专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

CN101540251B 场发射电子源有权
公开(公告)号：CN101540251B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
申请人：清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人：魏洋 , 刘亮 , 范守善
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
摘要：一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第二端的直径沿远离第一端的方向逐渐减小，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体2电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。

2. 发明公开

CN102842474A 粒子源及其制造方法有权
公开(公告)号：CN102842474A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110175692.X
申请日：2011-06-22
申请人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
发明人：刘华荣
IPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/06
CPC分类号： C23F4/02 , B82Y99/00 , H01J1/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2201/30415 , H01J2237/0807
摘要：本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体，对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得金属丝表面的活性气体离解，在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。

3. 发明授权

CN102842474B 粒子源及其制造方法有权
公开(公告)号：CN102842474B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110175692.X
申请日：2011-06-22
申请人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
发明人：刘华荣
IPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/06
CPC分类号： C23F4/02 , B82Y99/00 , H01J1/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2201/30415 , H01J2237/0807
摘要：本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体，对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得金属丝表面的活性气体离解，在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。

4. 发明公开

CN104347335A 铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置失效
公开(公告)号：CN104347335A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410389960.1
申请日：2014-08-08
申请人：日本株式会社日立高新技术科学
发明人：小堺智一 , 松田修 , 杉山安彦 , 相田和男 , 荒卷文朗 , 八坂行人 , 大庭弘
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/073
CPC分类号： H01J1/3044 , G01Q60/10 , G01Q60/16 , G01Q60/24 , G01Q70/08 , G01Q70/16 , H01J1/3048 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , H01J37/28 , H01J37/3002 , H01J2201/30415 , H01J2201/30496 , H01J2237/002 , H01J2237/006
摘要：本发明提供铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置。本发明能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的前端部的前端为1个原子的角锥结构，既能够使得杂质不易附着，又能够长时间保持前端的1个原子。铱针尖在锐化的＜210＞方位的单晶的前端部具有角锥结构，该角锥结构的前端仅通过{210}方位的1个铱原子形成，该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的前端的1个铱原子作为第1层，第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子，第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。

5. 发明授权

CN104347335B 铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置失效
公开(公告)号：CN104347335B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410389960.1
申请日：2014-08-08
申请人：日本株式会社日立高新技术科学
发明人：小堺智一 , 松田修 , 杉山安彦 , 相田和男 , 荒卷文朗 , 八坂行人 , 大庭弘
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/073
CPC分类号： H01J1/3044 , G01Q60/10 , G01Q60/16 , G01Q60/24 , G01Q70/08 , G01Q70/16 , H01J1/3048 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , H01J37/28 , H01J37/3002 , H01J2201/30415 , H01J2201/30496 , H01J2237/002 , H01J2237/006
摘要：本发明提供铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置。本发明能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的前端部的前端为1个原子的角锥结构，既能够使得杂质不易附着，又能够长时间保持前端的1个原子。铱针尖在锐化的＜210＞方位的单晶的前端部具有角锥结构，该角锥结构的前端仅通过{210}方位的1个铱原子形成，该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的前端的1个铱原子作为第1层，第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子，第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。

6. 发明公开

CN101540251A 场发射电子源有权
公开(公告)号：CN101540251A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
申请人：清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人：魏洋 , 刘亮 , 范守善
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
摘要：一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。

7. 发明公开

EP2575158A4 PARTICLE SOURCE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 有权
标题翻译：粒子源及其制造方法
公开(公告)号：EP2575158A4
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：EP12798587
申请日：2012-06-13
申请人： 38TH RES INST CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORP
发明人： LIU HUARONG
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
CPC分类号： C23F4/02 , B82Y99/00 , H01J1/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2201/30415 , H01J2237/0807

8. 发明公开

EP2617049A1 CANON À ÉLECTRONS ÉMETTANT SOUS HAUTE TENSION, DESTINÉ NOTAMMENT À LA MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE 审中-公开
标题翻译： ELEKTRONENPISOLENEMISSION UNTER HOHER SPANNUNG，IM BESONDERENFÜRELEKTRONENMIKROSKOPIE
公开(公告)号：EP2617049A1
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：EP11773106.7
申请日：2011-09-16
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
发明人： MONTHIOUX, Marc , HOUDELLIER, Florent
IPC分类号： H01J37/073 , H01J37/28 , H01J1/304
CPC分类号： H01J29/485 , B82Y20/00 , H01J1/3044 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J37/28 , H01J2201/30411 , H01J2201/30415 , H01J2201/30426 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2237/06316 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
摘要： The invention relates to a field-emission electron gun comprising an electron emission tip, an extractor anode, as well as a means for creating an electric-potential difference between the emission tip and the extractor anode. The emission tip comprises a metal tip and an end cone produced by chemical vapour deposition on a nanofilament, the cone being aligned and welded onto the metal tip. The invention can be used for a transmission electron microscope.
摘要翻译：包括电子发射尖端，提取器阳极和在发射尖端和提取器阳极之间产生电位差的机构的场致发射电子枪。发射尖端包括通过化学气相沉积在纳米丝上产生的金属尖端和端锥，锥体对准并焊接到金属尖端上。电子枪可用于透射电子显微镜。

9. 发明申请

US20150047079A1 Iridium Tip, Gas Field Ion Source, Focused Ion Beam Apparatus, Electron Source, Electron Microscope, Electron Beam Applied Analysis Apparatus, Ion-Electron Multi-Beam Apparatus, Scanning Probe Microscope, and Mask Repair Apparatus 有权
标题翻译：铱尖，气场离子源，聚焦离子束装置，电子源，电子显微镜，电子束应用分析装置，离子电子多波束装置，扫描探针显微镜和掩模修复装置
公开(公告)号：US20150047079A1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：US14455338
申请日：2014-08-08
申请人： Hitachi High-Tech Science Corporation
发明人： Tomokazu Kozakai , Osamu Matsuda , Yasuhiko Sugiyama , Kazuo Aita , Fumio Aramaki , Anto Yasaka , Hiroshi Oba
IPC分类号： H01J1/304 , G01Q60/24 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , G01Q60/10 , H01J37/28
CPC分类号： H01J1/3044 , G01Q60/10 , G01Q60/16 , G01Q60/24 , G01Q70/08 , G01Q70/16 , H01J1/3048 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , H01J37/28 , H01J37/3002 , H01J2201/30415 , H01J2201/30496 , H01J2237/002 , H01J2237/006
摘要： There is provided an iridium tip including a pyramid structure having one {100} crystal plane as one of a plurality of pyramid surfaces in a sharpened apex portion of a single crystal with orientation. The iridium tip is applied to a gas field ion source or an electron source. The gas field ion source and/or the electron source is applied to a focused ion beam apparatus, an electron microscope, an electron beam applied analysis apparatus, an ion-electron multi-beam apparatus, a scanning probe microscope or a mask repair apparatus.
摘要翻译：提供了一种铱尖端，其包括在具有<210>取向的单晶的锐化顶点部分中具有一个{100}晶面作为多个棱锥表面之一的金字塔结构。将铱尖端施加到气体场离子源或电子源。将气体离子源和/或电子源施加到聚焦离子束装置，电子显微镜，电子束施加分析装置，离子电子多光束装置，扫描探针显微镜或掩模修复装置。

10. 发明授权

US08779531B2 Two-wafer MEMS ionization device 有权
标题翻译：双晶片MEMS电离装置
公开(公告)号：US08779531B2
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：US13338425
申请日：2011-12-28
申请人： Joseph V. Mantese , Antonio M. Vincitore
发明人： Joseph V. Mantese , Antonio M. Vincitore
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01J33/02 , G08B17/11 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30415 , H01J2201/3048
摘要： A microelectromechanical system (MEMS) assembly includes at least one emission source; a top wafer having a plurality of side walls and a generally horizontal portion, the horizontal portion having a thickness between a first side and a directly opposed second side, at least one window in the horizontal portion extending between the first and second sides and a transmission membrane across the at least one window; and a bottom wafer having a first portion with a first substantially planar surface, an intermediate surface directly opposed to the first substantially planar surface, a second portion with a second substantially planar surface, the at least one emission source provided on the second substantially planar surface; where the top wafer bonds to the bottom wafer at the intermediate surface and encloses a cavity within the top wafer and the bottom wafer.
摘要翻译：微机电系统（MEMS）组件包括至少一个发射源; 具有多个侧壁和大致水平部分的顶部晶片，所述水平部分具有在第一侧和直接相对的第二侧之间的厚度，所述水平部分中的至少一个窗口在所述第一侧和第二侧之间延伸，膜穿过至少一个窗口; 以及底部晶片，其具有第一部分和第二基本上平坦的表面，与所述第一基本上平坦的表面直接相对的中间表面，具有第二基本平坦表面的第二部分，所述至少一个发射源设置在所述第二基本上平坦的表面上 ; 其中顶部晶片在中间表面处接合到底部晶片并且在顶部晶片和底部晶片内包围空腔。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式