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1. 发明授权

CN114990523B 一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2 有权
公开(公告)号：CN114990523B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210561461.0
申请日：2022-05-23
申请人：西北工业大学
发明人：许曼章 , 纪洪嘉 , 张晓杉 , 骆磊 , 王学文 , 郑璐 , 黄维
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/52
摘要：本发明公开了一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2，二氧化硅/硅片为衬底，钨源和硫粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二维材料扭角WS2的生长；所述二维材料扭角WS2的生长容器为石英管，石英管内通入氩气作为运载气体；在所述的石英管内还设置了两端开口的石英试管，用于放置进行化学气相沉积的钨源和衬底；氩气的流量为50～180sccm；化学气相沉积的反应温度为750～850℃。该实验工艺简单，成本低廉，所制备的二维材料扭角WS2表面均匀平整、质量高，对于研究新型扭角光电子学及光电集成器件有重要的意义。

2. 发明授权

CN113979477B 一种二硫化钼薄膜、制备方法、应用及柔性健康传感器有权
公开(公告)号：CN113979477B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111134476.0
申请日：2021-09-27
申请人：西北工业大学
发明人：王学文 , 许曼章 , 高久伟 , 宋俊才 , 王汉鑫 , 郑璐 , 黄维
IPC分类号： C01G39/06 , B05D1/00 , B05D7/04 , B05D7/24 , C23C14/14 , C23C18/12 , A61B5/0205 , A61B5/11
摘要：～1m/s。本发明中二维二硫化钼质量高、面积大，本发明公开了一种二硫化钼薄膜、制备方可以图案化制备，可以避免材料被污染，所制备法、应用及柔性健康传感器，以二氧化硅/硅片为的柔性应力传感器具有稳定性高，检测精度高，衬底；反应源和稳定剂于有机溶剂中混合形成旋应变系数高，可以用于人体脉搏、呼吸、抖动等微涂液，旋涂液旋涂在衬底表面至有机溶剂蒸发得弱信号的监测。到薄膜衬底；利用激光直写技术在薄膜衬底进行激光直写处理即得二维二硫化钼薄膜；所述的激(56)对比文件Heng Deng et al..Laser induced MoS2/carbon hybrids for hydrogen evolutionreaction catalysts.Journal of MaterialsChemistry A.2016,第4卷第6824–6830页.

3. 发明授权

CN113465795B 一种柔性压力传感结构及柔性压力传感器有权
公开(公告)号：CN113465795B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110740623.2
申请日：2021-07-01
申请人：西北工业大学
发明人：王学文 , 李玥 , 杨亚宝 , 卢乾波
IPC分类号： G01L1/22
摘要：本发明提供一种柔性压力传感结构及柔性压力传感器，解决了现有压阻式压力传感器灵敏度随压力增大而降低，稳定型较差的技术问题。该柔性压力传感结构包括导电薄膜以及分别粘接在所述导电薄膜上下表面且面面交错排布的上电极和下电极；柔性压力传感结构在受到压力时，导电薄膜沿与电极平面垂直的方向产生应变，使得电阻增大，即当压力施加在结构上时，上电极作用在导电薄膜上的应力会使薄膜穿过电极间的镂空部分(即间隙)，产生垂直于电极平面的应变，传感单元的电阻随压力的增大而增大。(56)对比文件束逸.基于新型微纳结构的柔性压力传感器基础研究《.中国博士学位论文全文数据库（电子期刊）信息科技辑I140-31》.2016,(第7期),全文.Emil R. Mamleyev等.Flexible Carbon-based Urea Sensor by Laser InducedCarbonisation of Polyimide《.2018International Flexible ElectronicsTechnology Conference (IFETC)》.2018,全文.Hiro Han等.PVDF film microfabrication for the robotics skin sensorhaving flexibility and high sensitivity.《2011 Fifth International Conference onSensing Technology》.2012,全文.Lang Zhou等.Large Scale ArrayVisible-Infrared Converter Based on Free-Standing Flexible CompositeMicrostructures《. 2019 20th InternationalConference on Solid-State Sensors,Actuators and Microsystems & EurosensorsXXXIII (TRANSDUCERS & EUROSENSORSXXXIII)》.2019,全文.

4. 发明授权

CN113465665B 一种柔性集成传感器的制备方法有权
公开(公告)号：CN113465665B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110722285.X
申请日：2021-06-29
申请人：西北工业大学
发明人：王学文 , 宋俊才 , 许曼章 , 黄维
IPC分类号： G01D21/02
摘要：本发明提供一种柔性集成传感器的制备方法，解决现有制备柔性传感器时使用有害试剂，对环境不友好且未能集成化以及卷对卷大批量加工的不足之处。包括以下步骤：1)敏感材料预处理，将敏感材料预处理为可固化导电溶液；2)制备敏感单元，2.1)在刚性基板旋涂牺牲层，将牺牲层进行固化；2.2)采用步骤1)得到的可固化导电溶液在牺牲层上制备敏感材料薄膜，并进行半固化处理；2.3)将半固化的敏感材料薄膜进行切割，获得敏感单元；3)制备柔性集成传感器，3.1)将步骤2)制备的敏感单元转移，对准贴附在预先加工好的电极上，并使敏感单元和电极紧密结合；3.2)去除牺牲层，将半固化的敏感材料薄膜完全固化，获得柔性集成传感器。

5. 发明公开

CN116718486A 一种高温测试用柔性传感器夹具及上样工具审中-实审
公开(公告)号：CN116718486A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310596090.4
申请日：2023-05-24
申请人：西北工业大学
发明人：郑璐 , 张晓杉 , 王汉鑫 , 许曼章 , 高久伟 , 王学文
IPC分类号： G01N3/18 , G01N3/04 , G01N3/02 , G01N3/20
摘要：本发明公开了一种高温测试用柔性传感器夹具及上样工具，沿轴向对接设置固定端夹具和移动端夹具；所述的固定端夹具设置圆柱形的固定主体，固定主体的一端轴向对接设置延伸体，延伸体端部设置固定传感器夹头；所述的移动端夹具设置圆柱形的移动主体，移动主体的一端设置移动传感器夹头；移动主体的外径小于固定主体的外径，通过上样辅助环使移动主体和固体主体同轴。本发明可在1200℃高温下对柔性力学传感器进行静/动态弯曲和拉伸的应力应变测试，满足了高温柔性传感器在1200℃以下的高温性能测试需求，有助于高温柔性传感器的研发和应用。

6. 发明授权

CN115404460B 一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法有权
公开(公告)号：CN115404460B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211072865.X
申请日：2022-09-02
申请人：西北工业大学宁波研究院
发明人：王学文 , 骆磊 , 纪洪嘉 , 许曼章 , 黄维
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G39/06
摘要：本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法，包括以MoO3，S粉为初级材料，采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料，所述的单根MoS2纳米管直径为80～200nm，通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管，Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂，无需再采用模板和特定前驱体结构设计，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管，所制备的纳米材料形态均一、结构性能稳定，可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器，场发射和锂离子电池负极材料。

7. 发明公开

CN115595551A 一种高保真度2D TMDs的转移方法审中-实审
公开(公告)号：CN115595551A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211141781.7
申请日：2022-09-20
申请人：西北工业大学(CN)
发明人：王学文 , 纪洪嘉 , 骆磊 , 许曼章 , 黄维
IPC分类号： C23C16/01 , C23C16/30 , H10K71/80
摘要：本发明公开了一种高保真度2D TMDs的转移方法，包括以下步骤：步骤一：在生长衬底上沉积生成2D TMDs，2D TMDs上覆盖制备PMMA薄膜，去除PMMA薄膜边缘；步骤二：在步骤一得到的PMMA薄膜上覆盖制备PS薄膜，得到PS/PMMA/TMDs/衬底结构；步骤三：层间注水获得PS/PMMA/TMDs薄膜，将有2D TMDs的一面覆盖在目标衬底上，去除PS和PMMA即得。该方法适用于多种2D TMDs的转移，操作高效、快捷。转移后的材料具有结晶质量高、结构完整、表面干净等特点，利于后续制备基于TMDs垂直堆叠的vdW异质结以及基于柔性衬底的器件加工。

8. 发明公开

CN115420205A 一种超薄聚酰亚胺薄膜厚度测量方法审中-实审
公开(公告)号：CN115420205A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211065917.0
申请日：2022-09-01
申请人：西北工业大学
发明人：王学文 , 董璇 , 赵若晴 , 许曼章 , 黄维
IPC分类号： G01B11/06 , C08J5/18
摘要：本发明涉及一种聚酰亚胺薄膜的厚度测量方法，步骤一：聚酰亚胺前驱体溶液旋涂在SiO2/Si基底上，一次加热实现薄膜半固化得到半固化薄膜基底；步骤二：对半固化薄膜基底进行裁切得到截断面，二次加热得到全固化薄膜，然后进行热酰亚胺化形成聚酰亚胺薄膜；步骤三：在扫描电子显微镜下观察截断面，测量薄膜厚度。根据本发明方法进行聚酰亚胺薄膜厚度测量时，不同于传统的薄膜测试方法，试样制备简单，测试方法便捷，数据呈现直观且精确。

9. 发明公开

CN115404460A 一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法有权
公开(公告)号：CN115404460A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211072865.X
申请日：2022-09-02
申请人：西北工业大学宁波研究院
发明人：王学文 , 骆磊 , 纪洪嘉 , 许曼章 , 黄维
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G39/06
摘要：本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法，包括以MoO3，S粉为初级材料，采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料，所述的单根MoS2纳米管直径为80～200nm，通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管，Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂，无需再采用模板和特定前驱体结构设计，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管，所制备的纳米材料形态均一、结构性能稳定，可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器，场发射和锂离子电池负极材料。

10. 发明授权

CN110329982B 基于旋转折叠梁和纳米光学谐振腔的面内加速度计及方法有权
公开(公告)号：CN110329982B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201910703955.6
申请日：2019-07-31
申请人：西北工业大学
发明人：卢乾波 , 姚远 , 方卫栋 , 白剑 , 王学文
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/093
摘要：本发明一种基于旋转折叠梁和纳米光学谐振腔的面内加速度计及方法，由一个旋转折叠梁‑质量块‑硅外框的加速度位移敏感结构和一个由纳米光学谐振腔、激光器、光隔离器、分光棱镜、两个光电探测器探测组成的位移测量机构组成，其中纳米光学谐振腔包含一个覆盖银膜的亚波长硅光栅、一层空气间隙和一个覆盖银膜的硅基底。本发明利用旋转折叠梁的弹性结构实现了高加速度‑位移灵敏度、低离轴串扰的面内加速度位移转换，通过纳米光学谐振腔实现了超高灵敏度的位移测量，两者结合实现了高测量灵敏度的面内加速度测量；本发明加速度位移敏感结构和纳米光学谐振腔均由单片绝缘体上硅晶圆制成，因此本发明可实现大规模、低成本和高精度的面内加速度测量。

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