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1. 发明授权

CN101894863B 场效应晶体管失效
公开(公告)号：CN101894863B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010178281.1
申请日：2010-05-11
申请人：瑞萨电子株式会社
发明人：竹中功 , 麻埜和则 , 石仓幸治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/10 , H03F3/20
CPC分类号： H03F3/195 , H01L21/28593 , H01L29/402 , H01L29/7786 , H03F1/56 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/451
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。

2. 发明授权

CN105164811B 半导体器件的电极及其形成方法有权
公开(公告)号：CN105164811B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201480016477.7
申请日：2014-02-13
申请人：创世舫电子有限公司
发明人：斯拉班缇·乔杜里 , 乌梅什·米什拉 , 尤瓦扎·多拉
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/28114 , H01L21/283 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L21/28593 , H01L21/76804 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一种III‑N半导体HEMT器件，其包括在III‑N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III‑N材料结构的凹进部的部分比接近III‑N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III‑N材料结构之间。第一侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。

3. 发明授权

CN103022122B 化合物半导体器件及其制造方法失效
公开(公告)号：CN103022122B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210353262.7
申请日：2012-09-20
申请人：富士通株式会社
发明人：牧山刚三 , 吉川俊英
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L21/28 , H02M5/10 , H03F3/189
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/28581 , H01L21/28593 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H02M1/4225 , H02M3/33592 , Y02B70/126 , Y02B70/1475
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。公开一种化合物半导体器件，其中为均质的并且由单一材料(在这种情况下，SiN)构成并且因此具有均匀的介电常数的第一保护膜连续地覆盖化合物半导体层；作为由氧化物构成的第二保护膜的含氧保护部形成为覆盖形成于第一保护膜中的开口的一个边缘部分；以及栅电极形成为填充开口并且形成为其中包含第二保护膜。

4. 发明公开

CN101002336A 凹入式半导体器件无效
公开(公告)号：CN101002336A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580027015.6
申请日：2005-07-22
申请人：飞思卡尔半导体公司
发明人：新华·P·李 , 布鲁斯·M·格林 , 奥林·L·哈廷 , 埃伦·Y·兰 , 查尔斯·E·韦策尔
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L27/095 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L21/28593 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要：一种半导体结构包括第一半导体层(22)、在第一半导体层上方的第二半导体层(24)、在第二半导体层上方的第三半导体层(25)和在第三半导体层上方的第四半导体层(26)。第一导电部分(144)耦合到第一半导体层，和第二导电部分(50)形成在第一半导体层上方。

5. 发明公开

CN107026202A 高压MOSFET、半导体结构及其制造方法有权
公开(公告)号：CN107026202A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610915568.5
申请日：2016-10-21
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：陈翔裕 , 吴国铭 , 林怡君 , 亚历克斯·卡尔尼茨基
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L21/26513 , H01L21/28593 , H01L21/324 , H01L21/823418 , H01L29/0847 , H01L29/26 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66659 , H01L29/7836 , H01L29/78624 , H01L29/78627 , H01L29/78 , H01L29/66477 , H01L29/66553
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括阱区、第一掺杂区、漏极区、源极区和栅电极。第一导电类型的第一掺杂区位于阱区内的第一侧处。第一导电类型的漏极区位于第一掺杂区内。第一导电类型的源极区位于阱区的第二侧处，其中第二侧与第一侧相对。栅电极位于阱区上方并且位于源极区和漏极区之间。漏极区的表面和源极区的表面限定了沟道，并且源极区的表面与阱区直接接触。本发明的实施例还涉及高压MOSFET、半导体结构及其制造方法。

6. 发明公开

CN105164811A 半导体器件的电极及其形成方法有权
公开(公告)号：CN105164811A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480016477.7
申请日：2014-02-13
申请人：创世舫电子有限公司
发明人：斯拉班缇·乔杜里 , 乌梅什·米什拉 , 尤瓦扎·多拉
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/28114 , H01L21/283 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L21/28593 , H01L21/76804 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一种III-N半导体HEMT器件，其包括在III-N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III-N材料结构的凹进部的部分比接近III-N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III-N材料结构之间。第一侧壁相对于III-N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III-N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。

7. 发明公开

CN103022122A 化合物半导体器件及其制造方法失效
公开(公告)号：CN103022122A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353262.7
申请日：2012-09-20
申请人：富士通株式会社
发明人：牧山刚三 , 吉川俊英
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L21/28 , H02M5/10 , H03F3/189
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/28581 , H01L21/28593 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H02M1/4225 , H02M3/33592 , Y02B70/126 , Y02B70/1475
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。公开一种化合物半导体器件，其中为均质的并且由单一材料(在这种情况下，SiN)构成并且因此具有均匀的介电常数的第一保护膜连续地覆盖化合物半导体层；作为由氧化物构成的第二保护膜的含氧保护部形成为覆盖形成于第一保护膜中的开口的一个边缘部分；以及栅电极形成为填充开口并且形成为其中包含第二保护膜。

8. 发明公开

CN101894863A 场效应晶体管失效
公开(公告)号：CN101894863A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010178281.1
申请日：2010-05-11
申请人：瑞萨电子株式会社
发明人：竹中功 , 麻埜和则 , 石仓幸治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/10 , H03F3/20
CPC分类号： H03F3/195 , H01L21/28593 , H01L29/402 , H01L29/7786 , H03F1/56 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/451
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。

9. 发明申请

WO2014127150A1 ELECTRODES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于半导体器件的电极及其形成方法
公开(公告)号：WO2014127150A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/US2014/016298
申请日：2014-02-13
申请人： TRANSPHORM INC.
发明人： CHOWDHURY, Srabanti , MISHRA, Umesh , DORA, Yuvaraj
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/28114 , H01L21/283 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L21/28593 , H01L21/76804 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A III-N semiconductor HEMT device includes an electrode-defining layer on a III-N material structure. The electrode-defining layer has a recess with a first sidewall proximal to the drain and a second sidewall proximal to the source, each sidewall comprising a plurality of steps. A portion of the recess distal from the III-N material structure has a larger width than a portion of the recess proximal to the III-N material structure. An electrode is in the recess, the electrode including an extending portion over the first sidewall. A portion of the electrode-defining layer is between the extending portion and the III-N material structure. The first sidewall forms a first effective angle relative to the surface of the III-N material structure and the second sidewall forms a second effective angle relative to the surface of the III-N material structure, the second effective angle being larger than the first effective angle.
摘要翻译： III-N半导体HEMT器件包括在III-N材料结构上的电极限定层。电极限定层具有凹槽，其具有靠近漏极的第一侧壁和靠近源极的第二侧壁，每个侧壁包括多个台阶。远离III-N材料结构的凹部的一部分具有比靠近III-N材料结构的凹部的一部分更大的宽度。电极在凹槽中，电极包括在第一侧壁上的延伸部分。电极限定层的一部分位于延伸部分和III-N材料结构之间。第一侧壁相对于III-N材料结构的表面形成第一有效角度，并且第二侧壁相对于III-N材料结构的表面形成第二有效角度，第二有效角度大于第一有效角度角度。

10. 发明专利

JP2011060820A Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2011060820A
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：JP2009205756
申请日：2009-09-07
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： KURAHASHI NAOKO , MAKIYAMA KOZO
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42372 , H01L21/28587 , H01L21/28593 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7787
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a lower electrode which is reliably microfabricated more without causing breakage of a gate electrode, by making gentle a degree of inclination of a taper shape of the gate electrode. SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductor device includes: forming an insulating film 4 over a semiconductor region 1 having a source electrode 2 and a drain electrode 3; forming laminated resist 8 including a plurality of resist layers 5, 6 and 7 over the insulating film 4; forming an opening 9 in the resist layers 6 and 7 other than the lowest layer in the laminated resist 8; forming a reflow opening 10 in the resist layer 5 as the lowest layer; reflowing a part PTc of the resist layer 5 as the lowest layer exposed in the reflow opening 10 by heating; forming a first gate lower opening 12A in the resist layer 5 as the lowest layer so as to range over an inclination surface 11 formed at the surface of the resist layer 5 as the lowest layer by the reflowing; and forming a gate electrode 13 having a shape depending on the shapes of the opening 9, the inclination surface 11 and the first gate lower opening 12A. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过使栅电极的锥形形状稍微倾斜一定程度，形成可靠地微加工而不引起栅电极破损的下电极。解决方案：制造半导体器件的方法包括：在具有源电极2和漏电极3的半导体区域1上形成绝缘膜4; 在绝缘膜4上形成包括多个抗蚀剂层5,6和7的层压抗蚀剂8; 在层压抗蚀剂8中除了最低层以外的抗蚀剂层6和7中形成开口9; 在抗蚀剂层5中形成作为最低层的回流开口10; 通过加热回流作为在回流开口10中暴露的最低层的抗蚀剂层5的部分PTc; 在抗蚀剂层5中形成作为最低层的第一栅极下开口12A，以便通过回流作为最低层形成在抗蚀剂层5的表面上的倾斜表面11的范围; 并且形成具有取决于开口9，倾斜表面11和第一门下开口12A的形状的形状的栅电极13。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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