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1. 发明公开

CN1738048A 共射共基放大器,其电路以及制造这种放大器布置的方法失效
公开(公告)号：CN1738048A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510091418.9
申请日：2005-08-10
申请人： ATMEL德国有限公司
发明人：克里斯托夫·布龙贝格尔
IPC分类号： H01L27/082 , H01L21/8222 , H03F3/19
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L27/0828
摘要：高频电路的共射共基放大器，它具有一个第一晶体管，该第一晶体管具有一个第一基极半导体区域，一个第一集电极半导体区域以及－一个第一发射极半导体区域，它还具有一个第二晶体管，该第二晶体管具有一个第二基极半导体区域，一个第二集电极半导体区域以及一个第二发射极半导体区域，其中，第一晶体管的第一发射极半导体区域和第二晶体管的第二集电极半导体区域相对于一个晶圆表面几何地位于上方，并且第一晶体管的第一集电极半导体区域和第二晶体管的第二发射极半导体区域相对于晶圆表面几何地位于下方。

2. 发明公开

CN103367447A 具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置有权
公开(公告)号：CN103367447A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310099192.1
申请日：2013-03-26
申请人：英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： F.希尔勒 , P.伊尔西希勒 , A.维尔梅罗特
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H02M3/155
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/823487 , H01L27/0826 , H01L27/0828 , H01L27/10841 , H01L27/10864 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/10 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/732 , H01L29/7395 , H01L29/7788 , H01L29/78 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7823 , H01L29/7825 , H01L29/7838 , H01L29/7926 , H01L29/8611 , H01L29/88
摘要：本发明涉及具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体以及设置在半导体主体的第一器件区中的功率晶体管。功率晶体管包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置也包括设置在半导体主体的第二器件区中的另外的半导体器件。第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构。所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。

3. 发明授权

CN104919595B 具有双向双极晶体管的系统、电路、器件和方法有权
公开(公告)号：CN104919595B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480004623.4
申请日：2014-06-24
申请人：理想能量有限公司
发明人：理查德·A.·布兰查德 , 威廉·C.·亚历山大
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/73 , H01L27/102
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要：使用双向双极晶体管(BTRAN)进行开关的用于功率分组开关功率转换器的方法、系统、电路和器件。四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN是完全对称融合的双基极双向双极相反面对的器件，所述器件在高非平衡载流子浓度条件下操作并且在用作用于功率分组开关功率转换器的双向开关时能够具有令人惊奇的协同效应。BTRAN被驱动到高载流子浓度状态，从而使得导通状态电压降非常低。

4. 发明授权

CN103367447B 具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置有权
公开(公告)号：CN103367447B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310099192.1
申请日：2013-03-26
申请人：英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： F.希尔勒 , P.伊尔西希勒 , A.维尔梅罗特
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H02M3/155
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/823487 , H01L27/0826 , H01L27/0828 , H01L27/10841 , H01L27/10864 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/10 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/732 , H01L29/7395 , H01L29/7788 , H01L29/78 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7823 , H01L29/7825 , H01L29/7838 , H01L29/7926 , H01L29/8611 , H01L29/88
摘要：本发明涉及具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体以及设置在半导体主体的第一器件区中的功率晶体管。功率晶体管包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置也包括设置在半导体主体的第二器件区中的另外的半导体器件。第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构。所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。

5. 发明公开

CN104919595A 具有双向双极晶体管的系统、电路、器件和方法有权
公开(公告)号：CN104919595A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004623.4
申请日：2014-06-24
申请人：理想能量有限公司
发明人：理查德·A.·布兰查德 , 威廉·C.·亚历山大
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/73 , H01L27/102
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要：使用双向双极晶体管(BTRAN)进行开关的用于功率分组开关功率转换器的方法、系统、电路和器件。四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN是完全对称融合的双基极双向双极相反面对的器件，所述器件在高非平衡载流子浓度条件下操作并且在用作用于功率分组开关功率转换器的双向开关时能够具有令人惊奇的协同效应。BTRAN被驱动到高载流子浓度状态，从而使得导通状态电压降非常低。

6. 发明公开

EP0012545A1 Semiconductor integrated circuit and fabrication method 失效
标题翻译： Integrierte Halbleiterschaltung和Verfahren zu ihrer Herstellung。
公开(公告)号：EP0012545A1
公开(公告)日：1980-06-25
申请号：EP79302736.8
申请日：1979-11-30
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： Agraz-Guerena, Jorge , Panousis, Peter Theodore , Pritchett, Robert Leonard
IPC分类号： H01L27/08 , H01L29/36 , H01L21/76
CPC分类号： H01L27/0244 , H01L21/76216 , H01L27/0828
摘要： A semiconductor integrated circuit includes an upward mode (13,19A, 17C) and a downward mode (34,25,17D, 14) vertical transistor, both of the same polarity (npn). The impurity concentrations in the base zones of both transistors are graded, decreasing towards the collector. A laterial transistor (21,17B, 22) can be merged with the upward mode transistor to provide an 1 2 L element and local oxide regions (36-40) can be provided for isolation by low temperature, high pressure oxidation so as to cause substantially no movement or segregation of impurities.
摘要翻译：半导体集成电路包括两个相同极性（npn）的向上模式（13,19A，17C）和下降模式（34,25,17D，14）垂直晶体管。两个晶体管的基极区域中的杂质浓度分级，朝向集电极逐渐减小。材料晶体管（21,17B，22）可以与向上模式晶体管合并以提供I 2 L元件，并且可以提供局部氧化物区域（36-40）用于通过低温高压氧化进行隔离，以便基本上不引起杂质的移动或偏析。

7. 发明申请

WO2014210072A1 SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：具有双向双极晶体管的系统，电路，器件和方法
公开(公告)号：WO2014210072A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/US2014043962
申请日：2014-06-24
申请人： IDEAL POWER INC
发明人： BLANCHARD RICHARD A , ALEXANDER WILLIAM A
IPC分类号： H01L29/747 , H01L27/102 , H01L29/73
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要： Methods, systems, circuits, and devices for power-packet-switching power converters using bidirectional bipolar transistors (BTRANs) for switching. Four-terminal three-layer BTRANs provide substantially identical operation in either direction with forward voltages of less than a diode drop. BTRANs are fully symmetric merged double-base bidirectional bipolar opposite-faced devices which operate under conditions of high non-equilibrium carrier concentration, and which can have surprising synergies when used as bidirectional switches for power-packet-switching power converters. BTRANs are driven into a state of high carrier concentration, making the on-state voltage drop very low.
摘要翻译：用于使用双向双极晶体管（BTRAN）进行开关的功率分组开关电源转换器的方法，系统，电路和器件。四端子三层BTRAN在任一方向提供基本上相同的操作，正向电压小于二极管压降。 BTRAN是在非平衡载流子浓度高的条件下工作的完全对称的双对称双基极双极相对装置，当用作功率分组开关功率转换器的双向开关时，它可以具有惊人的协同作用。 BTRAN被驱动到高载流子浓度的状态，使得导通电压下降很低。

8. 发明公开

EP0002087A1 Dispositif semiconducteur monolithique comprenant deux transistors complémentaires et son procédé de fabrication 失效
标题翻译：一种单片半导体器件，包括两个互补晶体管及其制造方法。
公开(公告)号：EP0002087A1
公开(公告)日：1979-05-30
申请号：EP78200298.4
申请日：1978-11-13
申请人： R.T.C. LA RADIOTECHNIQUE-COMPELEC Société anonyme dite: , Philips Electronics N.V.
发明人： Roger, Bernard
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/82285 , H01L21/24 , H01L27/0688 , H01L27/0826 , H01L27/0828
摘要： Les transistors verticaux bipolaires (T e1 , T s1 ), créés à partir d'un substrat (100) supportant deux couches épitaxiales (101, 102) de types opposés de conductivité, étant à bases épitaxiales (première épitaxie (101) pour le premier transistor (T.,), deuxième épitaxie (102) pour le deuxième (f s1 ), le collecteur de l'un (T.,) et l'émetteur de l'autre (Te,) comportent, chacun une portion (2, 1) de substrat, les deux portions (2, 1) étant contiguës, de types opposés.
Ces transistors sont séparés par un barrage (17) isolant traversant les couches épitaxiales (101, 102) et par une jonction (3) qui va de la face inférieure (104) du substrat audit barrage et dont la jonction (3) qui sépare les deux dites portions (2, 1) de substrat est au moins une partie.
Le procédé de fabrication comprend l'introduction localisée, dans un substrat d'un type initial, d'impuretés du type opposé, par thermomigration ou par diffusion.
L'invention est applicable aux amplificateurs Darlington mixtes et «push-pull».

9. 发明公开

EP0001586A1 Integrierte Halbleiteranordnung mit vertikalen NPN- und PNP-Strukturen und Verfahren zur Herstellung 失效
标题翻译：与垂直PNP和NPN结构以及制造方法的集成半导体器件。
公开(公告)号：EP0001586A1
公开(公告)日：1979-05-02
申请号：EP78101056.6
申请日：1978-10-03
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Anantha, Narasipur Gundappa , Bhatia, Harsaran Singh , Walsh, James Leo
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/70
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/743 , H01L21/82285 , H01L27/0755 , H01L27/0826 , H01L27/0828 , Y10S148/131
摘要： Eine integrierte Halbleiteranordnung mit vertikalen, komplementären Transistoren besteht aus einer in durch Isolationszonen (26) in erste Gebiete für NPN-Transistoren und zweite Gebiete für PNP-Transistoren unterteilten Epitaxieschicht (18) auf einem P-Substrat (10), wobei'in jedem Bereich eine vergrabene N + -Zone (20) vorhanden ist.
Der im ersten Gebiet untergebrachte NPN-Transistor umfaßt die vergrabene N + -Zone (20) als Subkollektor, eine diesen mit der Oberfläche verbindende N + ∂ Kollektoranschlußzone, eine in die Epitaxieschicht (18) eingebrachte P-Basiszone (36) und eine in diese eingebrachte N + -Emitterzone.
Der im zweiten Gebiet untergebrachte PNP-Transistor umfaßt eine durch lonenimplantation in das Grenzgebiet zwischen Epitaxieschicht (18) und vergrabener N + -Zone (20) eingebrachte P-Emitterzone (32), eine P-Emitteranschlußzone eine N + -Basisanschlußzone in der die Basiszone bildenden Epitaxieschicht (18) und einen auf die Epitaxieschicht (18) aufgebrachten, einen Schottkykollektor bildenden Metallkontakt (60). Die vergrabene N + -Zone (20) mit einer entsprechenden N + -Anschlußzone kann hier mit dem P-Substrat (10) einen sperrenden, also isolierenden Übergang bilden. Bei der Herstellung lassen sich P-Bastszone des NPN-Transistors und P-Emitteranschlußzone des PNP-Transistors, femer die N + -Anschlußzonen zu den vergrabenen N + -Zonen beider Transistoren und schließlich die N + -Emitterzone des NPN-Transistors und die N + -Basisanschlußzone des PNP-Transistors jeweils gleichzeitig in einem Verfahrensschritt verwirklichen.
摘要翻译：具有垂直互补晶体管的集成半导体器件由一个由一P型衬底（10）上的隔离区（26）中的NPN晶体管的第一区域，和用于PNP晶体管的外延层（18）的第二区域细分为，一个在每个区域埋置N <+> - 区（20）的存在。在容纳在第一区域NPN晶体管包括隐埋的N <+> - 区（20）作为一个子集电极，一个该连接与N的表面<+>δ集电极端子区，在外延层（18）引入P基极区域（36）并引入到这N个<+> - 发射极区域。在容纳在第二区域PNP晶体管包括在所述外延层（18）之间的边界区域中，通过离子注入和一埋置N <+> - 区（20）中引入P-发射极区（32），P-发射极区，其N- <+> - 基极端子区其中基极区域施加（18），所述外延层上形成的外延层（18）和一，一个Schottkykollektor形成金属接触（60）。隐埋的N <+> - 区（20）与相应的N <+> - 末端区可形成一个屏障，因此与P型衬底（10）在这里绝缘的过渡。在制备中，所述NPN晶体管的p基区和空白的PNP晶体管的P-发射极区域，此外N个<+> - 包括两个晶体管和N <+>的区域 - - 连接区域到埋置N <+>发射器的区域实现PNP晶体管在一个工艺步骤中的各同时的基极端子区 - NPN晶体管和N <+>。

10. 发明公开

EP3116028A2 SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：具有双向双极晶体管的系统，电路，装置和方法
公开(公告)号：EP3116028A2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：EP16178274.3
申请日：2014-06-24
申请人： Ideal Power Inc.
发明人： BLANCHARD, Richard A. , ALEXANDER, William C.
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/73 , H01L27/102
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要： Methods, systems, circuits, and devices for power-packet-switching power converters using bidirectional bipolar transistors (BTRANs) for switching. Four-terminal three-layer BTRANs provide substantially identical operation in either direction with forward voltages of less than a diode drop. BTRANs are fully symmetric merged double-base bidirectional bipolar opposite-faced devices which operate under conditions of high non-equilibrium carrier concentration, and which can have surprising synergies when used as bidirectional switches for power-packet-switching power converters. BTRANs are driven into a state of high carrier concentration, making the on-state voltage drop very low.
摘要翻译：用于使用双向双极晶体管（BTRAN）进行开关的功率分组开关功率转换器的方法，系统，电路和设备。四端子三层BTRAN在正向电压小于二极管压降的任一方向上提供基本相同的操作。 BTRAN是完全对称的合并双基双向双极对向面设备，在高非平衡载流子浓度的条件下工作，并且当用作功率分组切换功率变换器的双向开关时，可以具有令人惊讶的协同作用。 BTRAN被驱动进入高载流子浓度状态，使得导通电压下降非常低。

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