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1. 发明授权

CN104011491B 聚光镜加热炉有权
公开(公告)号：CN104011491B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280059406.6
申请日：2012-11-30
申请人：独立行政法人产业技术综合研究所
发明人：池田伸一 , 原史朗 , 三原孝则 , 羽深等 , 坤邦·索玛万
IPC分类号： F27D11/02
CPC分类号： C23C16/482 , C30B13/24 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , Y10T117/108
摘要：本发明提供一种用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，是通过反射镜装置反射从光源放射的光而照射于被加热物，用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，其特征在于，反射镜装置由一次反射镜及二次反射镜构成，使从光源放射的光依次被一次反射镜及二次反射镜反射而照射于被加热物，由该二次反射镜反射而照射于被加热物表面的光并未相对于该被加热物表面垂直地进行照射。由此，在通过聚光的红外线进行加热的装置中，即便是使用旋转椭圆面的装置也能保持加热性能并进行小型化。

2. 发明授权

CN103313448B 高频加热装置有权
公开(公告)号：CN103313448B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310071164.9
申请日：2013-03-06
申请人：三星康宁精密素材株式会社
发明人：李会官 , 尹敬敏 , 曹瑞英
IPC分类号： H05B6/02
CPC分类号： H05B6/64 , C03B29/08 , F27B9/36 , F27D11/12 , F27D99/0006 , F27D2099/0026 , H05B6/70 , H05B6/78
摘要：一种通过将高频波应用于基板而对基板进行加热的高频加热装置。所述高频加热装置包括产生高频以对基板进行加热的高频发生器。从所述基板到所述高频发生器的距离是n/2*λ，其中n是从1到6范围内的自然数，并且λ是由所述高频发生器产生的高频的波长。

3. 发明公开

CN104011491A 聚光镜加热炉有权
公开(公告)号：CN104011491A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280059406.6
申请日：2012-11-30
申请人：独立行政法人产业技术综合研究所
发明人：池田伸一 , 原史朗 , 三原孝则 , 羽深等 , 坤邦·索玛万
IPC分类号： F27D11/02
CPC分类号： C23C16/482 , C30B13/24 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , Y10T117/108
摘要：本发明提供一种用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，是通过反射镜装置反射从光源放射的光而照射于被加热物，用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉，其特征在于，反射镜装置由一次反射镜及二次反射镜构成，使从光源放射的光依次被一次反射镜及二次反射镜反射而照射于被加热物，由该二次反射镜反射而照射于被加热物表面的光并未相对于该被加热物表面垂直地进行照射。由此，在通过聚光的红外线进行加热的装置中，即便是使用旋转椭圆面的装置也能保持加热性能并进行小型化。

4. 发明公开

CN1734716A 快速高温处理的方法与系统无效
公开(公告)号：CN1734716A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510002871.8
申请日：2005-01-27
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：麦凯玲 , 杨铭和 , 李资良 , 陈世昌 , 聂俊峰
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/30 , H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： F27D99/0006 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要：本发明是一种快速高温处理的方法与系统，所述半导体基板的快速高温处理的方法包括将热源发出的热能导至半导体基板的背面，本发明亦揭露半导体基板的快速高温处理的系统。本发明的效果在于热源发出的辐射热能被导至半导体基板的背面，而半导体基板的正面未被辐射热能所照射，于是，半导体基板正面的图案不会影响到热流的均匀性，再者，由于热源并未安置于半导体基板的正面，便可在半导体基板的正面设置一高温计，由此可以准确地量测半导体基板正面的实际温度，以对热源的个别加热灯管所发射的辐射热能进行实时控制，而达成热能均匀分布。

5. 发明公开

CN103313448A 高频加热装置有权
公开(公告)号：CN103313448A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310071164.9
申请日：2013-03-06
申请人：三星康宁精密素材株式会社
发明人：李会官 , 尹敬敏 , 曹瑞英
IPC分类号： H05B6/02
CPC分类号： H05B6/64 , C03B29/08 , F27B9/36 , F27D11/12 , F27D99/0006 , F27D2099/0026 , H05B6/70 , H05B6/78
摘要：一种通过将高频波应用于基板而对基板进行加热的高频加热装置。所述高频加热装置包括产生高频以对基板进行加热的高频发生器。从所述基板到所述高频发生器的距离是n/2*λ，其中n是从1到6范围内的自然数，并且λ是由所述高频发生器产生的高频的波长。

6. 发明授权

CN1153625C 自动温度控制设备失效
公开(公告)号：CN1153625C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN01115806.9
申请日：2001-04-30
申请人：株式会社岛津制作所
发明人：稻实淳史
IPC分类号： B01L7/00 , G05D23/00
CPC分类号： F27B17/02 , B01L7/00 , F27D3/00 , F27D3/04 , F27D5/00 , F27D19/00 , F27D2099/0026 , Y10S435/809
摘要：一种自动温度控制设备，包含：一用于容纳器皿的反应室；一用于支承器皿的托盘；一用于对至少反应室内的温度进行控制的温度控制部分；一输送机构，用于滑移托盘，使托盘可以顺畅地进入反应室或由反应室内拉出；一第一罩盖件，用于在利用所述输送机构将所述托盘置入反应室内时对反应室进行紧密闭合；一第二罩盖件，用于利用所述输送机构将所述托盘由反应室内拉出时对反应室进行紧密闭合。

7. 发明公开

CN1441754A 对耐火材料进行处理使其硬化的红外线加热方法和设备无效
公开(公告)号：CN1441754A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN01812596.4
申请日：2001-07-12
申请人：密执安特种矿石公司
发明人：马克·D·科秋克
IPC分类号： C04B35/66 , B22D41/02
CPC分类号： C04B33/32 , B22D41/023 , C04B33/30 , C04B35/64 , F27D1/1626 , F27D3/145 , F27D19/00 , F27D2099/0026 , F27D2099/0058
摘要：本发明提供了一种用于对耐火材料进行处理使其硬化的方法和设备。所述设备包括一个型芯，该型芯具有一个由其内表面在其内部限定而成的开口，其中，该型芯的尺寸被加工使该型芯成能够装配到一个容器内并且在它们之间限定出一个间隙，该间隙的厚度对应于一个容器耐火衬里的预定厚度。一个红外线加热器被置于型芯上的开口内，并且被定向设置成对型芯的内表面进行辐射。所述用于对耐火材料进行处理使其硬化的方法包括，将一种耐火材料送入到一个位于一型芯与一中间包之间的间隙内，由多个红外线加热元件向型芯的内表面辐射红外线热能，利用通过型芯传递至耐火材料上的热量对所述间隙内的耐火材料进行处理，来成型一个用于所述中间包的耐火材料衬里。

8. 发明公开

CN1329252A 自动温度控制设备失效
公开(公告)号：CN1329252A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01115806.9
申请日：2001-04-30
申请人：株式会社岛津制作所
发明人：稻实淳史
IPC分类号： G01N35/00
CPC分类号： F27B17/02 , B01L7/00 , F27D3/00 , F27D3/04 , F27D5/00 , F27D19/00 , F27D2099/0026 , Y10S435/809
摘要：一种自动温度控制设备,包含:一用于容纳器皿的反应室;一用于支承器皿的托盘;一用于对至少反应室内的温度进行控制的温度控制部分;一输送机构,用于滑移托盘,使托盘可以顺畅地进入反应室或由反应室内拉出;一第一罩盖件,用于在利用所述输送机构将所述托盘置入反应室内时对反应室进行紧密闭合;一第二罩盖件,用于利用所述输送机构将所述托盘由反应室内拉出时对反应室进行紧密闭合。

9. 发明授权

US06555790B1 Semiconductor manufacturing apparatus, method for cleaning the semiconductor manufacturing apparatus, and light source unit 失效
标题翻译：半导体制造装置，半导体制造装置的清扫方法以及光源装置
公开(公告)号：US06555790B1
公开(公告)日：2003-04-29
申请号：US09547925
申请日：2000-04-11
申请人： Yoshiharu Ono , Sachiko Hattori , Yuko Odamura
发明人： Yoshiharu Ono , Sachiko Hattori , Yuko Odamura
IPC分类号： F27B514
CPC分类号： F27D99/0006 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115
摘要： There is described a semiconductor manufacturing apparatus for coating the surface of a semiconductor wafer with an organic coating, such as anti-reflective coating, which shortens a down time required in association with removal of compounds that tend to sublime and enables simplification of removal of the compounds and an increase in safety of the removal operation. A top plate of a hot plate unit for heating a semiconductor wafer is formed from light-transmissive material such as quartz. A light source unit for illuminating UV-rays effective for decomposing organic compounds is disposed on the top plate. The hot plate unit bakes the semiconductor wafer coated with the organic material, and compounds that have a tendency to sublime including organic material adhere to the lower surface of the top plate in association with the baking operation. Every time a predetermined number of semiconductor wafers have been processed by the hot plate unit, the light source unit radiates UV-rays onto the compounds adhering to the top plate.
摘要翻译：描述了一种半导体制造装置，其用诸如抗反射涂层的有机涂层涂覆半导体晶片的表面，这缩短了与去除易于升华的化合物相关联的所需的停机时间，并且能够简化去除化合物和去除操作的安全性的增加。用于加热半导体晶片的热板单元的顶板由诸如石英的透光材料形成。用于照射有效分解有机化合物的紫外线的光源单元设置在顶板上。热板单元烘烤涂覆有有机材料的半导体晶片，并且与烘烤操作相关联的具有包含有机材料的升华倾向的化合物粘附到顶板的下表面。每当由热板单元处理预定数量的半导体晶片时，光源单元将紫外线辐射到附着在顶板上的化合物上。

10. 发明申请

US20010050276A1 Automatic temperature control device 失效
标题翻译：自动温度控制装置
公开(公告)号：US20010050276A1
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：US09875183
申请日：2001-06-07
申请人： Shimadzu Corporation
发明人： Atsushi Inami
IPC分类号： F27B009/06 , F27B005/12
CPC分类号： F27B17/02 , B01L7/00 , F27D3/00 , F27D3/04 , F27D5/00 , F27D19/00 , F27D2099/0026 , Y10S435/809
摘要： An automatic temperature control device comprises a reaction chamber for housing a vessel, a tray for supporting the vessel, a temperature control part for controlling at least the temperature in the reaction chamber, a transfer means for slidably moving the tray such that the tray may freely enter or withdraw from the reaction chamber, a first cover part for closing up the reaction chamber tightly when the tray is made to enter the reaction chamber by the transfer means, a second cover part for closing up the reaction chamber tightly when the tray is made to withdraw from the reaction chamber by the transfer means, and first and second magnets for holding the second cover part in a tightly closed-up state, wherein the tray for supporting the vessel is allowed to move slidably in linkage with the pivotal motion of the cover for pivoting the cover and also making the vessel to enter or withdraw from the reaction chamber in one operation.
摘要翻译：自动温度控制装置包括用于容纳容器的反应室，用于支撑容器的托盘，用于至少控制反应室中的温度的温度控制部件，用于可滑动地移动托盘的转移装置，使得托盘可以自由地进入或退出反应室的第一盖部分，当托盘通过传送装置进入反应室时，第一盖部分紧紧地关闭反应室;第二盖部分，用于当制造托盘时将反应室紧紧地封闭通过转印装置从反应室中退出;以及第一和第二磁体，用于将第二盖部分保持在紧密封闭状态，其中用于支撑容器的托盘被允许与第二盖部件的枢转运动用于枢转盖的盖，并且还使得容器在一次操作中进入或从反应室中退出。

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