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1. 发明授权

CN104103554B 能量线照射系统和工件输送机构有权
公开(公告)号：CN104103554B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201310567012.8
申请日：2013-11-14
申请人：日新离子机器株式会社
发明人：小野田正敏 , 立道润一 , 松本武
IPC分类号： H01L21/67 , B65G49/07
CPC分类号： H01L21/67757 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01L21/67718 , H01L21/67754
摘要：本发明提供能量线照射系统和工件输送机构，能大幅度改善生产率，并且有助于有效地利用能量线。能量线照射系统包括能量线射出机构、以及把照射所述能量线的工件（W）在规定的工件交接区域和能量线的照射区域（AR）之间输送的工件支架（21），把所述工件交接区域设置在隔着通过所述照射区域（AR）的虚拟直线（C）相对的两个部位，并且作为所述工件支架（21）设置有：第一工件支架（21（1）），在一方的工件交接区域和所述照射区域（AR）之间移动；以及第二工件支架（21（2）），在另一方的工件交接区域和所述照射区域（AR）之间移动。

2. 发明公开

CN106057625A 提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法有权
公开(公告)号：CN106057625A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610364522.9
申请日：2016-05-27
申请人：上海集成电路研发中心有限公司
发明人：龟井诚司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/36
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/36
摘要：本发明提供了一种提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法，包括用于产生原初电子的灯丝、阴极、阳极和供气管道，供气管道向电弧腔中通入反应气体，灯丝发出原初电子入射到阴极中；在加热条件下，阴极受到原初电子的轰击产生二次电子，二次电子在阳极和阴极的电场作用下轰击反应气体，使反应气体电离产生等离子体；阴极的材料具有至少一种施主能级；本发明通过具有施主能级的阴极发射出二次电子来产生等离子体，其所产生的等离子体具有较高的能量和密度，可以抑制所形成的等离子体中的金属离子和金属分子离子的形成，能够加快等离子体边缘的解离速率，避免等离子体边缘形成不需要的金属离子和金属分子离子，进一步提高注入等离子体的纯度。

3. 发明授权

CN103534084B 阻气层叠体、其制造方法、电子装置用部件及电子装置有权
公开(公告)号：CN103534084B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280015793.3
申请日：2012-02-27
申请人：琳得科株式会社
发明人：永绳智史
IPC分类号： B32B9/00
CPC分类号： H05K5/0213 , C23C14/48 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01J37/32412 , H05K13/00 , Y10T428/265
摘要：提供与以往的无机膜成膜相比可以廉价地制造、并且无需繁杂的制造工序、容易地具有优异的阻气性和挠性的阻气层叠体、其制造方法、包含该阻气层叠体的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为原料的CVD法形成，该阻气层叠体的制造方法、包含所述阻气层叠体的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。

4. 发明公开

CN105637616A 基板中的硅注入及提供其硅前体组合物无效
公开(公告)号：CN105637616A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056978.8
申请日：2014-08-14
申请人：恩特格里斯公司
发明人：唐瀛 , J·D·斯威尼 , 陈天牛 , J·J·迈耶 , R·S·雷 , O·比尔 , S·N·耶德卫 , R·凯姆
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/26506 , H01L21/26546
摘要：本发明描述了用于在基板中注入硅和/或硅离子的组合物、系统和方法，包括从相应的硅前体组合物中生成硅和/或硅离子，以及在基板中注入该硅和/或硅离子。

5. 发明授权

CN103237918B 用于离子注入的方法和装置失效
公开(公告)号：CN103237918B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180057726.3
申请日：2011-11-17
申请人：德国罗特·劳股份有限公司
发明人： U·施艾特 , J·迈
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/48 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C14/48 , C23C14/56 , H01J2237/3365
摘要：本发明涉及对至少一个基片进行离子注入的离子注入装置和方法，其中，通过放电空间内的等离子体源在所述离子注入装置中产生具有至少1010cm-3、例如1010cm-3～1012cm-3的离子密度的等离子体，其中所述放电空间在待进行注入的所述基片的方向上受到具有彼此间隔开的贯通孔的等离子体限制壁的限制，所述等离子体限制壁处于等离子体电势或最大值为±100V的电势，并且，在所述离子注入装置内，所述放电空间内的压力高于所述基片所处的空间内的压力；其中所述基片承载在基片支架上，其基片表面与所述等离子体限制壁对置；并且其中，所述基片和/或所述基片支架用作基片电极，所述基片电极置于相对于所述等离子体为高负电势，以使得离子从所述等离子体中在所述基片的方向上被加速并注入到所述基片中。本发明的一个目的是提供用于离子注入的方法和装置，所述方法和装置使得能够以最大可能的效率对大量基片进行区域性和选择性的离子注入。该目的通过以上提及的一般类型的方法和离子注入装置实现，其中，所述至少一个基片和/或所述基片支架在基片传输装置上移动，所述基片传输装置与所述等离子体限制壁对置地沿朝向所述放电空间的基片传输方向且顺着所述放电空间连续或不连续地行进，并穿过所述放电空间，其中，在所述离子注入过程中，所述放电空间的气体供应及气体排出与所述至少一个基片所处的空间是分开的。

6. 发明公开

CN104246971A 贴合晶片的制造方法有权复审申请
公开(公告)号：CN104246971A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021381.5
申请日：2013-04-02
申请人：信越半导体股份有限公司
发明人：石塚徹
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01J37/32412 , H01L21/02043 , H01L21/306 , H01L21/6875 , H01L21/02052
摘要：本发明为一种贴合晶片的制造方法，其特征在于，在贴合工序之前，具有对结合晶片和基体晶片中的至少一者的贴合面进行等离子体活化处理的工序，在前述等离子体活化处理工序中，一边使前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的背面以点接触或线接触的状态载置于载台上，一边进行前述等离子体活化处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，所述方法在进行等离子体活化处理时，可以抑制微粒等附着物在晶片背面上增加，尤其在利用分批式清洗机来清洗等离子体活化处理后的晶片时，可以防止附着物再附着于晶片的贴合面。

7. 发明公开

CN104103554A 能量线照射系统和工件输送机构有权
公开(公告)号：CN104103554A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310567012.8
申请日：2013-11-14
申请人：日新离子机器株式会社
发明人：小野田正敏 , 立道润一 , 松本武
IPC分类号： H01L21/67 , B65G49/07
CPC分类号： H01L21/67757 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01L21/67718 , H01L21/67754
摘要：本发明提供能量线照射系统和工件输送机构，能大幅度改善生产率，并且有助于有效地利用能量线。能量线照射系统包括能量线射出机构、以及把照射所述能量线的工件（W）在规定的工件交接区域和能量线的照射区域（AR）之间输送的工件支架（21），把所述工件交接区域设置在隔着通过所述照射区域（AR）的虚拟直线（C）相对的两个部位，并且作为所述工件支架（21）设置有：第一工件支架（21（1）），在一方的工件交接区域和所述照射区域（AR）之间移动；以及第二工件支架（21（2）），在另一方的工件交接区域和所述照射区域（AR）之间移动。

8. 发明授权

CN102099899B 利用重卤化物的离子植入失效
公开(公告)号：CN102099899B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980128331.0
申请日：2009-07-22
申请人：瓦里安半导体设备公司
发明人：卢多维克·葛特 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 爱德温·A·阿雷瓦洛
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01L21/26513
摘要：一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。

9. 发明公开

CN102959675A 介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置无效
公开(公告)号：CN102959675A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031969.X
申请日：2011-06-30
申请人：瓦里安半导体设备公司
发明人：提摩太·J·米勒 , 维克拉姆·辛 , 卢多维克·葛特 , 克里斯多夫·J·里维特
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C14/48 , C23C14/542 , H01J37/32412
摘要：一种介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置，包括配置在等离子体处理室中所产生的等离子体上方的电极。利用电位高于用以接收离子植入的基板或阴极的电位的负电压脉冲而对该电极施予偏压。电极的电位较低，以便对由该电极产生的当作二次电子的电子给予足够的能量来克服基板周围的高电压鞘层的负电压而使电子到达基板。这些电子将加速朝向基板以便中和基板上的电荷聚集。

10. 发明公开

CN102687254A 用于形成NMOS外延层的方法失效
公开(公告)号：CN102687254A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059624.0
申请日：2010-12-16
申请人：应用材料公司
发明人：米切尔·C·泰勒 , 苏珊·B·费尔克
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/67207 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2018 , H01L21/2236 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848
摘要：本发明提供具有受控沟道应变和结电阻的NMOS晶体管及NMOS晶体管的制造方法。在一些实施方式在中，用于形成NMOS晶体管的方法可以包括(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)所述硅晶种层上沉积含硅体层，所述含硅体层包含硅，硅和晶格调整元素，或者硅和n型掺杂剂；(d)在所述含硅体层中注入所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种，所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种不在步骤(c)中沉积的所述含硅体层中；和(e)在步骤(d)注入之后，使用能量光束对所述含硅体层进行退火。在一些实施方式中，所述衬底可包含部分制造的NMOS晶体管器件，在所述NMOS晶体管器件中限定有源极区域/漏极区域。

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