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1. 发明授权

CN100426140C 用于旋涂抗反射涂层/硬掩膜材料的含硅组合物有权转让
公开(公告)号：CN100426140C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410080378.3
申请日：2004-09-29
申请人：国际商业机器公司
发明人： M·安耶洛普洛斯 , 黄武松 , A·P·马霍罗维拉 , W·莫罗 , D·法伊弗 , R·苏恩雅库马兰
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0754 , G03F7/0045 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115
摘要：特征在于存在带有悬吊生色团的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层/硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时，这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层(尤其是金属或半导体层)的光刻技术方法中，此组合物是特别适用的。

2. 发明公开

CN1619415A 用于旋涂抗反射涂层/硬掩膜材料的含硅组合物有权转让
公开(公告)号：CN1619415A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410080378.3
申请日：2004-09-29
申请人：国际商业机器公司
发明人： M·安耶洛普洛斯 , 黄武松 , A·P·马霍罗维拉 , W·莫罗 , D·法伊弗 , R·苏恩雅库马兰
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0754 , G03F7/0045 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115
摘要：特征在于存在带有悬吊生色团的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层/硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时，这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层(尤其是金属或半导体层)的光刻技术方法中，此组合物是特别适用的。

3. 发明公开

CN101868762A 含硅氧烷的可光图案化沉积抑制剂失效
公开(公告)号：CN101868762A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
申请人：伊斯曼柯达公司
发明人： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
摘要：一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。

4. 发明公开

CN1044995A 聚硅烷的蒸汽积附法失效
公开(公告)号：CN1044995A
公开(公告)日：1990-08-29
申请号：CN90100094.9
申请日：1990-01-09
申请人：国际商用机械公司
发明人：大卫·马克多布津斯基 , 马克·切尔斯哈克 , 斯替文·约翰·霍姆斯 , 大卫·瓦卡拉夫·霍尔克
IPC分类号： G03C5/58
CPC分类号： G03F7/167 , G03F7/0754
摘要：一种在基底上形成含有聚硅烷组成的薄膜的方法。该膜通过直接蒸汽积附于基底之上而形成，这样，避免了借助传统的旋涂技术制备与应用聚硅烷时常见的繁琐步骤。该膜可用于石印法从而在基底上成象。

5. 发明授权

CN101868762B 含硅氧烷的可光图案化沉积抑制剂失效
公开(公告)号：CN101868762B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
申请人：伊斯曼柯达公司
发明人： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
摘要：一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。

6. 发明授权

CN1029043C 形成光敏性薄膜并在基底上成象的方法失效
公开(公告)号：CN1029043C
公开(公告)日：1995-06-21
申请号：CN90100094.9
申请日：1990-01-09
申请人：国际商用机械公司
发明人：大卫·马克多布津斯基 , 马克·切尔斯哈克 , 斯替文 , 约翰 , 霍姆斯 , 大卫·瓦卡拉夫·霍尔克
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： G03F7/167 , G03F7/0754
摘要：一种在基底上形成含有聚硅烷组成的薄膜的方法。该膜通过直接蒸汽积附于基底之上而形成，这样，避免了借助传统的旋涂技术制备与应用聚硅烷时常见的繁锁步骤。该膜可用于石印法从而在基底上成象。

7. 发明授权

CN102109761B 滤色片保护层的光敏树脂组合物,采用其的滤色片保护层,和包含其的图像传感器失效
公开(公告)号：CN102109761B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201010263291.5
申请日：2010-08-25
申请人：第一毛织株式会社
发明人：金宰贤 , 崔世荣 , 金南光 , 郑宜浚 , 李昌珉
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/027 , G02B5/20 , G02B1/10
CPC分类号： G03F7/0007 , G03F7/032 , G03F7/0754 , G03F7/105
摘要：本发明提供了一种滤色片保护层的光敏树脂组合物，其包括含有由以下化学式1表示的重复单元的可交联碱溶树脂、反应性不饱和化合物、光聚合引发剂和溶剂。在化学式1～3中，R1至R6和A1至A3与具体实施方式中定义的相同。本发明还提供了一种采用该光敏树脂组合物生产的滤色片保护层，以及一种包括作为外涂层或同时用作微透镜的外涂层的该滤色片保护层的图像传感器。

8. 发明公开

CN102109761A 滤色片保护层的光敏树脂组合物,采用其的滤色片保护层,和包含其的图像传感器失效
公开(公告)号：CN102109761A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010263291.5
申请日：2010-08-25
申请人：第一毛织株式会社
发明人：金宰贤 , 崔世荣 , 金南光 , 郑宜浚 , 李昌珉
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/027 , G02B5/20 , G02B1/10 , H04N5/335
CPC分类号： G03F7/0007 , G03F7/032 , G03F7/0754 , G03F7/105
摘要：本发明提供了一种滤色片保护层的光敏树脂组合物，其包括含有由以下化学式1表示的重复单元的可交联碱溶树脂、反应性不饱和化合物、光聚合引发剂和溶剂。在化学式1～3中，R1至R6和A1至A3与具体实施方式中定义的相同。本发明还提供了一种采用该光敏树脂组合物生产的滤色片保护层，以及一种包括作为外涂层或同时用作微透镜的外涂层的该滤色片保护层的图像传感器。

9. 发明申请

WO2010005428A1 RESIST SENSITIZER 审中-公开
标题翻译：耐性敏感剂
公开(公告)号：WO2010005428A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/US2008/069413
申请日：2008-07-08
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY (MIT) , FEDYNYSHYN, Theodore, H.
发明人： FEDYNYSHYN, Theodore, H.
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/075 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0754 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/2041
摘要： Methods and compositions for enhancing the sensitivity of a resist composition are disclosed. In one aspect, compositions for use with a matrix material (e.g., a lithographically sensitive polymeric material) are formulated with an acid generator and a sensitizer, where the sensitizer can be present in a relatively small amount. The sensitizer includes a compound with one or more silicon-silicon bonds, and can act to enhance the efficiency of acid generation when the resist is impinged by a selected lithographic radiation. The methods of the present invention can be especially useful in performing short wavelength (e.g., less than 200 nm) lithography, or for processes such as e-beam lithography, which traditionally suffer from low throughput.
摘要翻译：公开了用于提高抗蚀剂组合物的灵敏度的方法和组合物。在一个方面，与基质材料（例如，光刻性敏感的聚合物材料）一起使用的组合物用酸产生剂和敏化剂配制，其中敏化剂可以以相对少的量存在。敏化剂包括具有一个或多个硅 - 硅键的化合物，并且当抗蚀剂被所选择的光刻辐射照射时，可以起提高酸产生效率的作用。本发明的方法在执行短波长（例如，小于200nm）光刻或者传统上具有低生产量的诸如电子束光刻的过程中尤其有用。

10. 发明申请

WO1991005018A1 NOVEL POLYSILANE COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：新型多晶硅组合物
公开(公告)号：WO1991005018A1
公开(公告)日：1991-04-18
申请号：PCT/JP1990001241
申请日：1990-09-27
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA , KANAI, Masahiro , TANAKA, Hisami , SAKOU, Harumi , AOIKE, Tatuyuki , MATUDA, Kouichi , SAITOU, Keishi , NIWA, Mituyuki , SANO, Masafumi
发明人： CANON KABUSHIKI KAISHA
IPC分类号： C08L83/16
CPC分类号： G03F7/0754 , C08G77/60 , C08K3/16 , C08K5/17 , H01L51/0094 , C08L83/16
摘要： A novel polysilane composition useful as an organic semiconductor, which comprises a specified nonchlorinated polysilane compound having a weight-average molecular weight of 6,000 to 200,000, wherein all of the substituents and terminal groups are substituted by specified oxygen-free organic groups, and an acceptor level forming substance or/and a donor level forming substance.

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