包括如下步骤：S1.将陶瓷材料原料球磨；S2.将步骤S1球磨后的原料先烘干，然后粉碎过筛；3.将步骤S2过筛后的粉料进行预烧；S4.将预烧后的粉料掺杂后进行二次球磨；S5.将步骤S4球磨后的粉料烘干，然后粉碎过筛；S6.将步骤S5过筛后的粉料进行研磨造粒，再压制成型，烧结后制得微波介质陶瓷。本发明的高抗弯强度陶瓷粉体抗弯强度可以达到885MPa，同时断裂韧性8.56MPa·m1/2。

2. 发明公开

CN112807466A 一种消杀气体生成装置及消杀方法审中-实审
公开(公告)号：CN112807466A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110203484.X
申请日：2021-02-24
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：唐昶宇 , 罗晓阳 , 刘颖彘 , 邵虹 , 刘彤 , 陈勇前 , 胡丹
IPC分类号： A61L2/22 , A61L2/26 , A61L2/10 , A61L101/10
摘要：本发明涉及消毒消杀技术领域，具体涉及一种消杀气体生成装置及消杀方法，包括羟基自由基生成部、混合部和增强部，所述羟基自由基生成部内产生的羟基自由基雾气进入到混合部后与臭氧混合，所述混合部与增强部连通，使混合后的雾气再进入增强部，所述增强部内设置有用于激发和/或降解臭氧的紫外光灯。目的在于通过将产生的羟基自由基和臭氧进行混合，形成具有强氧化性混合消毒雾气，能够满足各种消毒消杀需求；且臭氧分解后，产生水和氧气，对周围的空气不会造成二次污染。

3. 发明公开

CN117645476A 一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645476A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509377.5
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg1‑xZrO3‑CaZrO3。改进制备工艺，通过添加烧结助剂和使用微波烧结，提高陶瓷的致密性，使基体的气孔减少、晶粒尺寸分布更均匀，从而提高微波介质陶瓷的品质因数。

4. 发明公开

CN117645478A 一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645478A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311510050.X
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为Mg0.9Ca0.1ZrO3，烧结助剂为ZnO和V2O5。本发明开发了MgZrO3‑CaZrO3系微波介质陶瓷，并通过引入ZnO和V2O5辅助烧结，使新的材料体系使陶瓷粉体的良品率大于90％，提高生产速率，降低生产成本。

5. 发明公开

CN117645477A 一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645477A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311510048.2
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法，包括如下步骤：S1.将MgO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级MgZrO3粉体；S2.将CaO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级CaZrO3粉体；S3.将一级MgZrO3粉体和一级CaZrO3粉体混合并进行二级球磨，二级球磨后干燥过筛，烧结后得到中介电常数陶瓷粉体。本发明根据元素本征特性关系，探索出具有良好介电性能的新型微波介质陶瓷材料新体系。

6. 发明公开

CN117360827A 一种氢能驱动的长航时无人飞行器审中-实审
公开(公告)号：CN117360827A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311470322.8
申请日：2023-11-06
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：罗德礼 , 刘彤
IPC分类号： B64U50/32 , B64U20/70 , B64C1/00 , B64D27/35 , B64D27/32 , B64D27/34 , B64D27/355 , B64D27/40 , B64U101/20 , B64U101/35
摘要：本发明涉及飞行器技术领域，具体公开了一种氢能驱动的长航时无人飞行器，包括机翼、设置在机翼底部且沿航向对称设置的两组设备舱、位于两组设备舱之间且作为储氢压力容器的飞行舱、设置在其中一组设备舱内且与储氢压力容器连接的氢能供能系统和与氢能供能系统连接的制氧系统、以及设置在另外一组设备舱内的飞行机载系统和设备舱压力调控系统。本发明储存氢量更大，储氢比容量更大，可满足长航时无人飞行器对氢燃料加载量的要求；储氢压力容器在空气中会提供额外的浮力，有助于无人飞行器的平稳降落；通过设备舱压力调控系统，实现设备舱内部压力调节，以维持设备舱的刚性，提升了飞行机载系统在临近空间的低温环境适应性。

7. 发明公开

CN117645482A 一种高介电性能陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645482A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311509848.2
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高介电性能陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg1‑xTiO3‑CoyCa1‑yZrO3。本发明通过Zn掺杂取代MgTiO3中的Mg，Co掺杂取代CaZrO3中的Ca，提升其烧结性能、改善介电性能，制备出高介电性能微波介质陶瓷粉。

8. 发明公开

CN117645479A 一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117645479A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311510125.4
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种低烧结温度陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg0.95‑xCa0.05ZrO3。本发明用Zn替换MgZrO3中的Mg，提高其烧结性能，降低烧结温度，并得到了一种新的材料体系。

9. 发明授权

CN116477941B 一种人工玉陶及其制备方法有权
公开(公告)号：CN116477941B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310420438.4
申请日：2023-04-19
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：崔旭东 , 刘彤 , 刘显波 , 王正上 , 李寅川 , 刘龙波
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/638
摘要：本发明提供一种人工玉陶及其制备方法，属于人工玉陶技术领域，以重量份计包括ZrO2 70‑85份，Y2O3 10‑17份，TiO2 2‑7份，ZnO 1‑5份，MgO0.2‑0.7份，La2O3 0.2‑0.7份，CaO 0.2‑0.7份，PVA 1‑1.5份，CMC 0.5‑1.2份，聚丙烯酸钠1‑3份。通过配方设计优化，使产品多晶结构细密、无裂纹，提升产品的硬度和透明度，获得玉质感和品质更高的人工玉陶。(56)对比文件CN 109734303 A,2019.05.10CN 109956747 A,2019.07.02CN 110436921 A,2019.11.12CN 113480309 A,2021.10.08CN 114133242 A,2022.03.04CN 114144389 A,2022.03.04CN 114573340 A,2022.06.03CN 114656260 A,2022.06.24CN 114787102 A,2022.07.22EP 3339262 A1,2018.06.27JP 2004059374 A,2004.02.26JP 2012096977 A,2012.05.24JP 2014218421 A,2014.11.20JP H0380153 A,1991.04.04US 2016081777 A1,2016.03.24US 2020062653 A1,2020.02.27US 2021403387 A1,2021.12.30US 2022135486 A1,2022.05.05US 4915625 A,1990.04.10US 6893993 B1,2005.05.17WO 2013105064 A1,2013.07.18杨新民.二氧化锆合成宝石产业现状和发展.稀有金属快报.2007,(第01期),全文.黄勇,何锦涛,马天.氧化锆陶瓷的制备及其应用.稀有金属快报.2004,(第06期),全文.任永国;刘自强;杨凯;周焕忠;顾幸勇.氧化锆材料种类及应用.中国陶瓷.2008,(第04期),全文.吴萧龙等.高密度无色合成立方氧化锆的宝石学特征及密度成因《.宝石和宝石学杂志（中英文）》.2023,第25卷(第3期),全文.何雪梅等.立方氧化锆宝石研究《.矿物岩石地球化学通报》.1989,(第3期),全文.王继尧;穆洪运;谭书禹;李征鹏;郝明阳.一种快速无损鉴定合成立方氧化锆的方法.中国宝玉石.2019,(第06期),全文.张志祥;斯琴高娃;翁根花;李伟;哈斯.浅谈人工宝石.西部资源.2013,(第05期),全文.刘强;杨秋红;赵广根;陆神州;张浩佳.二氧化钛含量对铈稳定立方氧化锆陶瓷的性能影响.无机化学学报.2013,(第04期),全文.李祯;岳建设;李尔波;杨得草.常压烧结致密氧化锆陶瓷.咸阳师范学院学报.2018,(第06期),全文.

10. 发明公开

CN117497991A 一种微波介质陶瓷滤波器干压成型方法审中-实审
公开(公告)号：CN117497991A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311509845.9
申请日：2023-11-14
申请人：中物院成都科学技术发展中心
发明人：刘显波 , 刘彤 , 李寅川 , 李绍敏 , 王正上 , 崔旭东
IPC分类号： H01P11/00 , H01P1/20
摘要：本发明涉及高性能陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷滤波器干压成型方法，包括如下步骤：步骤一：将CZT粉体和有机载体混合均匀，通过喷雾造粒后获得造粒粉料；其中，CZT粉体为CaO、ZrO2和TiO2混合形成；步骤二：将造粒粉料干压成型，得到坯体；步骤三：对坯体进行烧结得到陶瓷滤波器主体。通过干压成型避免二次加工，提升了生产效率，降低了生产成本，提升了微波介质陶瓷的介电性能。

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