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1. 发明专利

DE102012206387B4 Halbleiterzusammensetzung 未知
公开(公告)号：DE102012206387B4
公开(公告)日：2022-02-17
申请号：DE102012206387
申请日：2012-04-18
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WU YILIANG , GARDNER SANDRA , WIGGLESWORTH ANTHONY , LIU PING , HU NAN-XING
IPC分类号： H01L51/30 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L27/28
摘要： Elektronische Vorrichtung, umfassend eine Halbleiterschicht, wobei die Halbleiterschicht umfasst:ein amorphes Polymerbindemittel; undeinen kristallinen niedermolekularen Halbleiter mit einer mittleren Kristallgröße, welche mindestens zweimal kleiner ist, als die des niedermolekularen Halbleiters in einer Halbleiterschicht, welche thermisch bei einer Temperatur behandelt wurde, die oberhalb der Schmelztemperatur des niedermolekularen Halbleiters liegt;wobei die Halbleiterschicht eine Feldeffektmobilität von mindestens 0,2 cm2/V·sec aufweist, und wobei der niedermolekulare Halbleiter die Struktur der Formel (II) aufweist:wobei R2und R3unabhängig gewählt sind aus Alkenyl, substituiertem Alkenyl, Alkinyl, substituiertem Alkinyl, Aryl, substituiertem Aryl, Heteroaryl, substituiertem Heteroaryl, Alkoxy, Alkylthio, Trialkylsilyl, Ketonyl, Cyano und Halogen.

2. 发明专利

DE102012201840B4 Halbleiterzusammensetzung 未知
公开(公告)号：DE102012201840B4
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：DE102012201840
申请日：2012-02-08
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WU YILIANG , WIGGLESWORTH ANTHONY , LIU PING , HU NAN-XING
IPC分类号： C07D493/06 , H01L51/30 , H01L51/40
摘要： Verbindung der Formel (I):worin X O, S oder N-R3ist; A ist O oder S; Y ist O oder S; Z ist O, S, N oder C; die Gruppen Ar sind Arylgruppen, substituierte Arylgruppen, Heteroarylgruppen oder substituierte Heteroarylgruppen, wobei die Gruppen Ar gleich oder verschieden sein können; die Indizes n bedeuten jeweils unabhängig voneinander eine Zahl von 0 bis 2; m ist die Anzahl der Reste R2und ist eine ganze Zahl von 1 bis 3; R1und R3bedeuten jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Heteroarylgruppe, eine substituierte Arylgruppe, eine substituierte Heteroarylgruppe, eine Alkoxygruppe, eine Alkylthiogruppe, eine Alkenylgruppe, eine substituierte Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine substituierte Alkinylgruppe, eine Trialkylsilylgruppe, eine Arylalkylgruppe, eine Alkylarylgruppe oder ein Halogenatom; und die Reste R2bedeuten jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine substituierte Arylgruppe.

3. 发明专利

DE102011007727B4 HALBLEITENDE ZUSAMMENSETZUNG 未知
公开(公告)号：DE102011007727B4
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：DE102011007727
申请日：2011-04-20
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WU YILIANG , LIU PING , WIGGLESWORTH ANTHONY , HU NAN-XING
IPC分类号： C07D493/10 , C07C13/72 , C07D487/04 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , C40B99/00 , H01L51/30
摘要： Halbleitende Zusammensetzung, umfassend ein nicht amorphes Halbleitermaterial und ein molekulares Glas, wobei das molekulare Glas ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus:einer Spiroverbindung der Formel (1) oder Formel (2)wobei jeder Substituent R unabhängig aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, etwa 1 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen umfassendes Alkyl, Aryl oder substituiertes Aryl mit von etwa 3 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen, Hydroxyl, geschütztem Hydroxyl, Amino, geschütztem Amino, - OR', -OCOOR', -CNO, -NHCOOR', Hydroxyphenyl, -COOH und Epoxy ausgewählt wird und R' für Alkyl steht;einer Struktur ausgewählt aus einer der Formeln (3) bis Formel (8):wobei jedes R unabhängig aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, etwa 1 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen umfassendes Alkyl, Aryl oder substituiertes Aryl mit von etwa 3 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen, Hydroxyl, geschütztem Hydroxyl, Amino, geschütztem Amino, -OR', - OCOOR', -CNO, -NHCOOR', Hydroxyphenyl, -COOH und Epoxy ausgewählt wird und R' für Alkyl steht;einem Silan der Formel (9):wobei jeder Substituent R unabhängig aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, etwa 1 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen umfassendes Alkyl, Aryl oder substituiertes Aryl mit von etwa 3 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen, Hydroxyl, geschütztem Hydroxyl, Amino, geschütztem Amino, - OR', -OCOOR', -CNO, -NHCOOR', Hydroxyphenyl, -COOH und Epoxy ausgewählt wird und R' für Alkyl steht und m und n beides ganze Zahlen sind, wobei m + n = 4;einem Adamantanderivat der Formel (10):in der jedes R unabhängig für einen ein Heteroatom umfassenden Substituenten steht;einer Struktur ausgewählt aus einer der Formeln (11) bis Formel (13):wobei jeder Substituent R unabhängig aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, etwa 1 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen umfassendes Alkyl, Aryl oder substituiertes Aryl mit von etwa 3 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen, Hydroxyl, geschütztem Hydroxyl, Amino, geschütztem Amino, - OR', -OCOOR', -CNO, -NHCOOR', Hydroxyphenyl, -COOH und Epoxy ausgewählt wird und R' für Alkyl steht;einem Calixarenderivat der Formel (14):wobei jeder Substituent R unabhängig aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, etwa 1 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen umfassendes Alkyl, Aryl oder substituiertes Aryl mit von etwa 3 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen, Hydroxyl, geschütztem Hydroxyl, Amino, geschütztem Amino, - OR', -OCOOR', -CNO, -NHCOOR', Hydroxyphenyl, -COOH und Epoxy ausgewählt wird und R' für Alkyl steht und R1für eine mit einem sauerstoffhaltigen Rest substituierte Phenylgruppe steht; undeinem Arylaminderivat ausgewählt aus einer der Formeln (16) bis Formel (24):wobei jeder Substituent R, R1und R2unabhängig aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, etwa 1 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen umfassendes Alkyl, Aryl oder substituiertes Aryl mit von etwa 3 bis etwa 18 Kohlenstoffatomen, Hydroxyl, geschütztem Hydroxyl, Amino, geschütztem Amino, -OR', -OCOOR', -CNO, -NHCOOR', Hydroxyphenyl, -COOH und Epoxy ausgewählt wird und R' für Alkyl steht, n eine ganze Zahl von 1 bis 6 ist und Ar unabhängig ausgewählt wird aus Aryl, Heteroaryl, substituiertem Aryl und substituiertem Heteroaryl.

4. 发明专利

DE102012201975B4 Elektronische Vorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102012201975B4
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：DE102012201975
申请日：2012-02-10
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WIGGLESWORTH ANTHONY , WU YILIANG , LIU PING
IPC分类号： H01L51/00 , C07D495/06 , H01L51/30
摘要： Elektronische Vorrichtung mit einer Halbleiterschicht, wobei die Halbleiterschicht eine Thiaxanthenothiaxanthenverbindung der Formel (I) enthält:worin R1bis R10jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus einem Wasserstoffatom, einer Alkylgruppe, einer substituierten Alkylgruppe, einer Alkoxygruppe, einer Alkylthiogruppe, einer Alkenylgruppe, einer substituierten Alkenylgruppe, einer Ethinylgruppe, einer substituierten Ethinylgruppe, einer Arylgruppe, einer substituierten Arylgruppe, einer Heteroarylgruppe, einer substituier-ten Heteroarylgruppe, einer Trialkylsilylgruppe, einer Fluorkohlenwasserstoffgruppe, einer Cyanogruppe und einem Halogenatom; wobei der Halbleiter der Formel (I) zu mehr als 50% kristallin oder flüssigkristallin ist,und wobei die Halbleiterschicht weiterhin ein Polymerbindemittel umfasst,und wobei die elektronische Vorrichtung weiterhin eine dielektrische Schicht mit einer modifizierten Oberfläche umfasst, wobei die Halbleiterschicht in direktem Kontakt mit der modifizierten Oberfläche ist.

5. 发明专利

DE102012208544B4 Elektronische Vorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102012208544B4
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：DE102012208544
申请日：2012-05-22
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WU YILIANG , WIGGLESWORTH ANTHONY , LIU PING , HU NAN-XING
IPC分类号： H01L51/30 , H01L51/10 , H01L51/40
摘要： Elektronische Vorrichtung, umfassend:eine Halbleiterschicht, die einen Halbleiter mit kleiner Molekülgröße und ein Polymerbindemittel enthält; undeine Ausrichtungsschicht, die in Kontakt mit der Halbleiterschicht angeordnet ist,wobei der Halbleiter mit kleiner Molekülgröße durch die folgende Formel (III) dargestellt wirdworin R8und R9jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus einer Alkylgruppe und einer substituierten Alkylgruppe; und wobei die Gruppen Ar jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus einer Arylengruppe und einer Heteroarylengruppe.

6. 发明专利

DE102011089351B4 Halbleiterzusammensetzung 未知
公开(公告)号：DE102011089351B4
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：DE102011089351
申请日：2011-12-21
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WU YILIANG , WIGGLESWORTH ANTHONY , LIU PING , HU NAN-XING
IPC分类号： H01L51/30 , C07D495/04 , C08K5/45 , C08L25/06 , C08L25/16
摘要： Halbleiterzusammensetzung, umfassend:ein Polymerbindemittel, wobei das Polymerbindemittel ein auf Styrol basierendes Polymer oder ein auf Arylamin basierendes Polymer ist; undeinen niedermolekularen Halbleiter der Formel (I):wobei jedes R1unabhängig gewählt wird aus Alkyl, substituiertem Alkyl, Alkenyl, substituiertem Alkenyl, Alkinyl, substituiertem Alkinyl, Aryl, substituiertem Aryl, Heteroaryl, substituiertem Heteroaryl, Alkoxy, Alkylthio, Trialkylsilyl, Ketonyl, Cyano und Halogen; m und n die Anzahl der R1-Seitenketten an dem jeweiligen Phenyl- oder Naphthylring sind und unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 6 sind; X aus der Gruppe gewählt ist, bestehend aus O, S und Se; und a, b und c unabhängig 0 oder 1 sind;wobei die Halbleiterzusammensetzung in der Lage ist, eine Schicht mit einer Feldeffektbeweglichkeit von mehr als 0,10 cm2/V·s zu bilden.

7. 发明专利

DE102012201973B4 Halbleiterzusammensetzung 未知
公开(公告)号：DE102012201973B4
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：DE102012201973
申请日：2012-02-10
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： WIGGLESWORTH ANTHONY , WU YILIANG , LIU PING
IPC分类号： C07D471/06 , H01L51/30
摘要： Halbleiterzusammensetzung, umfassend ein Polymerbindemittel und eine Halbleiterverbindung der Formel (I):worin R1und R2unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus einem Wasserstoffatom, einer Alkylgruppe, einer substituierten Alkylgruppe, einer Arylgruppe und einer substituierten Arylgruppe; und worin R3bis R12unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus einem Wasserstoffatom, einer Alkylgruppe, einer substituierten Alkylgruppe, einer Alkoxygruppe, einer Alkylthiogruppe, einer Alkenylgruppe, einer substituierten Alkenylgruppe, einer Ethinylgruppe, einer substituierten Ethinylgruppe, einer Arylgruppe, einer substituierten Arylgruppe, einer Heteroarylgruppe, einer substituierten Heteroarylgruppe, einer Trialkylsilylgruppe, einer Fluorkohlenwasserstoffgruppe, einer Cyanogruppe und einem Halogenatom; wobei der Halbleiter der Formel (I) zu mehr als 50% kristallin oder flüssigkristallin ist;wobei das Polymerbindemittel ein Styrolpolymer mit einem gewichtsgemittelten Molekulargewicht von 40000 bis 2000000 ist.

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