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1. 发明公开

KR20180058210A 데이터의 검증 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180058210A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：KR20170157643
申请日：2017-11-23
申请人： STARCHIP , IDEMIA IDENTITY & SECURITY FRANCE
发明人： JEAN YVES BERNARD , YVES FUSELLA , MAEL BERTHIER , LAUREN DEL GIUDICE
IPC分类号： H04L9/32
CPC分类号： H04L63/126 , G06F12/1408 , G06F21/554 , G06F21/64 , G06F21/71 , G06F21/72 , G06F21/77 , G06F2221/2105 , H04L9/3226 , H04L9/3242 , H04L63/18 , H04L67/42
摘要： 본발명은장비에포함된전자장치에의해발생된데이터를검증하기위한방법에관한것으로, 이러한전자장치는계산유닛, 1회프로그램가능한메모리, 및휘발성메모리를포함하고, 상기장비는다시쓰기가능한비휘발성메모리와, 상기다시쓰기가능한비휘발성메모리에상기전자장치가데이터를저장하는것을가능하게하는통신버스를포함한다. 이러한방법은장비와서버사이의암호화에의해안전한채널을생성하는단계(21); 상기서버로부터, 인증키를얻는단계(22, 23); 데이터와메시지인증코드를상기다시쓰기가능한비휘발성메모리로부터상기휘발성메모리에로드하는단계(24)로서, 상기메시지인증코드는상기다시쓰기가능한비휘발성메모리에서의메시지인증코드와상기데이터를저장하기전에, 상기인증키와상기데이터로부터상기전자장치에의해얻어진것이고, 상기전자장치는상기메시지인증코드를얻은후 상기인증키를보관하지않는, 상기단계(24); 및비밀키와메시지인증코드를사용하여상기데이터를검증하는단계(26)를포함한다.

2. 发明专利

BR112013033196A2 processo de gestão da resitência de memórias não voláteis 未知
公开(公告)号：BR112013033196A2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：BR112013033196
申请日：2012-06-22
申请人： STARCHIP
发明人： SAMUEL CHARBOUILLOT , STÉPHANE RICARD , YVES FUSELLA
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/34

3. 发明专利

BR112013033196A8 processo de gestão da resistência de memórias não voláteis 未知
公开(公告)号：BR112013033196A8
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：BR112013033196
申请日：2012-06-22
申请人： STARCHIP
发明人： SAMUEL CHARBOUILLOT , STÉPHANE RICARD , YVES FUSELLA
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/34

4. 发明专利

BR112013033196B1 processo de gestão da durabilidade de um sistema de armazenagem de dados e dispositivo para aplicação do processo 未知
公开(公告)号：BR112013033196B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：BR112013033196
申请日：2012-06-22
申请人： STARCHIP
发明人： SAMUEL CHARBOUILLOT , STÉPHANE RICARD , YVES FUSELLA
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/34
摘要： processo de gestão da resistência de memórias não voláteis. a invenção se refere a um processo de gestão da resistência de um sistema de armazenagem de dados provido de um conjunto de setores oriundos de uma capacidade de resistência nativa garantida (g), comportando as etapas que consistem em : - dividir esse sistema de armazenagem de dados em uma pluralidade de setores de trabalho, e em uma pluralidade de setores de substituição, aptos a formarem um reservatório de resistência, certos setores de trabalho sendo destinados a serem substituídos por setores de substituição, quando esses setores de trabalho estão usados, após um certo número de ciclos de programação e/ou apagamento ; - definir uma zona de gerenciamento de endereços, permitindo encontrar o local dos setores de substituição afetados a setores de trablhos usados ; - determinar, setor por setor, se um setor de trabalho corrente está fisicamente usado, e executar uma etapa de substituição desse setor de trabalho por um setor de substituição, unicamente quando esse setor de trabalho corrente é declarado fisicamente usado. esse processo de gestão de resistência é notadamente caracterizado pelo fato de, para medir o uso de um setor, se proceder a uma leitura automática da qualidade de apagamento dos pontos da memória do setor em relação um critério de leitura rigoroso (margin vref), isto é, mais rigoroso que um critério normal (normal vref).

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