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1. 发明公开

CN108349627A 用于容纳金属卤化物的内部涂覆的容器无效
公开(公告)号：CN108349627A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680060345.3
申请日：2016-10-27
申请人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人：让-马克·吉拉尔 , 格伦·库肯贝塞尔 , 尼古拉斯·布拉斯科 , 文森特·欧马杰 , 文卡特斯瓦拉·帕伦姆
IPC分类号： B65D25/14 , B65D85/00 , C23C16/455 , C23C16/06
CPC分类号： B65D25/14 , B65D85/70 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/4402 , C23C16/448 , C23C16/4481 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , C23C16/45555
摘要：提供了一种在其中具有内部可润湿表面的容器，这些表面涂覆有一个或多个阻隔层以例如抑制该容器中容置的材料(例如金属卤化物)的污染。

2. 发明公开

CN107978541A 成膜装置和成膜方法无效
公开(公告)号：CN107978541A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710969596.X
申请日：2017-10-18
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：小田桐正弥 , 桑田拓岳 , 江原宽贵 , 田部井幸宽 , 高桥毅 , 中村秀雄 , 山崎和良 , 出野由和
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45548 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要：本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。

3. 发明授权

CN105492384B 制造装置、供给单元及碳纳米管的制造方法失效
公开(公告)号：CN105492384B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480046680.9
申请日：2014-08-28
申请人：国立大学法人静冈大学 , 捷恩智株式会社
发明人：井上翼 , 中野贵之 , 中西太宇人
IPC分类号： C01B32/162
CPC分类号： C01B32/158 , C01B32/162 , C23C16/26 , C23C16/448
摘要：本发明提供一种制造装置、供给单元及碳纳米管的制造方法。所述制造装置为通过气相催化法来制造碳纳米管的制造装置，具备：第一腔室，具有作为形成碳纳米管的区域的成长区域；第一调温装置、第一调温装置，可调整第一腔室内的成长区域的温度；调压装置、调压装置，可调整第一腔室内的压力；第一供给装置，可对第一腔室内的成长区域供给碳源；第一气化装置(包含加热器)，可将配置在制造装置内的液体气化；第一气化装置(包含加热器)可将液体气化，以将由液体所含有的含铁族元素物质及含卤素物质所形成的至少一种气相催化剂供给至第一腔室内的成长区域。该制造装置可以提高通过气相催化法所制造的碳纳米管的生产性。

4. 发明授权

CN104053811B 用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统有权
公开(公告)号：CN104053811B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280056744.4
申请日：2012-11-07
申请人：第一太阳能有限公司
发明人：约翰·巴顿 , 瑞克·C·鲍威尔
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/22 , C03C17/00 , C23C14/56 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1828 , C23C14/228 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/56 , C23C16/448 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L31/02963 , H01L31/046 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要：一种改进的用于持续气相传输沉积的方法和给料器系统，所述给料器系统包括通过改进的密封件结合到共同的分配器的至少两个蒸发器，以用于分别蒸发和收集至少任何两种可蒸发材料，以使材料在基底上沉积为材料层。多个蒸发器提供冗余操作并允许在蒸发器维修和修理期间持续沉积。

5. 发明公开

CN106011783A 一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法有权
公开(公告)号：CN106011783A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610532362.4
申请日：2016-07-07
申请人：北京大学
发明人：彭海琳 , 吴金雄 , 谭聪伟
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L29/24 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L31/032 , H01L31/09
摘要：本发明公开了一种高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi2O2Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2O2Se半导体薄膜。该方法经济、简单易行、所得薄膜大面积连续迁移率高，具有广阔应用前景。

6. 发明公开

CN105887045A 二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备无效
公开(公告)号：CN105887045A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510415416.4
申请日：2015-07-15
申请人：炬力奈米科技有限公司
发明人：叶昭辉 , 邱壬官
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/30
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
摘要：一种二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备。二维层状硫族化合物的合成方法包括加热基材至反应温度；暴露基材于催化气体、前驱物蒸气及硫族前驱物气体中；利用一气体活化单元来离子化催化气体与硫族前驱物气体，藉以产生能量化粒子，其中能量化粒子与前驱物蒸气反应而形成硫族化合物气体；及降低基材的温度，以使硫族化合物气体沉积于基材上而形成二维层状硫族化合物。

7. 发明授权

CN103119193B 一种真空镀覆的方法与装置有权
公开(公告)号：CN103119193B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180045868.8
申请日：2011-07-22
申请人：莱宝光电有限公司
发明人：托斯腾·许毛德 , 君特·柯恩
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C16/448 , C23C14/50 , C23C16/50
摘要：本发明提供一种真空镀覆装置（1），将基材在一真空室（175）中作真空镀覆，该真空镀覆装置（1）包含一长形延伸的蒸发器具（10）（110）（110a），及一第一基材载体装置（21）（121）（221）；该蒸发器具（10）（110）（110a）具有多数沿一垂直纵轴（40）设置的蒸发器组件（10a）（210a）；该第一基材载体装置（21）（121）（221）与该蒸发器具（10）（110）（110a）相关联且具一第一塔架；该第一塔架可绕一第一旋转轴（41）（241）旋转且具有保持手段以将基材保持，其中该纵轴（40）与该第一旋转轴（41）（241）之间偏离一角度，小于10度；其中，该装置（1）有至少一个与该蒸发器具（10）（110）（110a）相关的第二基材载体装置（22）（122）（222），该第二基材载体装置具有一可绕一第二旋转轴（42）（242）转动的第二塔架，该第二塔架具有保持手段以将基材保持；其中该二个塔架的轴相对于该蒸发器具的纵轴（40）设计成固定；在该纵轴（40）和第二旋转轴（42）（242）之间偏离了小于10度的角度，且该蒸发器具（10）（110）（110a）与第一基材载体装置（21）（121）（221）及该至少一第二基材载体装置（22）（122）（222）设成使得利用该蒸发具（10）作镀覆，该第一基材载体装置（21）（121）（122）和该至少一第二基材载体装置（22）（122）（222）的基材的镀覆质量相同。此外还关于一种利用此装置作真空镀覆的方法。

8. 发明公开

CN105378136A 具有气体供应的蒸发装置失效
公开(公告)号：CN105378136A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038710.1
申请日：2014-06-26
申请人：应用材料公司
发明人： G·霍夫曼 , S·施拉姆 , R·特拉斯尔
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/24 , C23C14/56 , C23C14/08 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/448 , C23C14/0021 , C23C14/081 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/562
摘要：描述了一种用于在由滚筒(170)支撑的基板(160)上沉积材料的蒸发装置(100)。所述蒸发装置包括：第一组蒸发坩埚(110)，所述第一组蒸发坩埚在沿第一方向(121)的第一线(120)上对齐，并且用于将经蒸发的材料沉积在所述基板上；第一气体供应管道(130)，所述第一气体供应管道在所述第一方向(121)上延伸，并且布置在所述第一组蒸发坩埚(110)中的至少一个蒸发坩埚与所述滚筒(170)之间；以及第二气体供应管道(140)，所述第二气体供应管道在所述第一方向(121)上延伸，并且用于利用开口(150)在所述第一组蒸发坩埚(110)与所述滚筒(170)之间提供气体，所述开口经成形并定位以改善材料沉积的均匀性。

9. 发明授权

CN103237917B 干法涂覆装置有权转让
公开(公告)号：CN103237917B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180058259.6
申请日：2011-12-26
申请人： POSCO公司
发明人：南庆勋 , 严文钟 , 郭荣镇 , 郑宇城 , 金兑烨 , 李东烈 , 洪锡俊 , 金庆保 , 郑勇华 , 朴相勋 , 李相澈 , 南扬祐
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/56 , C23C14/54
CPC分类号： C23C16/448 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/26 , C23C14/562
摘要：提供了一种用于在衬底（钢带）上来涂覆涂覆材料的干法涂覆装置，所述涂覆材料即沉积蒸气（金属蒸气）。所述干法涂覆装置包括：一个涂覆部分，被布置在真空中，用于将通过对所供应的涂覆材料加热和蒸发而生成的沉积蒸气涂覆在行进的待被涂覆的物体上；以及，一个加热源，被布置在一个气氛中，用于加热和悬浮所述涂覆部分中的涂覆材料。

10. 发明公开

CN104335326A 紧密式安瓿热管理系统有权
公开(公告)号：CN104335326A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029684.1
申请日：2013-06-05
申请人：应用材料公司
发明人：戴维·K·卡尔森 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 肯里克·乔伊 , 玛塞勒·E·约瑟夫森 , 丹尼斯·德马斯 , 埃姆雷·库瓦利奇 , 穆罕默德·图格鲁利·萨姆特
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： F25B21/02 , C23C16/448 , C23C16/4482 , H01L21/02
摘要：在此提供用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备。在一些实施方式中，一种用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备可包括：主体，所述主体具有开口，所述开口依一定尺寸设计以接纳储存容器，所述储存容器内设置有液体或固体前驱物，所述主体由导热材料制造；一或多个热电装置，所述一或多个热电装置邻近所述开口而耦接至所述主体；以及散热体，所述散热体耦接至所述一或多个热电装置。

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