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    • 1. 发明申请
      US20090181506A1 Novel Method to Form Memory Cells to Improve Programming Performance of Embedded Memory Technology 审中-公开
    • Novel Method to Form Memory Cells to Improve Programming Performance of Embedded Memory Technology
    • 用于形成记忆单元以提高嵌入式存储器技术编程性能的新方法
    • US20090181506A1
    • 2009-07-16
    • US12407624
    • 2009-03-19
    • Jihong Chen , Eddie Hearl Breashears , Xin Wang , John Howard Macpeak
    • Jihong Chen , Eddie Hearl Breashears , Xin Wang , John Howard Macpeak
    • H01L21/8239 , H01L21/426
    • H01L29/7881 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/40114
    • An embedded memory device and method of forming MOS transistors having reduced masking requirements and defects using a single drain sided halo implant in the NMOS FLASH or EEPROM memory regions is discussed. The memory device comprises a memory region and a logic region. Logic transistors within the logic region have halos implanted at an angle underlying the channel from both drain and source region sides. Asymmetric memory cell transistors within the memory region receive a selective halo implant only from the drain side of the channel and not from the source side to form a larger halo on the drain side and leave a higher dopant concentration more deeply into the source side. One method of asymmetrically forming memory cell transistors comprises masking over the memory region; halo implanting a first conductivity dopant in NMOS regions of the logic region in first and second implant directions; masking over the logic region; halo implanting the first conductivity dopant in NMOS regions of the memory region in the second implant direction only, thereby reducing the number of masks required; masking over the memory region; halo implanting a second conductivity dopant in PMOS regions of the logic region in the first and second implant directions.
    • 讨论了在NMOS闪存或EEPROM存储器区域中使用单个漏极侧卤素注入形成具有减小的掩模要求和缺陷的MOS晶体管的嵌入式存储器件和方法。 存储器件包括存储器区域和逻辑区域。 逻辑区域内的逻辑晶体管具有从沟道和源极区两侧的通道下方的角度注入的光晕。 存储器区域内的不对称存储单元晶体管仅从沟道的漏极侧接收选择性晕圈注入而不从源极接收，以在漏极侧形成较大的卤素，并且在源极侧更高的掺杂浓度。 一种不对称形成存储单元晶体管的方法包括：对存储区进行掩蔽; 在第一和第二植入方向上在所述逻辑区域的NMOS区域中注入第一电导率掺杂剂; 屏蔽逻辑区域; 在第二注入方向仅在存储区域的NMOS区域中注入第一电导率掺杂剂，从而减少所需的掩模数量; 掩蔽内存区域; 在所述第一和第二植入方向上在所述逻辑区域的PMOS区域中注入第二电导率掺杂剂。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 2. 发明申请
      US20070278557A1 Novel method to form memory cells to improve programming performance of embedded memory technology 审中-公开
    • Novel method to form memory cells to improve programming performance of embedded memory technology
    • 用于形成内存单元以提高嵌入式存储器技术编程性能的新方法
    • US20070278557A1
    • 2007-12-06
    • US11443779
    • 2006-05-31
    • Jihong Chen , Eddie Hearl Breashears , Xin Wang , John Howard Macpeak
    • Jihong Chen , Eddie Hearl Breashears , Xin Wang , John Howard Macpeak
    • H01L29/788
    • H01L29/7881 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/40114
    • An embedded memory device and method of forming MOS transistors having reduced masking requirements and defects using a single drain sided halo implant in the NMOS FLASH or EEPROM memory regions is discussed. The memory device comprises a memory region and a logic region. Logic transistors within the logic region have halos implanted at an angle underlying the channel from both drain and source region sides. Asymmetric memory cell transistors within the memory region receive a selective halo implant only from the drain side of the channel and not from the source side to form a larger halo on the drain side and leave a higher dopant concentration more deeply into the source side. One method of asymmetrically forming memory cell transistors comprises masking over the memory region; halo implanting a first conductivity dopant in NMOS regions of the logic region in first and second implant directions; masking over the logic region; halo implanting the first conductivity dopant in NMOS regions of the memory region in the second implant direction only, thereby reducing the number of masks required; masking over the memory region; halo implanting a second conductivity dopant in PMOS regions of the logic region in the first and second implant directions.
    • 讨论了在NMOS闪存或EEPROM存储器区域中使用单个漏极侧卤素注入形成具有减小的掩模要求和缺陷的MOS晶体管的嵌入式存储器件和方法。 存储器件包括存储器区域和逻辑区域。 逻辑区域内的逻辑晶体管具有从沟道和源极区两侧的通道下方的角度注入的光晕。 存储器区域内的不对称存储单元晶体管仅从沟道的漏极侧接收选择性晕圈注入而不从源极接收，以在漏极侧形成较大的卤素，并且在源极侧更高的掺杂浓度。 一种不对称形成存储单元晶体管的方法包括：对存储区进行掩蔽; 在第一和第二植入方向上在所述逻辑区域的NMOS区域中注入第一电导率掺杂剂; 屏蔽逻辑区域; 在第二注入方向仅在存储区域的NMOS区域中注入第一电导率掺杂剂，从而减少所需的掩模数量; 掩蔽内存区域; 在所述第一和第二植入方向上在所述逻辑区域的PMOS区域中注入第二电导率掺杂剂。
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