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1. 发明公开

CN107731647A 用于蚀刻和沉积间迭代过渡的RF功率比切换的系统和方法无效
公开(公告)号：CN107731647A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710680712.6
申请日：2017-08-10
申请人：朗姆研究公司
发明人：大卫·赛顿 , 丹·玛罗尔 , 沈彭 , 高塔姆·巴塔查理亚 , 安德拉斯·库蒂
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32146 , H01G5/16 , H01G5/38 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J2237/334 , H03H7/38 , H03H7/40 , H01J37/32431 , H01J37/3266 , H01J37/32917 , H01J37/3464
摘要：本发明涉及用于蚀刻和沉积间迭代过渡的RF功率比切换的系统和方法。提供了一种系统，其包括：第一线性马达、第一分离器支撑组件和控制器。所述第一线性马达包括基于提供给所述第一线性马达的电流而被线性驱动的轴。所述第一分离器支撑组件被配置为连接到所述第一线性马达的所述轴和匹配网络的第一电容器的杆。所述第一线性马达被配置为致动所述杆以相对于所述第一电容器的第二电极移动所述第一电容器的第一电极，从而改变所述第一电容器的电容。所述控制器连接到所述第一线性马达，并且被配置为通过调节提供给所述第一线性马达的所述电流来调节提供给等离子体处理室的第一射频反应器线圈的功率。

2. 发明授权

CN104498898B 通过等离子体增强的化学气相沉积形成涂层的方法有权
公开(公告)号：CN104498898B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410641340.2
申请日：2009-08-04
申请人：北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
发明人： P·马诗威茨
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32596 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C2217/213 , C03C2218/153 , C23C16/402 , C23C16/45517 , C23C16/503 , C23C16/513 , H01J37/32036 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J37/32724 , H01J2237/3321 , H01J2237/3328 , H05H1/24 , H05H1/42 , H05H1/46 , H05H2001/466
摘要：本发明提供了一种通过等离子体增强的化学气相沉积形成涂层的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

3. 发明授权

CN105579227B 层叠膜、有机电致发光装置、光电转换装置及液晶显示器有权
公开(公告)号：CN105579227B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480052236.8
申请日：2014-09-16
申请人：住友化学株式会社
发明人：长谷川彰
IPC分类号： B32B7/02 , B32B9/00 , C23C16/42 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/503 , C23C16/545 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H01L51/0097 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：一种层叠膜，其是具有基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，上述薄膜层中的至少1层满足下述所有条件(i)～(iv)：(i)含有硅、氧及碳；(ii)碳的原子数相对于硅的原子数、氧的原子数及碳的原子数的总原子数的含有率X(at％)为3～25at％；(iii)平均密度d(g/cm3)为2.12g/cm3以上且低于2.25g/cm3；(iv)上述碳的原子数的含有率X(at％)和平均密度d(g/cm3)满足下述式(1)：d＞(2.22‑0.008X)…(1)所表示的条件。

4. 发明授权

CN104769156B 等离子体增强化学气相沉积设备失效转让
公开(公告)号：CN104769156B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380050283.4
申请日：2013-09-25
申请人： BMC股份有限公司
发明人：洪性喆 , 李万镐
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44
CPC分类号： H01J37/3266 , C23C14/35 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/545 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J2237/3321
摘要：公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备。该等离子体增强化学气相沉积设备包括一对被布置为面对彼此的磁场生成单元，两者之间具有间隙；一对对立电极，其被布置为在该对磁场生成单元之间面对彼此；气体供给单元，其被配置为将反应气体供给到该对对立电极之间的空间内；以及前驱物供给单元，其被配置为将前驱物供给到对对立电极之间的空间内。对立磁场可以被形成在该对磁场生成单元之间。

5. 发明授权

CN105102669B 电弧等离子体成膜装置失效
公开(公告)号：CN105102669B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201380071791.0
申请日：2013-10-29
申请人：株式会社岛津制作所
发明人：铃木正康 , 森元阳介
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
摘要：本发明的电弧等离子体成膜装置包括：成膜腔室，储存作为处理对象的基板；等离子体腔室，储存靶的至少一部分，且与成膜腔室连结；以及多个中空线圈，在靶与成膜腔室之间具有至少一处弯曲部以产生连续的磁力线，被包含非磁性金属的外皮覆盖，且配置于等离子体腔室内；利用电弧放电而在等离子体腔室内生成的含有源自靶材料的离子的等离子体是通过中空线圈的内侧而从靶被输送到基板。

6. 发明公开

CN106340471A 半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置有权转让
公开(公告)号：CN106340471A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510568466.6
申请日：2015-09-08
申请人：株式会社日立国际电气
发明人：大桥直史 , 中山雅则 , 须田敦彦 , 丰田一行 , 松井俊
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/768
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/4408 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/3266 , H01J37/32935 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28194 , H01L21/31051 , H01L21/3212 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/76807 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/67138 , H01L21/76801 , H01L2221/1005
摘要：本发明涉及抑制半导体器件特性偏差的半导体器件制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据计算处理数据的工序，所述处理数据通过调节形成于研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来修正由研磨后的第二绝缘膜和第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的膜厚分布；和基于处理数据、以使得生成于衬底中心侧的处理气体的活性种浓度和生成于衬底外周侧的处理气体的活性种浓度不同的方式使处理气体活化并形成第三绝缘膜、修正层合绝缘膜膜厚分布的工序。

7. 发明授权

CN103943489B 多层膜的蚀刻方法有权
公开(公告)号：CN103943489B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：桧森慎司 , 伊藤悦治 , 横田聪裕 , 草野周 , 石塚博昭 , 永关一也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
摘要：本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。

8. 发明授权

CN103247511B 基板处理装置有权
公开(公告)号：CN103247511B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：永关一也 , 伊藤悦治 , 横田聪裕 , 桧森慎司 , 松山昇一郎
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
摘要：本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。

9. 发明公开

CN105102669A 电弧等离子体成膜装置失效
公开(公告)号：CN105102669A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380071791.0
申请日：2013-10-29
申请人：株式会社岛津制作所
发明人：铃木正康 , 森元阳介
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
摘要：本发明的电弧等离子体成膜装置包括：成膜腔室，储存作为处理对象的基板；等离子体腔室，储存靶的至少一部分，且与成膜腔室连结；以及多个中空线圈，在靶与成膜腔室之间具有至少一处弯曲部以产生连续的磁力线，被包含非磁性金属的外皮覆盖，且配置于等离子体腔室内；利用电弧放电而在等离子体腔室内生成的含有源自靶材料的离子的等离子体是通过中空线圈的内侧而从靶被输送到基板。

10. 发明授权

CN102460634B 用于产生等离子体射束的方法以及等离子体源失效
公开(公告)号：CN102460634B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080027312.1
申请日：2010-04-27
申请人：莱博德光学有限责任公司
发明人： M·舍雷尔 , J·皮斯特纳
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/32357
摘要：在用于产生等离子体射束的方法中，该等离子体射束被这样从一个由电场和磁场产生的等离子体中这样引出，使得一个高频电压被施加到一个引出电极和一个具有激励面的激励电极的高频电极装置上并且该等离子体相对引出电极在时间平均中位于一个较高的、使等离子体正离子加速的电位上并且该等离子体和引出的等离子体射束受一个磁场地影响，规定了，为了产生磁场使用一个平面的磁子，该磁子被设置在激励电极后面的背离该等离子体的一侧上并且其磁性北极和磁性南极指向等离子体腔室内部中，使得构成一个弯曲的、伸入到等离子体腔室内部的磁场。在用于实施所述方法的等离子体源中，具有一个带有引出电极和具有激励面的激励电极的高频电极装置的等离子体容器，该激励面通过一个适配网络可与一个高频振荡器连接或被与一个高频振荡器连接，其中，一个等离子体腔室位于该激励面与引出电极之间，在该等离子体腔室中可激励一个等离子体及其中，引出电极与激励面的面积大小被这样选择，使得几乎在引出电极上下降了全部高频电压；具有一个用于产生磁场的磁装置，规定了，该磁装置具有至少一个磁性北极和一个磁性南极，它们分别被设置在激励电极后面的背离等离子体腔室的一侧上并且指向该等离子体腔室的内部，使得可形成一个弯曲的、伸入到等离子体腔室内部中的磁场，其中，北极或南极中至少一个被长形地构造，使得可形成一个隧道状的区域，加载的粒子可被保持在该区域中并且它们可沿着该区域扩散。

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