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1. 发明公开

CN107030283A 使用二极管激光器光纤阵列在激光粉末床熔合加性制造中的凝固控制有权
公开(公告)号：CN107030283A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710256503.9
申请日：2017-01-26
申请人：通用电气公司
发明人： W·T·卡特 , M·G·琼斯 , 袁烺 , 周宁 , S·J·杜克洛斯
IPC分类号： B22F3/105 , B22F7/06 , B29C64/153 , B28B1/00 , B33Y10/00 , B33Y50/02
CPC分类号： B22F3/1055 , B22F5/04 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23P6/007 , B33Y10/00 , C30B13/06 , C30B13/24 , C30B13/28 , C30B29/52 , C30B29/605 , F05D2230/20 , F05D2230/31 , F05D2230/80 , Y02P10/295 , B22F3/1017 , B22F2203/11 , B22F2007/068 , C30B29/00 , B22F7/062 , B28B1/00 , B33Y50/02
摘要：一种形成或修复具有柱状的或等轴的或定向凝固的或非晶的或单晶的微观结构的超级合金物品的方法，包括：将对应于物品的层的图案的来自二极管激光器光纤阵列的所选光纤的多个激光束发射到所述超级合金的粉末床上以形成熔池；以及控制所述熔池的温度梯度和凝固速度，以形成柱状的或单晶的微观结构。

2. 发明公开

CN108472732A 通过加性制造进行的单晶生长的系统和方法有权
公开(公告)号：CN108472732A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079297.2
申请日：2016-11-10
申请人：霍伯特兄弟公司
发明人：肖志刚
IPC分类号： B22F3/115 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , C30B27/00 , C30B29/52
CPC分类号： C30B13/24 , B22F3/1028 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2999/00 , B23K9/044 , B23K26/0604 , B23K26/0734 , B23K26/342 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , C30B13/06 , C30B13/16 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B29/52 , C30B29/68 , Y02P10/295 , B22F2203/11 , B22F2202/07 , B22F3/1017
摘要：本发明的实施例包含：加性制造工具(16)，被配置成接收金属材料(20)并将多个液滴(18)在零件(12)的工作区域(24)处供应到零件(12)，其中多个液滴(18)中的每一液滴(18)包括金属材料(20)；以及加热系统(26)，包括被配置成产生主激光束(58)以加热零件(12)的衬底的熔化区(50)的主激光系统(54)以及被配置成产生次激光束(62)以加热零件(12)的衬底的过渡区(52)的次激光系统(56)，其中熔化区(50)和工作区域(24)处于同一位置，并且其中过渡区(52)围绕熔化区(50)设置。

3. 发明申请

WO1982003639A1 LATERAL EPITAXIAL GROWTH BY SEEDED SOLIDIFICATION 审中-公开
标题翻译：通过种子固化进行的侧向外延生长
公开(公告)号：WO1982003639A1
公开(公告)日：1982-10-28
申请号：PCT/US1982000465
申请日：1982-04-14
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHN
发明人： MASSACHUSETTS INST TECHN , TSAUR BOR YEU , FAN JOHN C , GEIS MICHAEL W
IPC分类号： C30B13/06
CPC分类号： H01L21/02672 , C30B13/00 , C30B13/06 , C30B27/00 , C30B29/60 , H01L21/2022 , H01L21/324
摘要： An improved method and apparatus for crystallizing amorphous or polycrystalline material. In this invention, a material which is to be crystallized is formed on the substrate (10) and single crystalline seed material (18) is disposed in contact and/or adjacent to or with at least a portion of the material which is to be crystallized. A layer of material (20) which serves as a "wetting agent" is then formed over the material (18) to be crystallized. The structure thus formed is subjected to a heat treatment which melts the material (18) being crystallized and when the material solidifies its crystalline structure is substantially epitaxial based on the seed material. The "wetting agent" layer (20) serves to prevent deleterious balling up of the material during crystallization.
摘要翻译：一种用于结晶非晶或多晶材料的改进方法和装置。在本发明中，在基板（10）上形成待结晶的材料，单晶种子材料（18）与待结晶的材料的至少一部分接触和/或邻近或与其结合。然后在待结晶的材料（18）上形成用作“润湿剂”的一层材料（20）。对由此形成的结构进行热处理，该热处理熔化正在结晶的材料（18），并且当材料固化时其晶体结构基于种子材料基本上是外延的。 “润湿剂”层（20）用于在结晶过程中防止材料的有害的球化。

4. 发明授权

EP0182870B1 METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING TEMPERATURE VARIATIONS ACROSS A SEMICONDUCTOR WAFER DURING HEATING 失效
标题翻译：用于在加热期间通过半导体滤波器降低温度变化的方法和装置
公开(公告)号：EP0182870B1
公开(公告)日：1989-01-18
申请号：EP85902835.9
申请日：1985-05-17
申请人： AT&T Corp.
发明人： LORD, Herbert, Alan
IPC分类号： C30B13/24 , C30B13/06
CPC分类号： C30B13/06 , C30B13/24
摘要： Temperature variations across the surface of a semiconductor wafer (12), having at least one major surface thereof exposed to a source of radiant heat energy (18), are reduced by positioning a reflective ring (30, 30', 30'' or 30''') proximate the wafer edge (28). The reflective ring (30, 30', 30'' or 30''') reflects the heat energy towards the wafer periphery (27) to provide substantially uniform heat across the wafer.

5. 发明公开

EP0049507A1 A process and apparatus for restructuring thin strip material, especially semi-conductor material 失效
标题翻译：用于薄板的形式的材料的再结晶，特别是半导体材料的方法和装置。
公开(公告)号：EP0049507A1
公开(公告)日：1982-04-14
申请号：EP81107935.9
申请日：1981-10-05
申请人： Olin Corporation
发明人： Winter, Joseph
IPC分类号： C30B13/06 , C30B1/08 , C30B29/06
CPC分类号： C30B13/06 , C30B1/02 , C30B29/06 , C30B29/60
摘要： An apparatus and process for recrystallization of thin strip material (12) includes a device for electromagnetically melting the thin strip material to provide a molten surface layer (16), and a substantially solid core (18). An apparatus provides relative movement between the thin strip and the device (14) for electromagnetically melting. Also, an apparatus resolidifies the molten surface layer to provide a preferred crystal structure in the thin strip material.
In addition, a process for restructuring thin strip semi-conductor material is disclosed. It comprises the steps of providing relative movement between the thin strip material and the heating station. The thin strip material is heated at the heating station to a desired temperature between the recrystallization temperature and the melting temperature. The strip is maintained at the desired temperature whereby preferred recrystallization and stress relief occurs within the material. In addition, the thin strip material may be elongated through elevating the temperature of the thin strip and'or increasing the longitudinal tension on the strip.
摘要翻译：为薄带材（12）的重结晶的设备和方法包括用于电磁地熔化所述薄条带材料，以提供熔融的表面层（16），和大体上的实芯（18）的装置。一种设备提供的薄带和所述装置（14）用于电磁熔化之间的相对运动。所以，设备重新固化熔融表面层中的薄带材料，以提供优选的晶体结构。 ... 此外，对于重组薄带半导体材料的方法是游离缺失盘。它包括提供薄带材和加热站之间的相对运动的步骤。薄带材料在加热站加热至再结晶温度和熔化温度之间的期望的温度。带材被保持在希望的，由此优选的重结晶和消除应力的材料内发生的温度。另外，薄带的材料可以通过升高薄带的温度和/或增加在带材的纵向张力被拉长。

6. 发明公开

EP3096905A1 AN ADDITIVE MANUFACTURING SYSTEM UTILIZING AN EPITAXY PROCESS AND METHOD OF OPERATION 审中-公开
标题翻译： SYSTEM FOR添加剂生产中使用的用于操作外延和方法
公开(公告)号：EP3096905A1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：EP15737461.2
申请日：2015-01-15
申请人： United Technologies Corporation
发明人： SLAVENS, Thomas N. , MARTIN, Thomas J. , STAROSELSKY, Alexander , MIRONETS, Sergey , SNYDER, Brooks E. , ZELESKY, Mark F.
IPC分类号： B22F3/105 , B22F5/04 , B22F7/02
CPC分类号： F01D5/147 , B22F3/1055 , B22F5/04 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B22F2203/11 , B22F2207/15 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , B23K15/0026 , B23K15/0086 , B23K15/0093 , B23K15/02 , B23K26/0006 , B23K26/342 , B23K26/703 , B23K2201/001 , B23K2203/08 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/02 , C30B11/005 , C30B11/006 , C30B11/14 , C30B13/06 , C30B13/24 , C30B29/52 , C30B29/607 , F01D5/3007 , F05D2230/30 , Y02P10/295
摘要： An additive manufacturing system utilizing an epitaxy process, and method of manufacture, utilizes a heating source and a cooling source to control thermal gradients and a solidification rate of each slice of a workpiece manufactured from a seed having a directional grain microstructure. An energy gun is utilized to melt selected regions of each successive layer of a plurality layers of a powder in a powder bed to successively form each solidified slice of the workpiece.
摘要翻译：添加剂制造系统利用上外延工艺，和制造的方法，利用加热源和冷却源，以控制热梯度和由具有定向晶粒微观结构的籽晶制成的工件的每片的凝固速度。能量枪被用于熔化的粉末的多个层的每个连续层的选定区域中的粉末床以连续地形成工件的各固化片。

7. 发明公开

EP0182870A1 METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING TEMPERATURE VARIATIONS ACROSS A SEMICONDUCTOR WAFER DURING HEATING 失效
标题翻译：方法和装置以降低温度改变由半导体晶片加热过程中。
公开(公告)号：EP0182870A1
公开(公告)日：1986-06-04
申请号：EP85902835.0
申请日：1985-05-17
申请人： AT&T Corp.
发明人： LORD, Herbert, Alan
IPC分类号： H01L21 , C30B13 , C30B33
CPC分类号： C30B13/06 , C30B13/24
摘要： On réduit les variations de température à la surface d'une tranche à semi-conducteur (12) dont au moins une surface importante est exposée à une source d'énergie de chaleur rayonnante (185) en plaçant un anneau réflecteur (30, 30', 30'' ou 30''') près du bord de la tranche (28). L'anneau réflecteur (30, 30', 30'' ou 30''') réfléchit l'énergie de chaleur rayonnante vers la périphérie (27) de la tranche, pour que l'on obtienne ainsi une chaleur sensiblement uniforme dans toute la tranche.

8. 发明授权

EP0625594B1 Solid state process for the conversion of polycrystalline alumina to sapphire 失效
标题翻译：对于多晶氧化铝转化为蓝宝石固态过程
公开(公告)号：EP0625594B1
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：EP94303398.5
申请日：1994-05-11
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Maxwell, Randolph E. , Scott, Curtis Edward , Kaliszewski, Mary Sue , Jones, Marshall Gordon , Levinson, Lionel Monty , Erikson, Carl Edward
IPC分类号： C30B1/02 , C30B29/20
CPC分类号： C30B13/06 , C30B1/00 , C30B1/08 , C30B13/00 , C30B29/20 , Y10S117/904
摘要： Polycrystalline alumina bodies have been converted to sapphire by a solid state conversion process in which a localized energy source is used to heat only a portion of the body to a temperature above 1800 DEG C. Using a laser as the energy source resulted in conversion to sapphire in less than an hour. The polycrystalline alumina bodies had a magnesia content below 50 wppm, an average grain size below 100 microns, and a density greater than 3.97 g/cc.

9. 发明公开

EP0032920A4 PHOTO-INDUCED TEMPERATURE GRADIENT ZONE MELTING. 失效
标题翻译：光诱导TEMPARATUGRADIENTEN区融合。
公开(公告)号：EP0032920A4
公开(公告)日：1984-05-29
申请号：EP80901449
申请日：1981-02-24
申请人： WESTERN ELECTRIC CO
发明人： KIMERLING LIONEL COOPER , JACKSON KENNETH ARTHUR , LEAMY HARRY JOHN
IPC分类号： H01L21/228 , C30B13/00 , C30B13/06 , C30B13/10 , C30B13/24 , H01L21/24
CPC分类号： H01L21/24 , C30B13/06 , C30B13/10 , C30B13/24 , Y10S117/904

10. 发明专利

JPS5777099A Semiconductor material and manufacture 失效
标题翻译：半导体材料与制造
公开(公告)号：JPS5777099A
公开(公告)日：1982-05-14
申请号：JP13786581
申请日：1981-09-03
申请人： Westinghouse Electric Corp
发明人： HAABEI CHIYAARUZU NEIZANSON , YU CHIYANGU KAO , HADOSON MAKUDONARUDO HOBUGUTSU , RICHIYAADO NOERU TOOMASU
IPC分类号： C30B13/06 , C30B33/02
CPC分类号： C30B13/06

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