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1. 发明专利

JP2021028581A 熱伝導性の推定装置、熱伝導性の推定方法、及び熱伝導性の推定プログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2021028581A
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：JP2019147205
申请日：2019-08-09
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： G01N25/18
摘要：【課題】少ない計算機資源及び計算時間で、化合物構造体の熱伝導性を推定することができる熱伝導性の推定装置などの提供。【解決手段】2種類以上の元素を含む積層構造化合物構造体の熱伝導性を推定する熱伝導性の推定装置であって、2種類以上の元素の比率が互いに異なる複数の化合物構造体のそれぞれの熱伝導率の計算値と、フォノン振動モードの空間的な局在性を表す指標であるP λ 値であって複数の化合物構造体のそれぞれについての基準振動解析により算出されたP λ 値から熱伝導方向及び振動数領域を限定して特定されるP α,λ 値の平均値、及び複数の化合物構造体のそれぞれの積層構造の構造的特徴を説明変数とする関数である目的変数と、を用いて、計算値と目的変数との相関を特定する相関算出部と、推定対象の化合物構造体について目的変数を特定し、特定された目的変数を相関に当てはめて、推定対象の化合物構造体の熱伝導性を推定する。【選択図】図5

2. 发明专利

JP2021060714A 次数変換装置、次数変換方法、および次数変換プログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2021060714A
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2019183619
申请日：2019-10-04
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： G06N99/00
摘要：【課題】高次項の二次項への変換による使用ビット数の増加を抑止する。【解決手段】次数変換装置10は、以下の選択処理と変換処理とまとめ処理とを、繰り返し実行する。選択処理は、イジングモデルのエネルギーを表したハミルトニアン11aに含まれる複数の項から、所定数以上の次数の項を変換対象項として選択する処理である。変換処理は、ハミルトニアン11a内の変換対象項を、変換対象項より低い次数の項に変換する処理である。まとめ処理は、変換後のハミルトニアン11aに含まれる同類項どうしを加算して1つの項とする処理である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015220249A 量子ドットアレイの製造装置及び製造方法有权
标题翻译：量子阵列的制造装置和方法
公开(公告)号：JP2015220249A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100512
申请日：2014-05-14
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： C23C16/52 , H01L31/0352 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L29/06
摘要：【課題】所望の直径及び間隔の量子ドットを安定して形成することができる量子ドットアレイの製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】複数の量子ドットが配列した量子ドット層を含む量子ドットアレイを製造する装置に、所定の関係式を記憶した記憶手段101と、量子ドット層内での量子ドットの直径及び間隔を取得する取得手段102と、前記関係式に基づき、取得手段102により取得された直径及び間隔からシリコン化合物膜の組成及び熱処理の条件を計算する計算手段103と、計算手段103により計算された組成を備えたシリコン化合物膜を、取得手段102により取得された前記直径と等しい厚さで形成するプラズマ化学気相成長装置104と、計算手段103により計算された前記熱処理の条件で、プラズマ化学気相成長装置104により形成されたシリコン化合物膜の熱処理を行う熱処理装置105と、が含まれている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以期望的间隔稳定地形成具有期望直径的量子点的量子点阵列制造装置和方法。解决方案：一种用于制造包含量子点层的量子点阵列的装置，其中多个量子点具有：存储装置101，用于存储预定的关系式; 用于获取量子点层中的量子点的直径和间隔的获取装置102; 计算装置103，用于根据关系式从获取装置102获取的直径和间隔计算硅化合物膜的组成和热处理条件; 等离子体化学气相生长装置104，用于形成具有由计算装置103计算的组成的硅化合物膜，使得硅化合物膜具有等于由获取装置102获取的直径的厚度; 以及用于在由计算装置103计算的热处理条件下对由等离子体化学气相生长装置104形成的硅化合物膜进行热处理的热处理装置105。

4. 发明专利

JP6770236B2 熱伝導性の推定方法、熱伝導性の推定装置、及びプログラム有权
公开(公告)号：JP6770236B2
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：JP2017031669
申请日：2017-02-23
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： G01N25/18

5. 发明专利

JP2017107932A 熱電変換素子及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017107932A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015239255
申请日：2015-12-08
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/14 , H01L35/34 , C23C14/14 , C23C16/24 , H01L35/26
摘要：【課題】環境負荷が小さく、低コスト化が可能な熱電変換素子を実現する。【解決手段】熱電変換素子を、フォノンの平均自由行程よりも小さく、かつ、キャリアの平均自由行程よりも大きいサイズのシリコンドット6を備えるものとする。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6127626B2 量子ドットアレイデバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6127626B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013058137
申请日：2013-03-21
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： H01L31/0352
CPC分类号： Y02E10/50

7. 发明专利

JP6031918B2 分子動力学計算装置及び方法有权
标题翻译： MD模拟装置和方法
公开(公告)号：JP6031918B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2012214834
申请日：2012-09-27
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦 , 山崎隆浩
IPC分类号： G06F19/00

8. 发明专利

JP6730597B2 熱電変換材料及び熱電変換装置有权
公开(公告)号：JP6730597B2
公开(公告)日：2020-07-29
申请号：JP2016137765
申请日：2016-07-12
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/14 , H01L35/26

9. 发明专利

JP6638269B2 ナノ構造素子及びその製造方法、並びに熱電変換装置有权
公开(公告)号：JP6638269B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2015178720
申请日：2015-09-10
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦
IPC分类号： H01L35/34 , H01L29/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L35/14 , H01L35/26

10. 发明专利

JP6604032B2 評価支援装置、評価支援プログラム及び評価支援システム有权
公开(公告)号：JP6604032B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2015099262
申请日：2015-05-14
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋憲彦 , 鈴木邦広
IPC分类号： G06Q10/04 , G06Q50/20

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