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2. 发明专利

JPWO2019189498A1 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019189498A1
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2019013419
申请日：2019-03-27
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 桐ヶ谷国廣 , 向垣内康平 , 柳田美香 , 山口佳歩
IPC分类号： H01L33/50 , G02F1/13357 , F21S2/00 , F21Y115/10 , G02B5/20
摘要：量子ドット蛍光体を含み、アルキレンオキシ構造を有する硬化物を備える、波長変換部材。

3. 发明专利

JPWO2019189497A1 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019189497A1
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2019013418
申请日：2019-03-27
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 向垣内康平 , 桐ヶ谷国廣 , 柳田美香 , 山口佳歩
IPC分类号： G02F1/13357 , F21S2/00 , F21V5/00 , F21V5/10 , F21Y115/10 , F21Y115/30 , G02B5/20
摘要：量子ドット蛍光体を含み、動的粘弾性測定により測定されたガラス転移温度が5℃〜65℃である硬化物を有する、波長変換部材。

4. 发明专利

JPWO2019064588A1 波長変換部材の製造方法、波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換部材用樹脂組成物及び樹脂硬化物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019064588A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2017035724
申请日：2017-09-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：勝田良孝 , 中村彰宏 , 矢羽田達也 , 向垣内康平 , 梶本貴紀 , 高橋宏 , 舟生重昭 , 金子俊郎 , 山村泰三
IPC分类号： G02F1/13357 , G02B5/20
摘要：量子ドット蛍光体及びゲル化可能な分散質を含む樹脂組成物を準備する工程と、前記樹脂組成物を用いて樹脂組成物層を形成する工程と、前記樹脂組成物層を硬化させて樹脂硬化物を得る工程とを有し、前記樹脂組成物中にて前記量子ドット蛍光体を内包する前記分散質が分散しており、前記樹脂硬化物は前記分散質が反応してなるゲル化物を含む、波長変換部材の製造方法。

5. 发明专利

JPWO2019189496A1 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019189496A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：JP2019013417
申请日：2019-03-27
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 桐ヶ谷国廣 , 柳田美香 , 向垣内康平 , 山口佳歩
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , B82Y20/00 , C09K11/08 , C09K11/54 , C09K11/62 , G02B5/20
摘要：量子ドット蛍光体と、多官能チオール化合物と、を少なくとも含む硬化性組成物を硬化してなる硬化物を有し、前記硬化物のチオール基の反応率が15%〜65%である、波長変換部材。

6. 发明专利

JP6658991B1 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物有权
公开(公告)号：JP6658991B1
公开(公告)日：2020-03-04
申请号：JP2019551490
申请日：2019-03-27
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 向垣内康平 , 桐ヶ谷国廣 , 柳田美香 , 山口佳歩
IPC分类号： G02F1/13357 , F21S2/00 , F21V5/00 , F21V5/10 , F21Y115/10 , F21Y115/30 , G02B5/20
摘要：量子ドット蛍光体を含み、動的粘弾性測定により測定されたガラス転移温度が5℃〜65℃である硬化物を有する、波長変換部材。

7. 发明专利

JP6658990B1 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物有权
公开(公告)号：JP6658990B1
公开(公告)日：2020-03-04
申请号：JP2019551489
申请日：2019-03-27
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 桐ヶ谷国廣 , 柳田美香 , 向垣内康平 , 山口佳歩
IPC分类号： G02F1/13357 , H01L33/50 , G02B5/20
摘要：量子ドット蛍光体と、多官能チオール化合物と、を少なくとも含む硬化性組成物を硬化してなる硬化物を有し、前記硬化物のチオール基の反応率が15%〜65%である、波長変換部材。

8. 发明专利

JP2017059709A ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017059709A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015184025
申请日：2015-09-17
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 田澤強 , 鈴村浩二
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/301
摘要：【課題】ダイシング時のダイシングフィルムとウエハリングの剥がれや、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムの剥がれを抑制することができ、かつ切削性を向上させたダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法を提供する。【解決手段】支持基材(1)、UV硬化型粘着層(2)、UV硬化型粘着層よりも小さい面積のダイ接着層(3)をこの順番で積層したダイシング・ダイボンドフィルムにおいて、ダイ接着層(3)を前記UV硬化型粘着層へ投影した面内の、前記UV硬化型粘着層(2)の面積より小さい範囲(2a)にUV照射を行って半硬化させる。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2016057893A 非接触式ICカード审中-公开
标题翻译：无接触式IC卡
公开(公告)号：JP2016057893A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014184251
申请日：2014-09-10
申请人：日立化成株式会社
发明人：矢羽田達也 , 田崎耕司 , 成瀬健三
IPC分类号： G06K19/07 , G06K19/077
摘要：【課題】本発明は、非接触式ICカードの表面平滑性を維持しつつ、絶縁基材の表裏の導体パターンを接続する表裏接続部のふくれを抑制し、接続信頼性を高めた非接触式ICカード及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材の一方の面側に配置され、アンテナ部及び接続端子部Aを備える導体パターンAと、前記絶縁基材の他方の面側に配置され、ジャンパー部及び接続端子部Bを備える導体パターンBと、前記接続端子部Aと前記接続端子部Bとを導通させる表裏接続部と、を備えるアンテナ基板と、このアンテナ基板の両面に、それぞれ接着剤A、Bを介して配置される表皮材A、Bと、を有し、前記接着剤A及びBが、湿気反応型のホットメルト剤(PUR)であり、前記表裏接続部が、前記導体パターンAの接続端子部Aと、前記導体パターンBの接続端子部Bとを直接接合させて形成される非接触式ICカード及びその製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种保持非接触型IC卡的表面平滑性的非接触式IC卡，抑制了连接绝缘基材的前/后导体图案的前后连接部的膨胀，提高连接可靠性，其制造方法。解决方案：提供一种非接触型IC卡，其包括：导体图案A布置在绝缘基材的一个表面侧并包括天线部分和连接端子部分A的天线基板，导体图案B布置在绝缘基材的另一个表面侧，并且包括跨接部分和连接端子部分B以及使连接端子部分A和连接端子部分B通电的前后连接部分并且表面构件A和B分别通过粘合剂A和B布置在天线基板的任一表面上，其中a 粘合剂A和B是湿反应型热熔剂（PUR），以及制造通过使导体图案A的连接端子部分A和连接端子部分B形成的非接触式IC卡的方法导体图案B直接粘合。选择图：图1

10. 发明专利

JP2020181894A ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020181894A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2019084154
申请日：2019-04-25
申请人：日立化成株式会社
发明人：板垣圭 , 尾崎義信 , 谷口紘平 , 橋本慎太郎 , 矢羽田達也
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/52 , H01L21/301 , H01L25/065
摘要：【課題】ドルメン構造用の支持片を作製する工程を簡略化できるとともに基板への支持片の配置を効率的に実施できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本開示はドルメン構造を有する半導体装置の製造方法に関し、(A)粘着層と、所定の材料からなる支持片形成用フィルムとを備える積層フィルムを準備する工程と、(B)支持片形成用フィルムを個片化して支持片を得る工程と、(C)粘着層から支持片を第一の吸着コレットでピックアップする工程と、(D)第一の吸着コレットで支持片を中間ステージに搬送する工程と、(E)中間ステージ上の支持片を第二の吸着コレットでピックアップする工程と、(F)基板上の第一のチップの周囲に、第二の吸着コレットで搬送された支持片を圧着する工程とを含み、(C)〜(F)の一連の工程を複数回実施することによって第一のチップの周囲に複数の支持片を配置する。【選択図】図6

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