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1. 发明公开

CN117941059A 半导体装置及其制造方法审中-实审
公开(公告)号：CN117941059A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062218.2
申请日：2022-08-25
申请人：株式会社电装
发明人：川岛崇功 , 平光真二 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H10B80/00
摘要：基板(50)的表面金属体(52)与设在半导体元件(40)的一面上的漏极电极(40D)电连接。基板(60)的表面金属体(62)与设在半导体元件(40)的背面上的源极电极(40S)电连接。信号端子(93)经由接合线(110)而与设在与源极电极相同的面上的焊盘(40P)电连接。在半导体元件(40)和信号端子(93)的排列方向上，表面金属体(62)的端部(64e)位于导电间隔件(70)的端部(70e)与半导体元件(40L)的端部(40Le)之间。

2. 发明授权

CN110178304B 半导体装置有权
公开(公告)号：CN110178304B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201780083380.1
申请日：2017-11-10
申请人：株式会社电装
发明人：平光真二
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M7/00 , H05K7/20 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/36 , H01L23/433
摘要：在半导体装置中，多个主端子(27)从树脂成型体(21)的同一侧面突出，并且在上臂侧的第1半导体芯片(220)与下臂侧的第2半导体芯片(221)的排列方向上排列配置。多个热沉(23)中的低电位侧的第1热沉与高电位侧的第2热沉被电连接。多个主端子(27)包括正极端子(270)、负极端子(271)、输出端子(272)及辅助端子(273)，正极端子、负极端子及输出端子中的一部分主端子经由第1中继部件(282)、辅助端子及第2中继部件(29)而与对应的热沉连接，其余的主端子不经由辅助端子并经由第1中继部件(280、281)而与对应的热沉连接。

3. 发明公开

CN110178304A 半导体装置有权
公开(公告)号：CN110178304A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201780083380.1
申请日：2017-11-10
申请人：株式会社电装
发明人：平光真二
IPC分类号： H02M7/5387 , H02M7/00 , H05K7/20
摘要：在半导体装置中，多个主端子(27)从树脂成型体(21)的同一侧面突出，并且在上臂侧的第1半导体芯片(220)与下臂侧的第2半导体芯片(221)的排列方向上排列配置。多个热沉(23)中的低电位侧的第1热沉与高电位侧的第2热沉被电连接。多个主端子(27)包括正极端子(270)、负极端子(271)、输出端子(272)及辅助端子(273)，正极端子、负极端子及输出端子中的一部分主端子经由第1中继部件(282)、辅助端子及第2中继部件(29)而与对应的热沉连接，其余的主端子不经由辅助端子并经由第1中继部件(280、281)而与对应的热沉连接。

4. 发明授权

CN113519050B 半导体装置有权
公开(公告)号：CN113519050B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080018492.0
申请日：2020-01-16
申请人：株式会社电装
发明人：柿本规行 , 石野宽 , 平光真二
IPC分类号： H01L23/29 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：半导体装置具备，在一面及背面设有电极的多个半导体元件(31、32)、作为将半导体元件夹着而配置的散热部件的、与一面侧的电极电连接的第1部件(41、42)及与背面侧的电极电连接的第2部件(51、52)、以及与散热部件相连的端子(71、72)。在从板厚方向观察的平面视图中，第2部件的面积比第1部件小，半导体元件在第2部件的长边方向上排列配置。半导体装置中，作为在与第2部件之间形成的焊接部，还具有将半导体元件与第2部件电连接的第1接合部(131、132)和将端子的至少1个与第2部件电连接的第2接合部(121、122)。相对于经过第2部件的重心(Cg1，Cg2)且与板厚方向及长边方向正交的轴(AX11，(56)对比文件CN 105374779 A,2016.03.02JP 2016162777 A,2016.09.05WO 2015072105 A1,2015.05.21CN 105990284 A,2016.10.05US 2018138134 A1,2018.05.17TW 452943 B,2001.09.01JP 2014154736 A,2014.08.25CN 1529357 A,2004.09.15JP 2015186438 A,2015.10.22JP 2012146733 A,2012.08.02Viktoriia E. Babicheva*, RaduMalureanu, Andrei V. Lavrinenko.Plasmonicfinite-thickness metal–semiconductor–metal waveguide as ultra-compactmodulator.Sciverse sciencedirect.2014,全文.D.Schreiber.电力电子学在风力发电中的应用.变频器世界.2007,(12),全文.尧舜;丁鹏;刘江;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器实用化微通道热沉.北京工业大学学报.2009,(12),全文.

5. 发明授权

CN110998838B 半导体模块有权
公开(公告)号：CN110998838B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201880048851.X
申请日：2018-06-28
申请人：株式会社电装
发明人：荒井俊介 , 平光真二 , 长濑拓生
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
摘要：在半导体模块(10)中，多个开关元件(12、13、34)并联连接。在第1主电极(14b)各自与第1主端子(21)之间形成第1电流路径(25、26)，在第2主电极各自与第2主端子(22)之间形成第2电流路径(27、28)。将任意的开关元件中的第2电流路径即任意电流路径的自感设为Lsn，将除了任意电流路径以外的其他电流路径与任意电流路径的互感设为Mn，将Lsn与Mn之和设为Ln，多个开关元件及电流路径被配置为，使得各开关元件的Ln彼此相等。

6. 发明授权

CN107004656B 电子装置失效
公开(公告)号：CN107004656B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580067215.8
申请日：2015-12-11
申请人：株式会社电装
发明人：山岸哲人 , 永谷利博 , 竹中正幸 , 平光真二
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/14 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/40 , H01L23/145 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3737 , H01L23/4006 , H01L23/42 , H01L2023/405 , H01L2924/0002 , H05K1/0209 , H05K3/284 , H05K2201/062 , H05K2201/068 , H05K2201/09136 , H05K2201/10166 , H05K2201/10409 , H01L2924/00
摘要：电子装置具备：树脂基板(10)，在绝缘性的树脂上形成有具备导电性部件的配线(10a)；发热元件(21)，是安装在树脂基板的一面(S1)上的电路元件，通过工作而发热；封固树脂(40)，设在一面上，将发热元件封固。封固树脂的与一面接触的面的相反面(S2)被热连接在散热部件上，被搭载到散热部件上。树脂基板和封固树脂分别具有树脂基板和封固树脂的周边温度为常温时向相反面侧凸的翘曲形状、并且在周边温度是比常温高的高温时也能够维持向相反面侧凸的翘曲形状的线性膨胀系数。

7. 发明授权

CN109417066B 半导体装置有权
公开(公告)号：CN109417066B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201780030762.8
申请日：2017-04-27
申请人：株式会社电装
发明人：石野宽 , 川原英樹 , 平光真二 , 荒井俊介
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/34 , H01L25/18 , H02M7/48
摘要：在半导体装置中，构成上臂电路的多个半导体芯片(120H、121H)在一对上臂板(14H、18H)之间并联连接。构成下臂电路的多个半导体芯片(120L、121L)在一对下臂板(14L、18L)之间并联连接。在各臂电路中，多个半导体芯片以与发射极电极和焊盘的排列方向正交的方式排列，焊盘相对于发射极电极配置在相同侧，信号端子在相同的方向上延伸设置。上臂电路和下臂电路的串联连接部(26)包括与对应的上臂板和下臂板(14L、18H)的侧面(14b、18b)相连的接头部(20)。在上臂板及下臂板中将半导体芯片并联连接的并联连接部(140H、140L、180H、180L)的电感分别比串联连接部的电感小。

8. 发明公开

CN113519050A 半导体装置有权
公开(公告)号：CN113519050A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080018492.0
申请日：2020-01-16
申请人：株式会社电装
发明人：柿本规行 , 石野宽 , 平光真二
IPC分类号： H01L23/29 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：半导体装置具备，在一面及背面设有电极的多个半导体元件(31、32)、作为将半导体元件夹着而配置的散热部件的、与一面侧的电极电连接的第1部件(41、42)及与背面侧的电极电连接的第2部件(51、52)、以及与散热部件相连的端子(71、72)。在从板厚方向观察的平面视图中，第2部件的面积比第1部件小，半导体元件在第2部件的长边方向上排列配置。半导体装置中，作为在与第2部件之间形成的焊接部，还具有将半导体元件与第2部件电连接的第1接合部(131、132)和将端子的至少1个与第2部件电连接的第2接合部(121、122)。相对于经过第2部件的重心(Cg1，Cg2)且与板厚方向及长边方向正交的轴(AX11，AX12)，焊接部线对称配置。

9. 发明公开

CN110998838A 半导体模块有权
公开(公告)号：CN110998838A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880048851.X
申请日：2018-06-28
申请人：株式会社电装
发明人：荒井俊介 , 平光真二 , 长濑拓生
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
摘要：在半导体模块(10)中，多个开关元件(12、13、34)并联连接。在第1主电极(14b)各自与第1主端子(21)之间形成第1电流路径(25、26)，在第2主电极各自与第2主端子(22)之间形成第2电流路径(27、28)。将任意的开关元件中的第2电流路径即任意电流路径的自感设为Lsn，将除了任意电流路径以外的其他电流路径与任意电流路径的互感设为Mn，将Lsn与Mn之和设为Ln，多个开关元件及电流路径被配置为，使得各开关元件的Ln彼此相等。

10. 发明公开

CN115244689A 半导体装置审中-实审
公开(公告)号：CN115244689A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080096322.4
申请日：2020-02-14
申请人：株式会社电装
发明人：门口卓矢 , 川岛崇功 , 平光真二 , 大前翔一朗
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
摘要：本说明书公开的半导体装置具备第1半导体元件、第1导体板、第1绝缘层和导体电路图案。第1半导体元件具有设有第1电极及第2电极的一个表面和位于一个表面的相反侧的另一表面。第1导体板具有与第1半导体元件的一个表面对置的第1表面，在第1表面中与第1半导体元件的第1电极电连接。第1绝缘层设在第1导体板的第1表面上，将第1表面的一部分覆盖。导体电路图案设在第1绝缘层上。导体电路图案具有与第1半导体元件电连接的至少一个第1导体线路，至少一个第1导体线路包括与第2电极电连接的导体线路。

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