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1. 发明公开

CN1236190A 耿氏二极管、非辐射性介质波导耿氏振荡器及其制造方法和其安装结构失效
公开(公告)号：CN1236190A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN99105386.9
申请日：1999-04-28
申请人：新日本无线株式会社
发明人：中川敦 , 渡边健一
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/328 , H01L21/50 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要：在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管,具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的,故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

2. 发明公开

CN106788257A 基于平面耿氏二极管的ka波段单片集成压控振荡器无效
公开(公告)号：CN106788257A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611046399.2
申请日：2016-11-23
申请人：西南大学
发明人：黄杰 , 顾雯雯 , 赵倩
IPC分类号： H03B5/04 , H03B5/18 , H01L47/02
CPC分类号： H03B5/04 , H01L47/026 , H03B5/1847
摘要：一种基于平面耿氏二极管的ka波段单片集成压控振荡器，其特征在：包括依次连接的直流偏置电压输入单元单元、输入低通滤波器、输出插指耦合电容、具有热电子注入效应的平面耿氏二极管和谐振器。直流偏置电压从直流偏置电压输入单元的中间导体馈入，通过输入低通滤波器的中央微带线和输出插指耦合电容的上端金属臂与具有热电子注入效应的耿氏二极管的顶层阳极一端连接馈入。本发明采用单片微波集成电路与共面波导技术，采用自偏置电路结构，电路结构简单，易于实现单片集成，不需要复杂的腔体波导封装组件。本发明引入具有热电子注入效应的平面耿氏二极管，有效增强压控振荡器直流‑射频的转换效率。

3. 发明授权

CN100364111C 耿氏二极管及其安装结构失效
公开(公告)号：CN100364111C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN99105386.9
申请日：1999-04-28
申请人：新日本无线株式会社
发明人：中川敦 , 渡边健一
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/328 , H01L21/50 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要：在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切人并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

4. 发明公开

CN101009150A 用于解析系统电路稳定化的频谱器无效
公开(公告)号：CN101009150A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710001013.0
申请日：2007-01-19
申请人：徐炎堂 , 徐炎惟 , 张铭火 , 林村城
发明人：徐炎堂 , 徐炎惟 , 张铭火 , 林村城
IPC分类号： H01C13/00 , H01G7/00 , H01L29/861 , H03H3/00 , H03H7/01 , H02J7/00 , H02M1/42 , H02M3/28 , H02M5/44 , H02M7/00 , H02M7/48 , B60L7/00 , H03L7/00
CPC分类号： H03H5/12 , H01C1/16 , H01C13/00 , H01G7/025 , H01G7/026 , H01L47/026 , Y02T10/7022
摘要：本发明为一种用在解析系统电路稳定化的频谱器，是设在系统电路上，包含至少一频谱电阻/电容组件，所述的频谱电阻/电容组件，至少一部份包含了随着频率增加而电阻值/电容量增加或减少的介电材料所组成，其效益是电阻值/电容量不再是定值，而是随着能量频谱分布而更动，如此，可以被用来动态阻抗匹配，并推导建构出无穷级共振舱，解开系统对偶性难题，有利非线性动态系统稳定化；且，包括电学的基础问题，例如动态功率因素调整、动态适应性阻尼、适应性全通滤波器等等均可获得完整解析；使电力系统、讯号处理、系统识别、系统整合等任意复杂非线性系统达到稳定忠诚与和谐平衡。

5. 发明授权

CN1278398C 耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器失效
公开(公告)号：CN1278398C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200410001622.2
申请日：1999-04-28
申请人：新日本无线株式会社
发明人：中川敦 , 渡边健一
IPC分类号： H01L21/328 , H01L29/861 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要：在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

6. 发明公开

CN1529348A 耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器失效
公开(公告)号：CN1529348A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200410001622.2
申请日：1999-04-28
申请人：新日本无线株式会社
发明人：中川敦 , 渡边健一
IPC分类号： H01L21/328 , H01L29/861 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要：在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

7. 发明申请

WO2004061990A2 SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：层序列
公开(公告)号：WO2004061990A2
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/DE2003/003867
申请日：2003-11-21
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
发明人： FÖRSTER, Arnold , LEPSA, Mihail, Ion , STOCK, Jürgen
IPC分类号： H01L47/02
CPC分类号： H01L47/026
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schichtenfolge für eine Gunn-Diode. Die Schichtenfolge umfasst eine Abfolge aufeinander angeordneter Schichten mit einer ersten hochdotierten n d -GaAs-Schicht (3), einer auf der ersten hochdotierten Schicht (3) angeordneten gegradeten Schicht aus AlGaAs (5), wobei die Aluminium-Konzentration dieser Schicht von der Grenzfläche zur ersten n d -GaAs-Schicht (3) ausgehend in Richtung der gegenüberliegenden Grenzfläche der AlGaAs-Schicht (5) abnimmt, und einer zweiten hochdotierten n + -Schicht (7). An mindestens einer Grenzfläche der AlGaAs-Schicht (5) zu einer der hochdotierten Schichten (3, 7) ist eine undotierte Zwischenschicht (4, 6) als Diffusions- bzw. Segregationsstopschicht angeordnet, die eine ungewollte Dotierung der gegradeten Schicht unterbindet.
摘要翻译：本发明涉及用于耿氏二极管的层序列。层序列依次包括具有第一高度掺杂的n <子> d GaAs层（3），设置在第一重掺杂层上的一个（3）的AlGaAs的gegradeten层（5），其中，所述铝布置在层的顺序该层的浓度从界面到第一nDasGaAs层（3）朝着AlGaAs层（5）的相对边界表面减小，并且第二重掺杂的 n ^{+ 图层（7）。 AlGaAs层（5）的高掺杂层中的至少一个边界BEAR表面（3,7）是一个未掺杂的中间层（4,6）布置成其防止gegradeten层的无意掺杂<扩散或偏析阻挡层。 / p>}

8. 发明申请

WO2002069410A2 GALLIUM NITRIDE MATERIAL DEVICES AND METHODS INCLUDING BACKSIDE VIAS 审中-公开
标题翻译：包括背面VIAS的氮化镓材料装置和制造方法
公开(公告)号：WO2002069410A2
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/US2002/005182
申请日：2002-02-22
申请人： NITRONEX CORPORATION
发明人： WEEKS, T., Warren , PINER, Edwin, L. , BORGES, Ricardo, M. , LINTHICUM, Kevin, M.
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/802 , H01L29/861 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L47/026 , H01L2924/10155
摘要： The invention includes providing gallium nitride material devices having backside vias and methods to form the devices. The devices include a gallium nitride material formed over a substrate, such as silicon. The device also may include one or more non-conducting layers between the substrate and the gallium nitride material which can aid in the deposition of the gallium nitride material. A via is provided which extends from the backside of the device through the non-conducting layer(s) to enable electrical conduction between an electrical contact deposited within the via and, for example, an electrical contact on the topside of the device. Thus, devices of the invention may be vertically conducting. In other cases, the vias may be free of electrical contacts, for example, to enhance light extraction. Exemplary devices include laser diodes (LDs), light emitting diodes (LEDs), power rectifier diodes, FETs(e.g., HFETs), Gunn-effect diodes, and varactor diodes, amongst others.
摘要翻译：本发明包括提供具有背面通孔的氮化镓材料器件和形成器件的方法。这些器件包括形成在诸如硅的衬底（12）之上的氮化镓材料（14）。该装置还可以包括在衬底（12）和氮化镓材料（14）之间的一个或多个非导电层（15），其可帮助氮化镓材料的沉积。提供了一种通孔（24），其从器件的背面（22）穿过非导电层（15）延伸，以使得能够在沉积在通孔（21）内的电触头（20）之间进行导电，例如，设备顶部上的电触点（16）。因此，本发明的装置可以是垂直导电的。在其他情况下，通孔可以没有电接触，例如，以增强光提取。示例性器件包括激光二极管（LD），发光二极管（LED），功率整流二极管，FET（例如，HFET），耿氏效应二极管和变容二极管等。

9. 发明申请

WO02069410A3 GALLIUM NITRIDE MATERIAL DEVICES INCLUDING BACKSIDE VIAS AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
标题翻译：包括背面VIAS的氮化镓材料装置和制造方法
公开(公告)号：WO02069410A3
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/US0205182
申请日：2002-02-22
申请人： NITRONEX CORP
发明人： WEEKS T WARREN , PINER EDWIN L , BORGES RICARDO M , LINTHICUM KEVIN M
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/80 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L47/02 , H01S5/343 , H01S5/02 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/38 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/802 , H01L29/861 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L47/026 , H01L2924/10155
摘要： The invention includes providing gallium nitride material devices having backside vias and methods to form the devices. The devices include a gallium nitride material (14) formed over a substrate (12), such as silicon. The device also may include one or more non-conducting layers (15) between the substrate (12) and the gallium nitride material (14) which can aid in the deposition of the gallium nitride material. A via (24) is provided which extends from the backside (22) of the device through the non-conducting layer(s) (15) to enable electrical conduction between an electrical contact (20) deposited within the via (21) and, for example, an electrical contact (16) on the topside of the device. Thus, devices of the invention may be vertically conducting. In other cases, the vias may be free of electrical contacts, for example, to enhance light extraction. Exemplary devices include laser diodes (LDs), light emitting diodes (LEDs), power rectifier diodes, FETs(e.g., HFETs), Gunn-effect diodes, and varactor diodes, amongst others.
摘要翻译：本发明包括提供具有背面通孔的氮化镓材料器件和形成器件的方法。这些器件包括形成在诸如硅的衬底（12）之上的氮化镓材料（14）。该装置还可以包括在衬底（12）和氮化镓材料（14）之间的一个或多个非导电层（15），其可帮助氮化镓材料的沉积。提供了一种通孔（24），其从器件的背面（22）穿过非导电层（15）延伸，以使得能够在沉积在通孔（21）内的电触头（20）之间进行导电，例如，设备顶部上的电触点（16）。因此，本发明的装置可以是垂直导电的。在其他情况下，通孔可以没有电接触，例如，以增强光提取。示例性器件包括激光二极管（LD），发光二极管（LED），功率整流二极管，FET（例如HFET），耿氏效应二极管和变容二极管等。

10. 发明授权

EP1378012B1 GALLIUM NITRIDE MATERIAL DEVICES INCLUDING BACKSIDE VIAS AND METHODS OF FABRICATION 有权转让
标题翻译：包含背面VIAS的氮化镓材料装置和制造方法
公开(公告)号：EP1378012B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：EP02721099.6
申请日：2002-02-22
申请人： Infineon Technologies Americas Corp.
发明人： WEEKS, T., Warren , PINER, Edwin, L. , BORGES, Ricardo, M. , LINTHICUM, Kevin, M.
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/323 , H01S5/02 , H01L29/20
CPC分类号： H01L33/38 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/802 , H01L29/861 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L47/026 , H01L2924/10155

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