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1. 发明公开

CN105051871A 放置台及等离子体处理装置有权
公开(公告)号：CN105051871A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017103.7
申请日：2014-03-26
申请人：芝浦机械电子株式会社
发明人：出村健介
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32715 , G03F1/60 , G03F7/427 , H01J37/32229 , H01J37/32422 , H01J37/32486 , H01J37/32825 , H01L21/68757
摘要：本发明是一种放置台及等离子体处理装置，在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中，所述放置台包括：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。

2. 发明授权

CN105051871B 放置台及等离子体处理装置有权
公开(公告)号：CN105051871B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480017103.7
申请日：2014-03-26
申请人：芝浦机械电子株式会社
发明人：出村健介
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32715 , G03F1/60 , G03F7/427 , H01J37/32229 , H01J37/32422 , H01J37/32486 , H01J37/32825 , H01L21/68757
摘要：本发明是一种放置台及等离子体处理装置，在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中，所述放置台包括：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。

3. 发明公开

CN107043926A 等离子体化学气相生长装置无效
公开(公告)号：CN107043926A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710069000.0
申请日：2017-02-08
申请人：丰田自动车株式会社
发明人：佐藤羊治 , 佐藤贵康 , 橘和孝 , 中田博道
IPC分类号： C23C16/513
CPC分类号： H01J37/32853 , H01J37/32201 , H01J37/32477 , H01J37/32486 , H01J2237/3321 , C23C16/513 , C23C16/4401
摘要：本发明提供一种具有附着抑制片的等离子体化学气相生长装置。附着抑制片配置于工件的设置位置与该反应炉的内壁之间。该附着抑制片是具有在彼此不同的方向上延伸的第一纤维束和第二纤维束的织物。在第一纤维束中，正面侧部分与背面侧部分在第一方向上交替排列。另外，在第二纤维束中，正面侧部分与背面侧部分在第二方向上交替排列。

4. 发明公开

CN105917748A 用于减少薄膜中杂质的装置和方法有权
公开(公告)号：CN105917748A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004759.X
申请日：2015-01-15
申请人：盖列姆企业私人有限公司
发明人：伊恩·曼 , 萨蒂亚纳拉杨·巴瑞克 , 玛丽·汪德比尔特-富盖 , 乔希·布朗 , 保罗·邓尼根
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/34 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/34 , C23C16/509 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32486 , H01J2237/3321
摘要：描述了等离子体发生器，其使用部分的PBN衬里，相对于使用完全的PBN衬里不仅在膜形成的过程中使得高能气体组分的损失最小化，而且减少了引入到生长膜中的硼杂质的水平。还描述了这种等离子体发生器在成膜装置和成膜方法中的使用。

5. 发明授权

CN101647103B 真空处理装置有权
公开(公告)号：CN101647103B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
申请人：佳能安内华股份有限公司
发明人：石桥启次 , 田中雅彦 , 熊谷晃
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
摘要：一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。

6. 发明授权

CN105917748B 用于减少薄膜中杂质的装置和方法有权
公开(公告)号：CN105917748B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580004759.X
申请日：2015-01-15
申请人：盖列姆企业私人有限公司
发明人：伊恩·曼 , 萨蒂亚纳拉杨·巴瑞克 , 玛丽·汪德比尔特-富盖 , 乔希·布朗 , 保罗·邓尼根
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/34 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/34 , C23C16/509 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32486 , H01J2237/3321
摘要：描述了等离子体发生器，其使用部分的PBN衬里，相对于使用完全的PBN衬里不仅在膜形成的过程中使得高能气体组分的损失最小化，而且减少了引入到生长膜中的硼杂质的水平。还描述了这种等离子体发生器在成膜装置和成膜方法中的使用。

7. 发明公开

CN104217915A 等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁无效
公开(公告)号：CN104217915A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410245384.3
申请日：2014-06-04
申请人：朗姆研究公司
发明人：哈梅特·辛格
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/268 , H01J37/321 , H01J37/32486 , H01J37/32495 , Y10T137/0318
摘要：本发明涉及等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁。具体地，半导体等离子体处理装置包括在其中处理半导体衬底的真空室、与该真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中的工艺气体源、以及适于在真空室中将工艺气体激励成等离子体状态的RF能量源。该装置还可包括室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中等离子体兼容液体流经暴露于等离子体的表面从而在暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。液体供给器将等离子体兼容液体输送到室壁。

8. 发明公开

CN101647103A 真空处理装置有权
公开(公告)号：CN101647103A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
申请人：佳能安内华股份有限公司
发明人：石桥启次 , 田中雅彦 , 熊谷晃
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
摘要：一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。

9. 发明申请

US20180148842A1 APPARATUS FOR PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
公开(公告)号：US20180148842A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：US15575360
申请日：2016-04-19
申请人： THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人： Tatsuya MATSUMOTO , Keisuke WASHIO
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/308 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32486 , H01J37/32834 , H01J37/3288
摘要： An apparatus for plasma atomic layer deposition includes a tubular, insulating injector adhesion preventive member mountable to a gas-introducing opening section from inside a film forming chamber, a tubular, insulating exhaust adhesion preventive member mountable to an exhaust opening section from inside the film forming chamber, and an insulating film forming chamber adhesion preventive member mountable to an inner wall side of the film forming chamber. The injector adhesion preventive member and the exhaust adhesion preventive member are separated from each of a plate electrode and a counter electrode side, and the film forming chamber adhesion preventive member is disposed on each side of the injector adhesion preventive member and the exhaust adhesion preventive member to be separated from each of the plate electrode and the counter electrode side. The apparatus further includes an upper and lower inert-gas supply port that purges inert gas toward inside the film forming chamber.

10. 发明申请

US20040250771A1 Microwave plasma substrate processing device 审中-公开
标题翻译：微波等离子体基板处理装置
公开(公告)号：US20040250771A1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：US10492841
申请日：2004-04-16
发明人： Shigenori Ozaki , Tamaki Yuasa
IPC分类号： C23C016/00
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/32486 , H01J37/32834
摘要： A microwave plasma substrate processing apparatus is formed of a processing vessel defining a process space in which a plasma processing is conducted, a stage provided in the process space for supporting the substrate to be processed, an evacuation passage formed between the processing vessel and the stage so as to surround the stage, an evacuation system connected to the processing vessel for evacuating the process space via the evacuation passage, a process gas supplying system for introducing a process gas into the process space, a microwave window provided so as to face the substrate to be processed on the stage and formed of a dielectric material and extending substantially parallel to the substrate to be processed, the microwave window forming a part of an outer wall of the processing vessel, and a microwave antenna coupled to the microwave window, wherein at least a part of the processing vessel is covered with an insulation layer.
摘要翻译：微波等离子体基板处理装置由限定进行等离子体处理的处理空间的处理容器形成，设置在用于支撑被处理基板的处理空间中的台阶，在处理容器与台架之间形成的排出通路以便围绕所述工作台，连接到所述处理容器的排气系统，用于经由所述排气通道排出所述处理空间，将处理气体引入所述处理空间的处理气体供给系统，设置成面向所述基板的微波窗口在舞台上被处理并由电介质材料形成并且基本上平行于要处理的衬底延伸，形成处理容器的外壁的一部分的微波窗口和耦合到微波窗口的微波天线，其中在处理容器的至少一部分被绝缘层覆盖。

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