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1. 发明公开

CN108431994A 金属氟化物涂覆的嵌锂材料和其制备方法及其用途无效
公开(公告)号：CN108431994A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680059164.9
申请日：2016-08-08
申请人：工业研究与发展基金会有限公司
发明人： Y.艾因-埃利 , A.克雷茨伯格 , H.德雷兹纳
IPC分类号： H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/136 , H01M4/139 , H01M10/0525 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/48 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , C23C14/06 , C23C16/30
CPC分类号： H01M10/0525 , C23C16/10 , C23C16/30 , C23C16/4417 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , H01M2/14 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/62 , H01M4/621 , H01M2004/021
摘要：本文提供了一种降低循环期间可再充电锂离子电池组(LIB)的充电/放电容量衰减速率并延长其寿命和其放电/再充电循环次数的方法，其通过涂覆所用嵌锂材料用于制造LIB的电极，具有由原子层沉积(ALD)影响的均匀的金属氟化物层。还提供了涂覆的微粒嵌锂材料，电极和锂离子电池组，所述电极和锂离子电池组具有使用ALD以均匀后来的金属氟化物涂覆的微粒嵌锂材料制成的电极。

2. 发明授权

CN102618844B 沉积材料的方法有权
公开(公告)号：CN102618844B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210020804.9
申请日：2012-01-30
申请人： FEI 公司
发明人： A.P.J.M.博特曼 , S.兰多夫 , M.托思
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/04
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要：改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体来沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ∙cm的材料。

3. 发明公开

CN102618844A 沉积材料的方法有权
公开(公告)号：CN102618844A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210020804.9
申请日：2012-01-30
申请人： FEI公司
发明人： A.P.J.M.博特曼 , S.兰多夫 , M.托思
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/04
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要：改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体来沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ·cm的材料。

4. 发明申请

US20170368796A1 GASIFICATION COMPONENT COATED WITH CHROMIUM COATING AND METHOD FOR PROTECTING GASIFICATION COMPONENT BY USING CHROMIUM COATING 审中-公开
公开(公告)号：US20170368796A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：US15616352
申请日：2017-06-07
申请人： General Electric Company
发明人： Dalong ZHONG , Lawrence Bernard KOOL , Boon Hing TAN
IPC分类号： B32B15/01 , C10J3/72 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/04
CPC分类号： B32B15/017 , B22F1/0059 , B22F1/007 , B22F7/08 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , C10J3/72 , C10J3/74 , C23C16/0281 , C23C16/042 , C23C16/06 , C23C16/10 , Y02E20/16 , Y02E20/18
摘要： A gasification component for use in a gasification environment includes a metal-based substrate and a coating deposited on the metal-based substrate. The coating includes at least about 51% by weight of chromium in the alpha phase at an operating temperature of gasification.

5. 发明公开

EP2975153A2 CHROMIUM-ENRICHED DIFFUSED ALUMINIDE COATING 审中-公开
标题翻译：富铬扩散铝涂层
公开(公告)号：EP2975153A2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：EP15177119.3
申请日：2015-07-16
申请人： United Technologies Corporation
发明人： LIVINGS, Mark A.
IPC分类号： C23C10/02 , C23C10/14 , C23C10/16 , C23C10/28 , C23C16/10 , C23C16/12 , C23C16/56
CPC分类号： C23C16/06 , B32B15/01 , C23C10/02 , C23C10/14 , C23C10/16 , C23C10/28 , C23C16/10 , C23C16/12 , C23C16/46 , C23C16/56 , F01D5/187 , F01D5/28 , F01D5/288 , F05D2230/314 , F05D2230/90 , F05D2300/121 , F05D2300/132 , F05D2300/175
摘要： A method (200) of applying a protective coating (106) to an article (100) comprises the steps of a) depositing aluminum in a surface region of an article (100), and b) depositing chromium is the surface region of the article subsequent to step a), whereby at least a portion of the chromium replaces at least a portion of the aluminum.
摘要翻译：将保护涂层（106）施加到制品（100）的方法（200）包括以下步骤：a）在制品（100）的表面区域沉积铝，以及b）沉积铬是制品在步骤a）之后，由此至少一部分铬置换至少一部分铝。

6. 发明授权

US09951417B2 Method of depositing material 有权
公开(公告)号：US09951417B2
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：US14507540
申请日：2014-10-06
申请人： FEI Company
发明人： Aurélien Philippe Jean Maclou Botman , Steven Randolph , Milos Toth
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/48 , C23C16/448 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要： Material is deposited in a desired pattern by spontaneous deposition of precursor gas at regions of a surface that are prepared using a beam to provide conditions to support the initiation of the spontaneous reaction. Once the reaction is initiated, it continues in the absence of the beam at the regions of the surface at which the reaction was initiated.

7. 发明申请

US20150099071A1 METHOD OF DEPOSITING MATERIAL 审中-公开
标题翻译：沉积材料的方法
公开(公告)号：US20150099071A1
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：US14507540
申请日：2014-10-06
申请人： FEI Company
发明人： Aurélien Philippe Jean Maclou Botman , Steven Randolph , Milos Toth
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/52 , C23C16/448 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要： Material is deposited in a desired pattern by spontaneous deposition of precursor gas at regions of a surface that are prepared using a beam to provide conditions to support the initiation of the spontaneous reaction. Once the reaction is initiated, it continues in the absence of the beam at the regions of the surface at which the reaction was initiated.
摘要翻译：通过在使用光束制备的表面的区域处自发沉积前体气体以提供支持自发反应开始的条件，将材料沉积成所需的图案。一旦反应开始，它在反应开始的表面的区域没有光束的情况下继续进行。

8. 发明授权

US6004872A Method of manufacturing semiconductor device 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US6004872A
公开(公告)日：1999-12-21
申请号：US959845
申请日：1997-10-29
申请人： Yoshihiro Tezuka , Kunihiro Tada
发明人： Yoshihiro Tezuka , Kunihiro Tada
IPC分类号： C23C16/10 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28052 , C23C16/10 , H01L21/28518 , H01L29/665
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, comprises the steps of, preparing a silicon substrate having a source region, a drain region, a gate electrode and an SiO.sub.2 film formed on one surface, depositing titanium on the one surface of the silicon substrate by CVD using a high frequency plasma of a low density to form a TiSi.sub.2 layer having a C54 crystal phase, so that the TiSi.sub.2 layer covers the source and drain regions and gate electrode, and a Ti layer covers the SiO.sub.2 film. The Ti layer formed on the SiO.sub.2 film is removed by a selective etching.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备具有在一个表面上形成的源极区，漏极区，栅电极和SiO 2膜的硅衬底，通过CVD在硅衬底的一个表面上沉积钛使用低密度的高频等离子体形成具有C54结晶相的TiSi 2层，使得TiSi 2层覆盖源极和漏极区域和栅极电极，并且Ti层覆盖SiO 2膜。通过选择性蚀刻除去形成在SiO 2膜上的Ti层。

9. 发明申请

US20120196440A1 Method of Depositing Material 有权
标题翻译：沉积材料的方法
公开(公告)号：US20120196440A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：US13017015
申请日：2011-01-30
申请人： Aurelien Philippe Jean Maclou Botman , Steven Randolph , Milos Toth
发明人： Aurelien Philippe Jean Maclou Botman , Steven Randolph , Milos Toth
IPC分类号： H01L21/285
CPC分类号： C23C16/0263 , C23C16/10 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/52
摘要： Material is deposited in a desired pattern by spontaneous deposition of precursor gas at regions of a surface that are prepared using a beam to provide conditions to support the initiation of the spontaneous reaction. One the reaction is initiated, it continues in the absence of the beam at the regions of the surface at which the reaction was initiated.
摘要翻译：通过在使用光束制备的表面的区域处自发沉积前体气体以提供支持自发反应开始的条件，将材料沉积成所需的图案。一个反应开始，它在反应开始的表面区域没有光束的情况下继续。

10. 发明申请

US20110159210A1 Metal halide reactor deposition method 审中-公开
标题翻译：金属卤化物反应堆沉积法
公开(公告)号：US20110159210A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：US12930547
申请日：2011-01-11
申请人： Hubert Patrovsky
发明人： Hubert Patrovsky
IPC分类号： C23C16/08
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/08 , C23C16/10 , C23C16/12 , C23C16/14 , C30B25/14
摘要： The invention utilizes a metal halide generating reactor that permits the temperature of the generation of a metal halide from a gaseous halide compound, a halogen gas, or an interhalogen compound at controlled temperatures distinctly different from controlled temperatures of a deposition furnace where metal layers are deposited by CVD processes upon substrates. The method may be further expanded to provide additional layers or reactions on the surface of the substrates with secondary reactions between reactive gases or between species of a metal halide different from the first deposition. Metal halide gases may for example be generated at successive temperatures and with successive different halogen gases or compounds.
摘要翻译：本发明利用金属卤化物生成反应器，其允许在与沉积炉的控制温度明显不同的气态卤化物化合物，卤素气体或卤间化合物中产生金属卤化物的温度，其中沉积炉沉积金属层通过基板上的CVD工艺。该方法可以进一步扩展，以在反应气体之间或不同于第一沉积物的金属卤化物的种类之间的二次反应在衬底的表面上提供附加的层或反应。金属卤化物气体可以例如在连续的温度下和连续的不同的卤素气体或化合物中产生。

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