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1. 发明专利

JP2015531550A 太陽電池及びその製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造的方法
公开(公告)号：JP2015531550A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2015535954
申请日：2012-10-26
申请人：友達光電股▲ふん▼有限公司AU Optronics Corporation , 友達光電股▲ふん▼有限公司AU Optronics Corporation
发明人： ▲ペン▼ 陳 , ▲ペン▼ 陳 , 碩▲ウェイ▼ 梁 , 碩▲ウェイ▼ 梁
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】光電変換効率を高める太陽電池及びその製造方法の提供。【解決手段】本発明に係る太陽電池は、半導体基体の第1表面に設けられるドーピング層と、半導体基体の第2表面の第1領域に設けられるドープトポリシリコン層と、半導体基体の第2表面の第2領域に設けられるドーピング領域と、ドープトポリシリコン層及びドーピング領域の表面を覆う絶縁層とを含む。絶縁層により、ドープトポリシリコン層の一部及びドーピング領域の一部が露出される。これにより、ドープトポリシリコン層とドーピング領域とは、絶縁層の開口を介して第1電極と第2電極とにそれぞれ接続される。半導体基体及びドーピング層は、第1ドーピングタイプを有する。ドープトポリシリコン層またはドーピング領域の一方は第2ドーピングタイプを有し、その他方は第1ドーピングタイプを有し、且つ、第2ドーピングタイプは第1ドーピングタイプと逆である。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供一种太阳能电池及其制造方法提高光电转换效率。根据本发明，设置在半导体基板;设置在所述半导体衬底的所述第二表面的所述第一区域的掺杂的多晶硅层，所述第二半导体本体的第一表面上的掺杂层的太阳能电池包括设置在所述表面的第二区中的掺杂区，并覆盖所述掺杂的多晶硅层的表面上的绝缘层和掺杂区。所述绝缘层，所述部分和掺杂区掺杂多晶硅层的一部分被暴露。因此，掺杂多晶硅层和所述掺杂区域被连接到所述第一电极和通过绝缘层中的开口的第二电极。在半导体本体和掺杂层具有第一掺杂类型。一掺杂的多晶硅层或具有第二掺杂类型的掺杂区域，其中其它的具有第一掺杂类型，并且所述第二掺杂类型的掺杂是类型相反的第一。点域1

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