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1. 发明公开

KR20180022738A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：基板处理方法和基板处理设备
公开(公告)号：KR20180022738A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR20180019931
申请日：2018-02-20
申请人： SCREEN HOLDINGS CO LTD
发明人： IWATA KEIJI , NEGORO SEI , UEMURA TOMOHIRO , SUGAHARA YUJI
IPC分类号： H01L21/67 , B08B3/02 , H01L21/02 , H01L21/302
CPC分类号： B08B3/02 , H01L21/6708
摘要： 기판처리방법은, 표층이경화된레지스트내에패턴이배치된기판으로부터상기레지스트를제거하는방법으로서, 황산과과산화수소수를혼합함으로써생성된 SPM 을기판에공급하는 SPM 공급공정과, SPM 의생성에사용되는황산및 과산화수소수의혼합비를상기 SPM 공급공정과병행하여변경함으로써, 상기 SPM 공급공정에있어서기판에공급되는 SPM 의액온을상승시키는액온상승공정을포함한다.
摘要翻译：一种基板处理方法，该方法是从具有设置在抗蚀剂内部的图案的基板去除其表面层已经固化的抗蚀剂的方法，并且包括SPM供给步骤，该步骤提供通过混合硫酸和过氧化氢溶液加入到基材中;和液体升温步骤，与SPM供应步骤并行地改变用于形成SPM的硫酸和过氧化氢溶液的混合比例，以增加供应的SPM的液体温度到SPM供应步骤中的衬底。

2. 发明专利

JP2015056448A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015056448A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013187627
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： NEGORO SEI , NAGAI YASUHIKO , IWATA KEIJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/10 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0064 , B08B7/0071 , H01L21/67028 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要：【課題】基板の主面にダメージを与えることなく、当該主面に、ヒータを用いた良好な処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】ウエハWの表面にSPM液の液膜を保持する液膜保持工程と、液膜保持工程に並行して、ウエハWの表面に対向配置されたヒータ54の出力を第1出力に設定して、SPM液の液膜を加熱するステップS31の第1ヒータ加熱工程と、液膜保持工程に並行して、ステップS31の第1ヒータ加熱工程の後に、ヒータ54の出力を第1出力よりも低い第2出力に変更して、SPM液の液膜を加熱するステップS32の第2ヒータ加熱工程とを含む、基板処理方法を実施する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过使用加热器对基板的主表面进行精细处理而不损害主表面的基板处理方法以及基板处理装置。解决方案：基板处理方法包括：用于将SPM液膜保持在晶片W的表面上的液膜保持步骤; 步骤S31中的第一加热器加热步骤，用于通过将与晶片W的表面相对布置的加热器54的输出设置为与液膜保持步骤平行的第一输出来加热SPM液膜; 以及步骤S32中的第二加热器加热步骤，用于通过在步骤S31中与液膜平行地将加热器54的输出改变为低于第一加热器加热步骤之后的第一输出的第二输出来加热SPM液膜保持步伐

3. 发明专利

JP2015050352A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015050352A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013181510
申请日：2013-09-02
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： NEGORO SEI , MURAMOTO RYO , NAGAI YASUHIKO , OSUGA TSUTOMU , IWATA KEIJI
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】処理液の供給開始時における基板の局所的な温度変化を抑制すること。【解決手段】基板処理方法は、高温のSPMを基板の上面に供給するSPM供給工程S2と、SPM供給工程S2の後に、室温のDIWを基板の上面に供給することにより、基板に残留している液体を洗い流すDIW供給工程S8と、SPM供給工程S2の後でかつDIW供給工程S8の前に、SPMを基板の上面に向けて吐出すると共に、SPMにおける硫酸の割合を減少させることにより、SPMの温度を低下させる工程S5、S6とを含む【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制开始处理液体供给时的基板的局部温度变化。解决方案：基板处理方法包括：用于向基板的上表面供给高温SPM的SPM供给步骤S2，DIW供给步骤S8，用于通过在SPM供应步骤S2之后向基板的上表面提供室温的DIW以及用于降低SPM的温度的步骤S5，S6，通过将SPM朝向在SPM供应步骤S2之后和DIW供应步骤S8之前，基板的上表面，并且降低SPM中的硫酸的比例。

4. 发明专利

JP2015056447A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015056447A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013187626
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： NEGORO SEI , NAGAI YASUHIKO , IWATA KEIJI , OSUGA TSUTOMU , MURAMOTO RYO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/67103 , H01L21/6715
摘要：【課題】基板の主面にダメージを与えることなく、当該主面に、ヒータを用いた良好な処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】ウエハWの主面にSPM液を供給するステップS31のSPM液膜形成工程と、ウエハWの主面にSPM液の液膜を保持しながら、ウエハWを回転させるウエハ回転工程と、ウエハ回転工程に並行して、SPM液の前記液膜を、ウエハWの主面に対向配置されたヒータ54によって加熱するステップS3のSPM供給・ヒータ加熱工程と、ステップS3のSPM供給・ヒータ加熱工程に並行して、ヒータ54からSPM液の液膜の所定部分に与えられる単位時間当たりの熱量を、ウエハWの回転速度に応じて調整する熱量調整工程とを含む、基板処理方法を実施する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过使用加热器对基板的主表面进行精细处理而不损害主表面的基板处理方法以及基板处理装置。解决方案：基板处理方法包括：在步骤S31中用于将SPM液体供给到晶片W的主表面的SPM液膜形成步骤; 晶片旋转步骤，用于使晶片W旋转，同时将SPM液膜保持在晶片W的主表面上; 在步骤S3中，通过使用与晶片W的主表面平行布置的加热器54来加热SPM液膜的SPM供应/加热器加热步骤; 一个热量调节步骤，用于根据晶片W的旋转速度，与步骤S中的SPM供应/加热器加热步骤并行地调节从加热器54在SPM液膜的规定部分上给出的每单位时间内的热量 S3。

5. 发明专利

JP2015050350A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015050350A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013181508
申请日：2013-09-02
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： NEGORO SEI , MURAMOTO RYO , NAGAI YASUHIKO , OSUGA TSUTOMU , IWATA KEIJI
IPC分类号： H01L21/304 , B08B3/04 , B08B3/08 , G02F1/13 , H01L21/306
摘要：【課題】処理液の供給開始時における基板の局所的な温度変化を抑制すること。【解決手段】基板処理方法は、高温のSPMを基板の上面に供給するSPM供給工程S2と、SPM供給工程S2の後に、室温のDIWを基板の上面に供給することにより、基板に残留している液体を洗い流すDIW供給工程S8と、SPM供給工程S2の後でかつDIW供給工程S8の前に、液温がSPMの温度よりも低く室温以上の過酸化水素水を、SPMが基板に残留している状態で基板の上面に供給する過酸化水素水供給工程S5とを含む。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：抑制开始处理液体供应时的局部温度变化。解决方案：基板处理方法包括：用于向基板的上表面提供高温SPM的SPM供给步骤S2，用于通过在SPM供给步骤S2之后，将室温下的DIW供给到基板的上表面，从而将残留在基板上的液体冲洗掉;以及过氧化氢水供给步骤S5，其供给液体温度以下的过氧化氢水。的SPM，并且在SPM供给步骤S2之后和DIW供给步骤S8之前，在SPM保留在基板上的状态下等于或高于基板的上表面的室温。

6. 发明专利

JP2015050351A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板处理方法和基板处理装置
公开(公告)号：JP2015050351A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013181509
申请日：2013-09-02
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： NEGORO SEI , MURAMOTO RYO , NAGAI YASUHIKO , OSUGA TSUTOMU , IWATA KEIJI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B05D3/105 , B05D1/36 , H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要：【課題】処理液の供給開始時における基板の局所的な温度変化を抑制すること。【解決手段】基板処理方法は、高温のSPMを基板の上面に供給するSPM供給工程S2と、SPM供給工程S2の後に、室温のDIWを基板の上面に供給することにより、基板に残留している液体を洗い流すDIW供給工程S8と、SPM供給工程S2の後でかつDIW供給工程S8の前に、液温がSPMの温度よりも低く室温以上の過酸化水素水を、SPMが基板に残留している状態で基板の上面に供給する過酸化水素水供給工程S5と、過酸化水素水供給工程S5と並行して高温の純水を基板の下面に供給する温度低下抑制工程S6とを含む。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制开始处理液体供给时的基板的局部温度变化。解决方案：基板处理方法包括用于将高温SPM提供到基板的上表面的SPM供给步骤S2，DIW 供给步骤S8，用于通过在SPM供应步骤S2之后将室温DIW供给到基板的上表面来洗涤残留在基板上的液体;过氧化氢水供应步骤S5，其供应具有液体温度的过氧化氢低于SPM的温度，并且在SPM供给步骤S2之后和DIW供给步骤S8之前，在SPM供给步骤S2和DIW供给步骤S8之前，在SPM保留在基板上的状态下等于高于基板的上表面的室温，抑制步骤S6，用于向过氧化氢水供给步骤S5平行地向基板的下表面供给高温纯水。

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