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1. 发明授权

CN116642914B 一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法有权
公开(公告)号：CN116642914B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310616131.1
申请日：2023-05-29
申请人：山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
发明人：王学锋 , 张宏浩 , 朱晓彤 , 杨寿亮 , 赵振辉 , 朱秦发
IPC分类号： G01N23/20 , G01N23/20008 , H01L21/66
摘要：本发明公开一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法，属于直拉硅单晶检测技术领域。该检测方法包括：原生重掺砷硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；对样品进行表面研磨、清洗处理获得平整和洁净的表面；对清洗后的样品进行化学抛光处理，去除表面损伤；对样品进行分段式加强热氧化获得微缺陷的放大缀饰缺陷，所述热氧化包括三个阶段：第一阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；第二阶段加热温度为1100~1200℃，时间为30~300min；第三阶段加热温度为950 1100℃，时间为30~ ~300min；使用XRT对样品检测；对检测结果进行判定，确定缺陷类型和区域。本发明的检测方法可(56)对比文件王宏杰.掺氮直拉单晶硅中氧沉淀及其诱生缺陷的行为研究.中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (硕士)工程科技Ⅰ辑.2004,(第04期),正文第30-44页.张越.重掺杂直拉硅单晶的氧化诱生层错.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑.2015,(第12期),正文第29-58页.徐泽.快速热处理对直拉单晶硅缺陷的调控.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑.2012,(第08期),正文第21-27页.吉林大学半导体系材料教研室.用热氧化层错法检测重掺N型硅单晶片表面残留损伤的限制及有关热氧化层错形成机构的分析.半导体技术.1978,(第04期),正文第75-80页.曹孜等.重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究.半导体技术.2016,第35卷(第12期),正文第1178-1182页.佟丽英等.直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变.合肥工业大学学报(自然科学版).2016,第39卷(第09期),正文第1196-1198页.

2. 发明公开

CN117517367A 一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法审中-实审
公开(公告)号：CN117517367A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311312019.5
申请日：2023-10-11
申请人：山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
发明人：王学锋 , 张宏浩 , 朱晓彤 , 杨寿亮 , 刘莉 , 朱秦发
IPC分类号： G01N23/207 , G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32
摘要：本发明公开了一种晶向硅单晶小平面的检测方法。所述方法包括：(1)原生晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；(2)对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；(3)对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；(4)对样品进行晶向及棱线位置定位；(5)使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，(6)对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。本发明实施的检测方法，可以快速实现原生晶向硅单晶小平面的检测，本发明检测方法操作简便易实现，检测晶向硅单晶小平面直观化，对于改善晶向硅单晶径向电阻率均匀性有重要意义。

3. 发明公开

CN116001120A 一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法审中-实审
公开(公告)号：CN116001120A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211670509.8
申请日：2022-12-14
申请人：山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
发明人：褚天宇 , 蔡明 , 朱秦发 , 王学峰 , 李亚光 , 皇志威
IPC分类号： B28D5/04
摘要：本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。

4. 发明公开

CN116642914A 一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法有权
公开(公告)号：CN116642914A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310616131.1
申请日：2023-05-29
申请人：山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
发明人：王学锋 , 张宏浩 , 朱晓彤 , 杨寿亮 , 赵振辉 , 朱秦发
IPC分类号： G01N23/20 , G01N23/20008 , H01L21/66
摘要：本发明公开一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法，属于直拉硅单晶检测技术领域。该检测方法包括：原生重掺砷硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；对样品进行表面研磨、清洗处理获得平整和洁净的表面；对清洗后的样品进行化学抛光处理，去除表面损伤；对样品进行分段式加强热氧化获得微缺陷的放大缀饰缺陷，所述热氧化包括三个阶段：第一阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；第二阶段加热温度为1100~1200℃，时间为30~300min；第三阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；使用XRT对样品检测；对检测结果进行判定，确定缺陷类型和区域。本发明的检测方法可以快速实现重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测，操作简便易实现，缺陷检出率高，且具有检测结果直观化和检测无铬化的特点。

5. 实用新型

CN218937222U 一种用于半导体晶棒NOTCH槽的测量装置有权
公开(公告)号：CN218937222U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202223019847.3
申请日：2022-11-14
申请人：山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
发明人：江国兴 , 赵振晖 , 张宏浩 , 杨寿亮 , 王学峰 , 朱秦发
IPC分类号： G01B5/00
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体晶棒NOTCH槽的测量装置。该装置包括百分表、表针和外壳，其中，外壳具有主体部分和延伸部分；表针连接在百分表下端的测量轴上，百分表和表针整体容纳在外壳内，其中百分表被容纳在外壳主体部分，表针被容纳在外壳延伸部分内；当表针测量端与外壳延伸部分的端部齐平时，即为百分表零点所在位置。采用本实用新型的装置能够更加方便的测量单晶硅棒的NTOCH槽深度而不需要百分表底座的参与，在准确设置了百分表的零点后，其同样可以测量单晶硅片的NOTCH槽，降低了百分表测量过程中可能造成的单晶硅棒损失，提高了测量可信度。

6. 实用新型

CN218928267U 一种用于硅单晶棒连续取样的装置有权
公开(公告)号：CN218928267U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202223072825.3
申请日：2022-11-18
申请人：山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
发明人：王学锋 , 赵振辉 , 江国兴 , 张宏浩 , 朱秦发
IPC分类号： B28D5/04 , B28D5/00
摘要：本实用新型公开了一种用于硅单晶棒连续取样的装置。该装置包括设置在基座上的三个导轮，其中，第一导轮为主动切割轮，提供切割工件时导轮转动的动力；第二导轮为从动切割导轮；第三导轮为张力调节导轮，连接重力压块和压力传感器，为加工工件的金刚砂线提供所需的张力；各导轮具有多线槽环形线锯导轮结构，包括金属导轮以及导轮涂覆层，在涂覆层沿圆周开设有多个开槽，在各导轮的对应的开槽内分别布置有金刚砂线，各金刚砂线之间以非平行的方式布置。针对不规则原生硅单晶棒，能够实现在截断硅棒的同时连续截取两片以上的样片。

7. 发明授权

CN111347061B 一种硅环加工的工艺方法有权
公开(公告)号：CN111347061B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811585961.8
申请日：2018-12-24
申请人：有研半导体材料有限公司
发明人：陈海滨 , 闫志瑞 , 库黎明 , 朱秦发 , 史训达
IPC分类号： B23B1/00 , B23B27/06
摘要：本发明公开了一种硅环加工的工艺方法，包括以下步骤：(1)将硅环固定在卡盘上，先将目数较小的普通刀具固定在刀架上，开动机器，让卡盘和刀具旋转，将硅环外径去除0.5mm；(2)换一把目数较大的普通刀具将硅环外径去除0.3mm；(3)换上特殊刀具固定在刀架上，该特殊刀具具有圆柱部分和斜面部分，其中刀具的圆柱部分用来研磨硅环外径，刀具的斜面部分用来对硅环外径进行倒角，用刀具的圆柱部分研磨硅环外径到目标直径；然后用刀具的斜面部分先后倒角硅环外径的左边和右边；(4)将加工好的硅环进行双面研磨、加工中心做内径、定位孔及卡槽。采用本发明的工艺方法可以制造外径倒角质量非常高的硅环，硅环外径倒角一致性好，无崩边，无污染，无毒害。

8. 发明公开

CN108231568A 一种用于加工硅环的装置及加工方法无效
公开(公告)号：CN108231568A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611159536.3
申请日：2016-12-14
申请人：有研半导体材料有限公司
发明人：库黎明 , 白鸽玲 , 白杜娟 , 朱秦发 , 夏青 , 闫志瑞 , 李磊
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
摘要：本发明公开了一种用于加工硅环的装置及加工方法。该装置包括倒角盘和驱动装置，倒角盘在驱动装置的驱动下进行旋转。采用所述装置加工硅环的方法包括以下步骤：(1)将倒角盘安装在转动装置上，在倒角盘上涂上研磨砂浆；(2)对硅环内圆进行倒角，通过调整倒角盘的自转速度和研磨时间，来调整内圆边缘形状；(3)对硅环进行清洗。通过本发明的装置及加工方法对硅环内圆进行倒角，简单易行，效率较高，大大降低内圆处理时间。

9. 发明公开

CN106670957A 一种超细硅环的抛光方法无效
公开(公告)号：CN106670957A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510761529.X
申请日：2015-11-10
申请人：有研半导体材料有限公司
发明人：王永涛 , 葛钟 , 库黎明 , 朱秦发 , 闫志瑞 , 李磊
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , H01L21/02
CPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , H01L21/02013
摘要：本发明公开了一种超细硅环的抛光方法，该方法包括以下步骤：(1)在抛光头上制作略大于超细硅环尺寸的凹槽，使得在凹槽内外径表面及凹槽底面贴附抛光布后，硅环恰好卡在凹槽内，且硅环露出抛光头表面；(2)将抛光头安装在抛光机上，对硅环进行抛光，一面抛光完成后，将硅环翻面，对硅环另一面进行抛光，从而完成对硅环的双面抛光加工。该方法将可以有效的降低超细硅环在抛光加工过程中的碎片几率，提高超细硅环抛光加工的稳定性。

10. 发明公开

CN109926908A 一种硅环的加工方法无效
公开(公告)号：CN109926908A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711360732.1
申请日：2017-12-15
申请人：有研半导体材料有限公司
发明人：库黎明 , 朱秦发 , 夏青 , 白杜娟 , 孟雪莹 , 鲁进军 , 闫志瑞
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/27 , H01L21/683
摘要：本发明公开了一种硅环的加工方法。该方法包括以下步骤：(1)硅环腐蚀后，将硅环固定在加工中心平台上，加工中心刀柄上装有羊毛轮磨头，在羊毛轮磨头上加入研磨膏；(2)通过调整羊毛轮磨头的自转速度，调整卡槽表面去除量；(3)对研磨抛光后的硅环进行清洗。通过本发明的加工方法，可以快速有效地对卡槽表面进行抛光，不用手工加工，可以大大提高加工效率，简单并且高效。

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