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1. 发明专利

JP2014238275A 磁場偏差測定器及び磁場偏差測定方法审中-公开
标题翻译：磁场偏移测量装置和磁场偏移测量方法
公开(公告)号：JP2014238275A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013119513
申请日：2013-06-06
申请人：独立行政法人石油天然ガス・金属鉱物資源機構 , Japan Oil Gas & Metals National Corp , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター , International Superconductivity Technology Center
发明人： TSUKAMOTO AKIRA , NAMIGASHIRA TSUNEHIRO , TANABE KEIICHI , SUGIZAKI MASAYUKI , ARAI EIICHI
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/035 , G01V3/00
摘要：【課題】磁場偏差の測定精度を向上させる。【解決手段】磁場を検出する磁気検出部10と、磁気検出部10の位置を移動させる移動部20と、移動部20によって移動された複数の位置において磁気検出部10が検出した複数の磁場に基づいて磁場偏差を算出する算出部40と、を備える。上記の磁気検出部10は、例えば、それぞれ異なる3方向の検出軸を有する複数の磁気センサを有する。また、上記の移動部20は、所定の回転軸を中心に回転することで、当該回転軸を公転軸として磁気検出部10を公転させ、算出部は、公転軸と磁気検出部10との距離を半径とする円周上の複数の位置において磁気検出部10が検出した複数の磁場に基づいて磁場偏差を算出する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高磁场偏转测量的精度。解决方案：磁场偏转测量装置包括：磁检测单元10，其检测磁场; 移动单元20移动磁检测单元10的位置; 以及计算单元40，其基于由磁检测单元10在由移动单元20移动的多个位置处检测到的多个磁场来计算磁场偏转。磁检测单元10具有例如多个的磁传感器具有彼此不同的三个方向的检测轴。移动单元20围绕预定的旋转轴线旋转，从而使磁检测单元10围绕旋转轴旋转为旋转轴。计算单元基于由磁检测单元10在具有作为旋转轴和磁检测单元10之间的距离的半径的圆周上的多个位置处检测的多个磁场来计算磁场偏转。

2. 发明专利

JP2015014526A 電磁探査方法审中-公开
标题翻译：电磁测量方法
公开(公告)号：JP2015014526A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013141627
申请日：2013-07-05
申请人：独立行政法人石油天然ガス・金属鉱物資源機構 , Japan Oil Gas & Metals National Corp , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター , International Superconductivity Technology Center , 三井金属資源開発株式会社 , Mitsui Kinzoku Shigen Kaihatsu Kk
发明人： NAMIGASHIRA TSUNEHIRO , TSUKAMOTO AKIRA , TANABE KEIICHI , WATANABE HIDEHISA , ISHIKAWA HIDEHIRO
IPC分类号： G01V3/28
摘要：【課題】金属管によって坑壁が覆われた坑井内で測定を行える電磁探査方法を提供すること。【解決手段】電磁探査方法は、1次磁場を発生させる送信源10と、送信源10が発生させた1次磁場に基づく2次磁場を検出する磁場検出装置20と、を用いる電磁探査方法であって、磁場検出装置20は、超電導量子干渉素子を含み、金属管2001によって坑壁が覆われた坑井2000の内部に磁場検出装置20を配置する配置工程と、2次磁場を磁場検出装置20で検出する検出工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够测量坑壁被金属管覆盖的坑中的磁场的电磁测量方法。解决方案：一种使用产生初级磁场的发射源10的电磁测量方法，基于由发送源10产生的一次磁场检测次级磁场的磁场检测装置20包括以下步骤：将磁场检测装置20配置在凹坑2000内，其中凹坑壁被金属管覆盖 2001年，磁场检测装置20包括超导量子干涉装置; 并通过磁场检测装置20检测次级磁场。

3. 发明专利

JP2015010868A センサ用高耐圧冷却容器及び地下探査装置审中-公开
标题翻译：用于传感器的高耐压冷却容器和地面测量装置
公开(公告)号：JP2015010868A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013134809
申请日：2013-06-27
申请人：独立行政法人石油天然ガス・金属鉱物資源機構 , Japan Oil Gas & Metals National Corp , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター , International Superconductivity Technology Center
发明人： NAMIGASHIRA TSUNEHIRO , TSUKAMOTO AKIRA , TANABE KEIICHI
IPC分类号： G01V3/26 , E21B47/00 , F25D3/10 , H01L39/04
CPC分类号： E21B47/011 , F25D3/10 , G01R33/0047 , G01R33/0354 , G01V3/08 , G01V3/18 , G01V3/26
摘要：【課題】センサ用高耐圧冷却容器及び地下探査装置に関し、1.0MPaを超える高圧の中でSQUIDを長時間にわたり安定した動作温度に冷却し続けることを可能にする。【解決手段】 1.0MPa以上の耐圧性能を有する耐圧密閉容器と、前記耐圧密閉容器内に収容される相転移冷却剤保温用器と、前記耐圧密閉容器に接続された1.0MPa以上の耐圧性能を有する相転移冷却剤リリース用チューブとを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：关于用于传感器的高耐压冷却容器和地下测量装置，在高压超过1.0MPa的高压下，将SQUID连续冷却至稳定的操作温度。解决方案：高耐压冷却容器包括耐压性能为1.0MPa或更高的耐压密封容器，储存在耐压密封容器中的相变冷却剂隔热容器和耐压性能为1.0的相变冷却剂释放管 MPa以上连接到耐压密封容器。

4. 发明专利

JP2013130317A Liquid nitrogen cooling sensor device container and liquid nitrogen cooling sensor device 有权
标题翻译：液氮冷却传感器装置容器和液氮冷却传感器装置
公开(公告)号：JP2013130317A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：JP2011278556
申请日：2011-12-20
申请人： Japan Oil Gas & Metals National Corp , 独立行政法人石油天然ガス・金属鉱物資源機構 , International Superconductivity Technology Center , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター , Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： NAMIGASHIRA TSUNEHIRO , TANABE KEIICHI
IPC分类号： F25D3/10 , G01R33/035 , H01L39/04
CPC分类号： F17C3/085 , G01R33/035
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively suppress low-frequency noise while maintaining easy insertion/pulling-out of a probe in liquid nitrogen regarding a liquid nitrogen cooling sensor device container and a liquid nitrogen cooling sensor device.SOLUTION: The liquid nitrogen cooling sensor device container and the liquid nitrogen cooling sensor device include a thermally insulated liquid nitrogen holding container that holds liquid nitrogen, a sensor affixing member to a tip part of which is attached a sensor that operates by means of the temperature of the liquid nitrogen, and an affixing buffer member for affixing the sensor affixing member to the thermally insulated liquid nitrogen holding container. A member having a buffer action in the liquid nitrogen is used as the affixing buffer member.
摘要翻译：要解决的问题：为了有效地抑制低频噪声，同时保持液氮中的探针容易地插入/拉出关于液氮冷却传感器装置容器和液氮冷却传感器装置。解决方案：液氮冷却传感器装置容器和液氮冷却传感器装置包括保持液氮的隔热液氮保持容器，传感器固定构件附接到通过液氮的温度操作的传感器，并且附着缓冲构件，用于将传感器固定构件固定到绝热液氮保持容器。使用在液氮中具有缓冲作用的部件作为固定缓冲部件。

5. 发明专利

JP2012026788A Magnetic sensor for underground resource exploration 有权
标题翻译：用于地下资源勘探的磁传感器
公开(公告)号：JP2012026788A
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：JP2010163791
申请日：2010-07-21
申请人： Hitachi Ltd , International Superconductivity Technology Center , Japan Oil Gas & Metals National Corp , 株式会社日立製作所 , 独立行政法人石油天然ガス・金属鉱物資源機構 , 財団法人国際超電導産業技術研究センター
发明人： TSUKAMOTO AKIRA , ADACHI SEIJI , OSHIKUBO YASUO , TANABE KEIICHI
IPC分类号： G01V3/00 , G01N27/72 , G01R33/035
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic sensor 1 for underground resource exploration which improves efficiency in coupling a detection coil 30 using a superconducting tape wire and a SQUID 23.SOLUTION: A magnetic sensor for underground resource exploration has: a superconducting layer formed on a substrate 28; a SQUID 23 formed in the superconducting layer; a membrane-like input coil 25 formed in the superconducting layer and connected or magnetically coupled to the SQUID 23; and a tape-like detection coil 30 connected with the membrane-like input coil 25 so as to form a closed loop and formed by curving a superconducting tape wire. In the tape-like detection coil 30, there is no connecting part where superconducting tape wires are connected each other, and the superconducting tape wire has a slit which is along a length direction and does not reach end portions 12 and 15, and is bisected in a width direction by the slit. One of the bisected wire is segmented. In the tape-like detection coil 30, the end portions 12 and 15 are disposed on the circumference and the direction of a coil current is changed in the end portions 12 and 15.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于地下资源勘探的磁传感器1，其提高了使用超导带线和SQUID 23耦合检测线圈30的效率。解决方案：用于地下资源勘探的磁传感器具有：形成在基板28上的超导层; 形成在超导层中的SQUID 23; 形成在超导层中并连接或磁耦合到SQUID 23的膜状输入线圈25; 以及与膜状输入线圈25连接的带状检测线圈30，以形成闭环并通过弯曲超导带状线而形成。在带状检测线圈30中，没有超导带线彼此连接的连接部，超导带线具有沿着长度方向的狭缝，并且没有到达端部12和15，并且被二等分在狭缝的宽度方向上。二等分线之一被分段。在带状检测线圈30中，端部12和15设置在圆周上，线圈电流的方向在端部12和15中改变。版权所有：（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2014227329A 鉄系超電導材料、及びこれからなる鉄系超電導層、鉄系超電導テープ線材、鉄系超電導線材有权
标题翻译：基于铁的超导材料和基于铁的超导体层，基于铁的超导带和基于铁的包覆材料的超导线
公开(公告)号：JP2014227329A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013110254
申请日：2013-05-24
申请人：国立大学法人東京工業大学 , Tokyo Institute Of Technology , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター , International Superconductivity Technology Center
发明人： MIURA MASASHI , ADACHI SEIJI , TANABE KEIICHI , HOSONO HIDEO
IPC分类号： C01G1/00 , C01B25/08 , C01G51/00 , H01B12/04 , H01B12/06 , H01F6/06
CPC分类号： H01B12/02 , C01G49/009 , C01G51/006 , H01L39/125 , H01L39/143 , Y02E40/64 , Y02E40/641 , Y02E40/642
摘要：【課題】Jcの磁場角度依存性が小さい、鉄系超電導材料、及びこれを用いた超電導層や、当該超電導層を備えた低温、高磁場で利用可能な線材の提供を目的とする。【解決手段】ThCr2Si2の結晶構造を持つ鉄系超電導体と、BaXO3(XはZr、Sn、Hf、Tiのうち1種又は2種以上を表す)で示される粒径30nm以下のナノ粒子とを有し、前記ナノ粒子が1?1021m−3以上の体積密度で分散していることを特徴とする鉄系超電導材料。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种铁基超导材料，其中J的磁场角度依赖性（临界电流密度）更小，并且提供通过使用铁基超导获得的铁基超导层材料或铁基超导线，其包括铁基超导层并且可以在高磁场中的低温下使用。解决方案：铁基超导材料包含具有ThCrSi和纳米颗粒的晶体结构的铁基超导体其中BaXO（X为Zr，Sn，Hf和Ti中的一种或多种），其粒径为30nm以下。纳米粒子以等于或高于1×10微米的体积密度分散在铁基超导材料中。

7. 发明专利

JP2013058998A Multiple-flux quantum output driver and electronic device 审中-公开
标题翻译：多通道量子输出驱动器和电子设备
公开(公告)号：JP2013058998A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：JP2011197568
申请日：2011-09-09
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社 , International Superconductivity Technology Center , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
发明人： SUZUKI HIDEO , TANABE KEIICHI
IPC分类号： H03K19/195 , H03K19/0175
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To generate an output signal having a high data rate and a wide pulse width without increasing occupied area and a bias current in a multiple-flux quantum output driver and an electronic device.SOLUTION: A first flux quantum circuit composed of a single-flux quantum pulse reflection circuit is connected to one terminal on an output side of a splitter splitting one single-flux quantum pulse into a plurality of single-flux quantum pulses, and a second flux quantum circuit is connected to the other terminal on the output side of the splitter.
摘要翻译：要解决的问题：为了在多通量量子输出驱动器和电子设备中产生具有高数据速率和宽脉冲宽度而不增加占用面积和偏置电流的输出信号。解决方案：由单通量子脉冲反射电路组成的第一磁通量子电路连接到分离器的输出侧的一个端子，将一个单通量量子脉冲分成多个单通量量子脉冲，以及第二通量量子电路连接到分路器的输出侧的另一个端子。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2014234519A 成膜装置审中-公开
标题翻译：胶片沉积装置
公开(公告)号：JP2014234519A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013114584
申请日：2013-05-30
申请人：国立大学法人東京工業大学 , Tokyo Institute Of Technology , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター , International Superconductivity Technology Center
发明人： ADACHI SEIJI , ISHIMARU YOSHIYASU , TANABE KEIICHI , HOSONO HIDEO
IPC分类号： C23C14/24
摘要：【課題】成膜チャンバを大気開放することなく迅速なターゲット交換を行うことが可能であり、しかも大面積薄膜や長尺テープ状の薄膜にも対応可能な成膜装置の提供を目的とする。【解決手段】PLD法の成膜を行う成膜装置であって、レーザ光の照射部に成膜用ターゲットを載置するために設けられ、成膜用ターゲットを自然載置した状態で滑動するように載置面を傾斜させた載置部材と、載置面から成膜用ターゲットが滑落することを防ぐように支持するストッパと、ストッパによる成膜用ターゲットの支持を解除するストッパ解除機構と、予備ターゲットを前記載置面に供給する供給手段とを備え、ストッパ解除機構を動作し、載置面に載置されストッパによって支持された成膜用ターゲットを滑落させ、供給手段により予備ターゲットを載置面に供給し、ストッパにより支持することで、ターゲット交換可能であることを特徴とする成膜装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以在不向大气中打开成膜室的情况下快速更换靶材的成膜装置，并适应于大面积薄膜和长带型薄膜。解决方案：一种膜以PLD方法进行成膜的沉积装置包括：安装构件，其被设置成将用于成膜的靶用于激光的照射部分安装，并且其安装表面倾斜，使得成膜靶材在自然状态; 支撑用于膜沉积的靶的塞子，以防止膜沉积的目标从安装表面滑落; 一种释放机构，其释放用于胶片沉积的目标以由止动器支撑; 以及将预备目标提供给安装表面的供给装置。使止动器释放机构进行操作，使成膜用靶材安装在安装面上并被止动器滑动支撑，并且预备靶材通过供给装置供给到安装面，并由止动件支撑以实现目标替代。

9. 发明专利

JP2013058705A Superconductive single-flux quantum integrated circuit device 审中-公开
标题翻译：超级单通道量子集成电路器件
公开(公告)号：JP2013058705A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：JP2011197572
申请日：2011-09-09
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社 , International Superconductivity Technology Center , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
发明人： SUZUKI HIDEO , TANABE KEIICHI
IPC分类号： H01L39/22 , H01L27/18 , H03K19/195
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate the influence of a return current of a bias current and the bias current itself on an SFQ logic circuit in a chip, in a superconductive single-flux quantum integrated circuit device.SOLUTION: A superconductive single-flux quantum integrated circuit device includes: a main superconductive ground surface of a superconductive single-flux integrated circuit chip; a local superconductive ground surface isolated from the main superconductive ground surface; a superconductive single-flux integrated circuit formed on the local superconductive ground surface; a thin-film resistor having a total resistance of 1 μΩ to 0.1 Ω and connected between the main superconductive ground surface and the local superconductive ground surface; and a bias power-supply line supplying a DC bias to the superconductive single-flux integrated circuit.
摘要翻译：要解决的问题：为了消除超导单通量子集成电路器件中的偏置电流和偏置电流本身的返回电流对芯片中的SFQ逻辑电路的影响。超导单通量子集成电路器件包括：超导单通量集成电路芯片的主超导地表面; 与主超导地表面隔离的局部超导地面; 形成在局部超导地面上的超导单磁通集成电路; 一个总电阻为1μΩ至0.1Ω并连接在主超导地表面与局部超导地表面之间的薄膜电阻器; 以及向超导单通量集成电路提供DC偏置的偏置电源线。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2013058997A Superconductive single-flux quantum integrated circuit device 有权
标题翻译：超级单通道量子集成电路器件
公开(公告)号：JP2013058997A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：JP2011197563
申请日：2011-09-09
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社 , International Superconductivity Technology Center , 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
发明人： SUZUKI HIDEO , TANABE KEIICHI
IPC分类号： H03K19/195 , H01L39/22
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate the influence of a return current of a bias current and the bias current itself on an SFQ logic circuit in a chip, in a superconductive single-flux quantum integrated circuit device.SOLUTION: A superconductive single-flux quantum integrated circuit device includes a bias power-supply line supplying a DC bias current to a superconductive single-flux quantum integrated circuit in a chip and a bias extraction power-supply line for recovering the DC bias current outside the chip. An end of the bias extraction power-supply line is connected to a ground surface of the chip via a resistor composed of a plurality of thin film resistors having a resistance of 0.1 milli-ohm to 1 ohm around the superconductive single-flux quantum integrated circuit laid out in the chip, and extracts the DC bias current from a connection point to the ground surface.
摘要翻译：要解决的问题：为了消除超导单通量子集成电路器件中的偏置电流和偏置电流本身的返回电流对芯片中的SFQ逻辑电路的影响。解决方案：超导单通量量子集成电路器件包括向芯片中的超导单通量量子集成电路提供DC偏置电流的偏置电源线和用于恢复DC的偏压提取电源线芯片外的偏置电流。偏置提取电源线的一端通过由超导单通量子集成电路周围的电阻为0.1毫欧至1欧的多个薄膜电阻器组成的电阻连接到芯片的地表面放置在芯片中，并将DC偏置电流从连接点提取到地表。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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