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    • 2. 发明授权
      US08823000B2 Pixel structure and manufacturing method thereof 有权
    • Pixel structure and manufacturing method thereof
    • 像素结构及其制造方法
    • US08823000B2
    • 2014-09-02
    • US13437003
    • 2012-04-02
    • Kuo-Wei Wu , Chin-Tzu Kao
    • Kuo-Wei Wu , Chin-Tzu Kao
    • H01L29/786
    • H01L29/78618 , H01L27/124 , H01L29/78696
    • A pixel structure includes a substrate, a gate line, a data line, a semiconductor pattern, a non-metal source electrode pattern, a non-metal drain electrode pattern, and a pixel electrode. The gate line and the data line are disposed on the substrate. The semiconductor pattern is disposed on the gate line, and the semiconductor pattern overlaps two corresponding edges of the gate line along a vertical projective direction. The non-metal source electrode pattern and the non-metal drain electrode pattern are disposed on the semiconductor pattern. The non-metal source electrode pattern and the non-metal drain electrode pattern are respectively disposed on two corresponding edges of the gate line. The non-metal source electrode pattern is partially disposed between the data line and the gate line. The pixel electrode is electrically connected to the non-metal drain electrode pattern.
    • 像素结构包括衬底，栅极线，数据线，半导体图案，非金属源电极图案，非金属漏电极图案和像素电极。 栅极线和数据线设置在基板上。 半导体图案设置在栅极线上，并且半导体图案沿着垂直投影方向与栅极线的两个对应边缘重叠。 非金属源电极图案和非金属漏电极图案设置在半导体图案上。 非金属源电极图案和非金属漏电极图案分别设置在栅极线的两个对应边缘上。 非金属源电极图案部分地设置在数据线和栅极线之间。 像素电极电连接到非金属漏电极图案。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20130175531A1 PIXEL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    • PIXEL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    • 像素结构及其制造方法
    • US20130175531A1
    • 2013-07-11
    • US13437003
    • 2012-04-02
    • Kuo-Wei Wu , Chin-Tzu Kao
    • Kuo-Wei Wu , Chin-Tzu Kao
    • H01L29/786 , H01L21/336
    • H01L29/78618 , H01L27/124 , H01L29/78696
    • A pixel structure includes a substrate, a gate line, a data line, a semiconductor pattern, a non-metal source electrode pattern, a non-metal drain electrode pattern, and a pixel electrode. The gate line and the data line are disposed on the substrate. The semiconductor pattern is disposed on the gate line, and the semiconductor pattern overlaps two corresponding edges of the gate line along a vertical projective direction. The non-metal source electrode pattern and the non-metal drain electrode pattern are disposed on the semiconductor pattern. The non-metal source electrode pattern and the non-metal drain electrode pattern are respectively disposed on two corresponding edges of the gate line. The non-metal source electrode pattern is partially disposed between the data line and the gate line. The pixel electrode is electrically connected to the non-metal drain electrode pattern.
    • 像素结构包括衬底，栅极线，数据线，半导体图案，非金属源电极图案，非金属漏电极图案和像素电极。 栅极线和数据线设置在基板上。 半导体图案设置在栅极线上，并且半导体图案沿着垂直投影方向与栅极线的两个对应边缘重叠。 非金属源电极图案和非金属漏电极图案设置在半导体图案上。 非金属源电极图案和非金属漏电极图案分别设置在栅极线的两个对应边缘上。 非金属源电极图案部分地设置在数据线和栅极线之间。 像素电极电连接到非金属漏电极图案。
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