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1. 发明公开

CN101105647A 平面印张材料失效
公开(公告)号：CN101105647A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610162456.3
申请日：2001-05-19
申请人：沃尔夫冈·波塞特
发明人：沃尔夫冈·波塞特
IPC分类号： G03G5/16 , B41M5/30
CPC分类号： G03G5/16
摘要：本发明涉及用来生产记录信息的片状印张(1)的平面的印张材料(2)。包含有细微空穴(3)的涂层(4)涂覆在印张材料(2)上。在涂层(4)中嵌入可电的和/或磁性可活化的微粒(5)。

2. 发明公开

CN1214791A 含有类晶体过渡金属材料的组合物及其应用方法无效
公开(公告)号：CN1214791A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN97193257.3
申请日：1997-03-25
申请人：菲利浦·帕塔拉诺
发明人：菲利浦·帕塔拉诺
IPC分类号： G11B11/10 , G11C13/06 , G03G5/16 , G03G19/00 , G02F1/09 , H04N1/27
CPC分类号： G11B11/10515 , G03G5/16 , G03G19/00 , G11B11/10504 , G11B11/10586
摘要：本发明涉及的应用包括但不限于:(1)轻质铁磁应用、计算机和数据存储技术;(2)记录技术;(3)照相复制设备;(4)光开关;(5)磁模拟膜和(6)电子设备与传感器。

3. 发明公开

CN1432143A 平面材料(尤其是印张或幅面)和这种材料的写入装置无效
公开(公告)号：CN1432143A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN01810511.4
申请日：2001-05-19
申请人：沃尔夫冈·波塞特
发明人：沃尔夫冈·波塞特
IPC分类号： G03G5/16 , G03G19/00 , B41M5/30 , B41M5/28 , G03G17/00
CPC分类号： G03G5/16 , B41M5/30 , Y10T428/24901 , Y10T428/25 , Y10T428/258
摘要：本发明涉及用来生产记录信息的片状印张(1)的平面的印张材料(2)。包含有细微空穴(3)的涂层(4)涂覆在印张材料(2)上。在涂层(4)中嵌入可电的和/或磁性可活化的微粒(5)。

4. 发明公开

CN108508716A 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备有权
公开(公告)号：CN108508716A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810164024.9
申请日：2018-02-27
申请人：佳能株式会社
发明人：加来贤一 , 姉崎隆志 , 佐藤太一 , 久野纯平 , 藤井淳史
IPC分类号： G03G5/14
CPC分类号： G03G5/147 , G03G5/144 , G03G5/16
摘要：本发明涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件依次包括支承构件、导电层和感光层。该导电层包含粘结剂和颗粒。各颗粒包括由通式(1)所示的物质制成的核，和涂覆该核且包含导电性材料的涂覆层：M1M2O3(1)其中M1表示选自由Sr、Li、Na、K和Ba组成的组中的元素，M2表示选自由Ti、Nb、Ta和Zr组成的组中的元素。

5. 发明公开

CN109031902A 磁性粉、磁性粉的制造方法及磁记录介质无效
公开(公告)号：CN109031902A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810587154.3
申请日：2018-06-06
申请人：富士胶片株式会社
发明人：藤本贵士
IPC分类号： G03G5/16
CPC分类号： H01F1/11 , G11B5/653 , G11B5/70642 , G03G5/16
摘要：本发明提供一种磁特性良好的磁性粉、磁特性良好的磁性粉的制造方法及信号衰减得到抑制的耐久性良好的磁记录介质。所述磁性粉包含选自ε‑Fe2O3及式(1)所表示的化合物中的ε型氧化铁系化合物，所述磁性粉为平均粒径8nm～25nm的磁性粉，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在规定的条件下进行测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。式(1)中，A表示Fe以外的金属元素，a满足0＜a＜2。d2M/dH2式(I)；119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)；ε‑AaFe2‑aO3(1)。

6. 发明授权

CN101105647B 平面印张材料失效
公开(公告)号：CN101105647B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610162456.3
申请日：2001-05-19
申请人：沃尔夫冈·波塞特
发明人：沃尔夫冈·波塞特
IPC分类号： G03G5/16 , B41M5/30
CPC分类号： G03G5/16
摘要：本发明涉及用来生产记录信息的片状印张(1)的平面的印张材料(2)。包含有细微空穴(3)的涂层(4)涂覆在印张材料(2)上。在涂层(4)中嵌入可电的和/或磁性可活化的微粒(5)。

7. 发明公开

CN1967389A 平面印张材料复写组无效
公开(公告)号：CN1967389A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610162458.2
申请日：2001-05-19
申请人：沃尔夫冈·波塞特
发明人：沃尔夫冈·波塞特
IPC分类号： G03G5/16 , B41M5/30
CPC分类号： G03G5/16
摘要：本发明涉及用来生产记录信息的片状印张(1)的平面的印张材料(2)。包含有细微空穴(3)的涂层(4)涂覆在印张材料(2)上。在涂层(4)中嵌入可电的和/或磁性可活化的微粒(5)。

8. 发明申请

WO2006133761A3 PARTIALLY SHAPED ELECTRICALLY CONDUCTIVE STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：部分成形的导电结构和制造方法
公开(公告)号：WO2006133761A3
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/EP2006003840
申请日：2006-04-26
申请人： KURZ LEONHARD FA , LEHNBERGER WALTER , WILD HEINRICH
发明人： LEHNBERGER WALTER , WILD HEINRICH
IPC分类号： H05K3/10 , B41J2/43 , B41M1/22 , B41M1/30 , G03G19/00
CPC分类号： H05K3/102 , G03G5/16 , H05K2203/052 , Y10T428/25 , Y10T428/256
摘要： The invention relates to a method for producing a partially shaped electrically conductive structure on a carrier substrate (16). A latent magnetic image of the graphic form of the electrically conductive structure, composed of magnetic image points and unmagnetic image points is produced on a magnetizable printing form (11) from a digital data set which defines the graphic form of the electrically conductive structure. Magnetic particles having an electrically conductive surface, which are attracted by the magnetic image points, are arranged and fixed on the carrier substrate (16) through the latent magnetic image, towards the graphic form of the electrically conductive structure by means of the printing form (11). The invention also relates to a multi-layered body which is produced according to said method.
摘要翻译：本发明描述的支撑基板（16），其特征在于，它提供了定义该导电结构的图形形式从数字记录，磁性可磁化印刷形式（11）上形成部分成形的导电结构的方法像素和非磁性像素由打印形式（11）的装置形成的产生的导电结构的图形的形式，并且该潜磁性图像，具有导电表面的磁性粒子被磁性像素吸引通过潜磁性图像的图形格式导电结构布置和载体衬底（16）上固定。接着，通过该方法的层叠体中产生的描述。

9. 发明申请

WO1985002292A1 METHOD OF MANUFACTURING PHOTOTHERMOMAGNETIC RECORDING FILM 审中-公开
标题翻译：光电记录膜的制造方法
公开(公告)号：WO1985002292A1
公开(公告)日：1985-05-23
申请号：PCT/JP1984000547
申请日：1984-11-15
申请人： NIPPON SHEET GLASS CO., LTD. , GOMI, Manabu , ABE, Masanori
发明人： NIPPON SHEET GLASS CO., LTD.
IPC分类号： G11B11/10
CPC分类号： G03G5/16 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B11/10589 , G11B11/10591 , H01F10/245
摘要： A photothermomagnetic recording film manufacturing method in which a perpendicular-magnetization film of a Bi-substituted rare earth iron garnet is formed on a substrate by sputtering a target consisting of an oxide which contains at least Bi atoms, Fe atoms, and rare earth atoms, and then depositing the atoms constituting the oxide which have been released from the target by the sputtering on a substrate which is maintained at a temperature of at most 700 C. Thus it is possible to obtain a perpendicular-magnetization film of Bi-substituted rare earth iron garnet which has a large Bi-substitution quantity (x), and consequently has an extremely large Faraday rotation angle theta F, a sufficiently large coercive force Hc, as well as a sufficiently small absorption coefficient alpha . Accordingly it is possible to manufacture a photothermomagnetic recording film which has extremely good photothermomagnetic recording characteristics. Moreover, since it is possible to select the quality of the substrate on which the photothermomagnetic recording film is to be formed, the method is extremely advantageous from the manufacturing point of view.
摘要翻译：一种光电记录膜制造方法，其中通过溅射由至少包含Bi原子，Fe原子和稀土原子的氧化物组成的靶，在基底上形成Bi取代的稀土铁石榴石的垂直磁化膜，然后通过溅射将构成已经从靶释放的氧化物的原子沉积在保持在700℃以下的温度的基板上。因此，可以获得具有大的双取代量（x）的双取代稀土类铁石榴石的垂直磁化膜，因此具有极大的法拉第旋转角θF，足够大的矫顽力Hc，以及足够小的吸收系数α。因此，可以制造具有非常好的光热记录特性的光电磁记录膜。此外，由于可以选择要在其上形成光电磁记录膜的基板的质量，从制造的观点来看，该方法是非常有利的。

10. 发明申请

WO02023279A1 THERMALLY INDUCED PHASE SWITCH FOR LASER THERMAL PROCESSING 审中-公开
标题翻译：用于激光热处理的热诱导相开关
公开(公告)号：WO02023279A1
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：PCT/US2001/042075
申请日：2001-09-07
IPC分类号： G03G5/16 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/24
CPC分类号： H01L21/268 , G03G5/16
摘要： A method, apparatus and system for controlling the amount of heat transferred to a process region (30) of a workpiece (W) from exposure with a pulse of radiation (10), which may be in the form of a scanning beam (B), using a thermally induced phase switch layer (60). The apparatus of the invention is a film stack (6) having an absorber layer (50) deposited atop the workpiece, such as a silicon wafer. A portion of the absorber layer covers the process region. The absorber layer absorbs radiation and converts the absorbed radiation into heat. The phase switch layer is deposited above or below the absorber layer. The phase switch layer may comprise one or more thin film layers, and may include a thermal insulator layer and a phase transition layer. Because they are in close proximity, the portion of the phase switch layer covering the process region has a temperature that is close to the temperature of the process region. The phase of the phase switch layer changes from a first phase (e.g., solid) to a second phase (e.g., liquid or vapor) at a phase transition temperature (Tp). During this phase change, the phase switch layer absorbs heat but does not significantly change temperature. This limits the temperature of the absorber layer and the process region since both are close to the phase change layer.
摘要翻译：一种用于控制从辐射脉冲（10）暴露于工件（W）的处理区域（30）的热量的方法，装置和系统，其可以是扫描光束（B）的形式，，使用热感应相位层（60）。本发明的装置是具有沉积在工件上方的诸如硅晶片的吸收层（50）的薄膜叠层（6）。吸收层的一部分覆盖工艺区域。吸收层吸收辐射并将吸收的辐射转化成热。相位开关层沉积在吸收层的上方或下方。相位开关层可以包括一个或多个薄膜层，并且可以包括绝热层和相变层。由于它们非常接近，覆盖处理区域的相位开关层的部分具有接近处理区域的温度的温度。在相转变温度（Tp）下，相位开关层的相位从第一相（例如，固体）变为第二相（例如，液体或蒸气）。在该相变期间，相开关层吸热，但不会明显改变温度。这限制了吸收层和工艺区域的温度，因为它们都接近于相变层。

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