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1. 发明专利

JP2017017118A 磁気抵抗素子及び電子デバイス审中-公开
标题翻译：磁阻元件和电子设备
公开(公告)号：JP2017017118A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015130598
申请日：2015-06-30
申请人：学校法人龍谷大学 , 友達光電股▲ふん▼有限公司 , AU Optronics Corporation
发明人：木村睦 , 松本貴明 , 宮村祥吾 , 小澤徳郎 , 郭志徹 , 青木幸司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G01R33/09 , H01L43/08
摘要：【課題】絶縁体上に磁気抵抗層を形成する磁気抵抗素子であって、磁気感度の高いものを提供する。【解決手段】この磁気抵抗素子1は、第1の電極2と、第2の電極3と、第1の電極2と第2の電極3の間に電圧が印加されると電流が流れ、磁場の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗層4と、を備えてなるものにおいて、磁気抵抗層4は、アモルファスIGZOの薄膜のパターニングによって形成されている。第1の電極2及び第2の電極3がともに、1つの溝状の層間絶縁膜除去部において磁気抵抗層4に接触するようにもできる。【選択図】図1
摘要翻译：公开了一种磁致电阻元件形成磁致电阻层上的绝缘体，以提供什么高磁敏感度。一种磁电阻器件1包括第一电极2以及第二电极3，当电流在第一电极2和第二电极3，磁场之间施加电压而流磁阻层4，其电阻值发生变化，根据该取得的强度包括磁阻层4通过图案化的无定形IGZO的薄膜形成。第一电极2和第二电极3都是也与在一个凹槽形状的层间绝缘膜去除单元的磁阻效应层4接触。点域1

2. 发明专利

JP6488202B2 磁気抵抗素子及び電子デバイス有权
公开(公告)号：JP6488202B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2015130598
申请日：2015-06-30
申请人：学校法人龍谷大学 , 友達光電股▲ふん▼有限公司 , AU Optronics Corporation
发明人：木村睦 , 松本貴明 , 宮村祥吾 , 小澤徳郎 , 郭志徹 , 青木幸司
IPC分类号： H01L43/08

3. 发明专利

JP5968372B2 磁場センサー有权
标题翻译：磁场传感器
公开(公告)号：JP5968372B2
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：JP2014147074
申请日：2014-07-17
申请人：学校法人龍谷大学 , 友達光電股▲ふん▼有限公司 , AU Optronics Corporation
发明人：木村睦 , 松本貴明 , 吉川朗登 , 小澤徳郎 , 郭志徹 , 青木幸司
IPC分类号： G01D5/14 , G01R33/07 , H01L43/06
CPC分类号： G01R33/066

4. 发明专利

JP2016025158A 磁場センサー有权
标题翻译：磁场传感器
公开(公告)号：JP2016025158A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014147074
申请日：2014-07-17
申请人：学校法人龍谷大学 , 友達光電股▲ふん▼有限公司 , AU Optronics Corporation
发明人：木村睦 , 松本貴明 , 吉川朗登 , 小澤徳郎 , 郭志徹 , 青木幸司
IPC分类号： G01D5/14 , G01R33/07 , H01L43/06
CPC分类号： G01R33/066
摘要：【課題】半導体薄膜を用いた電界効果トランジスタの構造の磁場センサーにおいて感度を適切に制御できる磁場センサーを提供する。【解決手段】この磁場センサー1は、半導体薄膜2、ドレイン電極3、ソース電極4、ゲート電極5、第1ホール電極6、及び第2ホール電極7を備えてなり、ドレイン電極3に印加されるドレイン電圧及びゲート電極5に印加されるゲート電圧Vgsに応じてドレイン電極3とソース電極4の間に半導体薄膜2のチャネル領域20を通ってドレイン・ソース間電流が流れ、該ドレイン・ソース間電流及びチャネル領域20に存在する磁場に応じて第1ホール電極6と第2ホール電極7の間にホール電圧が発生し得る磁場センサーであって、ゲート電極5には、許容最低ゲート電圧値V 0 よりも低い低電圧範囲R 0 は使用不可として印加されず、許容最低ゲート電圧値V 0 以上のゲート電圧Vgsが印加されるようにしてなる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有通过使用可以适当控制灵敏度的半导体薄膜布置的场效应晶体管结构的磁场传感器。解决方案：磁场传感器1包括：半导体薄膜2 ; 漏电极3; 源电极4; 栅电极5; 第一孔电极6; 和第二空穴电极7.在磁场传感器中，根据施加到漏电极的漏极电压，使漏源电流流过漏电极3和源极电极4之间的半导体薄膜2的沟道区域20 漏电极3和施加到栅电极的栅极电压Vgs; 并且可以根据漏源电流在第一孔电极6和第二空穴电极7之间产生空穴电压，以及存在于沟道区域20中的磁场。在磁场传感器中，低电压范围由于不允许使用这样的电压，Rbelow允许的最小栅极电压值Vis不施加到栅电极5; 以及栅极电压Vgs等于或大于施加到栅电极5的容许最小栅极电压值Vis。图示：图1

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