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1. 发明公开

CN105529615A 一种半导体激光器及其制作方法有权
公开(公告)号：CN105529615A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610098480.9
申请日：2016-02-23
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人：佟存柱 , 王涛 , 汪丽杰 , 田思聪 , 舒世立 , 张建 , 王立军
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/24
CPC分类号： H01S5/34353 , H01S5/24 , H01S5/3438 , H01S5/34386
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括：相对设置的N型电极以及P型电极；设置在所述N型电极与所述P型电极之间的功能层；在第一方向上，所述功能层包括依次设置的衬底、N型包层、N型光限制层、有源区、P型光限制层、P型包层、绝缘层以及P型欧姆接触层；其中，所述第一方向为由所述N型电极指向所述P型电极的方向；所述P型电极包括：电流注入区以及非电流注入区；在所述第一方向上，所述绝缘层与所述电流注入区相对的位置设置有镂空图案，使得所述P型电极与所述P型欧姆接触层在所述电流注入区处电连接。所述半导体激光器具有低侧向发散角的特性。

2. 发明公开

CN108011295A 具有多量子阱结构的半导体激光二极管有权
公开(公告)号：CN108011295A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711043860.3
申请日：2017-10-31
申请人：住友电工光电子器件创新株式会社
发明人：小河直毅
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34313 , H01S5/0206 , H01S5/026 , H01S5/1231 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3406 , H01S5/3407 , H01S5/34306 , H01S5/34366 , H01S5/34 , H01S5/3438
摘要：本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。

3. 发明公开

CN108092132A 一种685nmAlGaInP红光半导体激光器无效
公开(公告)号：CN108092132A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611035239.8
申请日：2016-11-22
申请人：山东华光光电子股份有限公司
发明人：朱振 , 张新 , 徐现刚
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3438
摘要：一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；下缓冲层为AlxIn1-xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为AlyIn1-yP组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。本发明通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分增加到0.6。相比于现有的与GaAs晶格匹配的AlGaInP红光半导体激光器，本发明半导体激光器的量子阱层在低应变或者无应变条件下即可获得685nm的激光输出，不会存在高应变量带来的缺陷，同时可以使用厚阱结构，提高半导体激光器的微分效率。

4. 发明公开

CN105406359A 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器有权
公开(公告)号：CN105406359A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201511019089.7
申请日：2015-12-29
申请人：山东华光光电子有限公司
发明人：朱振 , 张新 , 徐现刚
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3438 , H01S5/34326
摘要：一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器，包括从下至上依次为衬底、下包层、有源区、第一上包层、腐蚀阻挡层、第二上包层和欧姆接触层；其特征在于，所述腐蚀阻挡层为从下至上依次排列的(AlaGa1-a)0.5In0.5P、GabIn1-bP及(AlaGa1-a)0.5In0.5P三层结构，每层厚度的范围5-15nm，其中，a取值为0.1-0.5，b取值为0.5-0.7；所述有源区为从下至上依次排列的(AlxGa1-x)0.5In0.5P势垒层、GayIn1-yP量子阱及(AlxGa1-x)0.5In0.5P势垒层，其中，x取值为0.4-0.6，y取值为0.4-0.6；且b、y取值满足条件：b＞y。本发明在进行杂质诱导量子阱混杂形成非吸收窗口时，所述腐蚀阻挡层可以降低Al、Ga原子互扩散程度，提高腐蚀阻挡层与第二上包层的腐蚀选择比。制作脊型波导结构时，腐蚀面平整，光输出模式稳定。

5. 发明公开

CN1879266A 高温激光二极管无效
公开(公告)号：CN1879266A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480032810.X
申请日：2004-11-05
申请人：波科海姆技术公共有限公司
发明人： B·里德
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S5/3438
摘要：一种适于高温工作的半导体激光器结构，该半导体激光器结构具有限制层以将电子限制到有源区(量子阱)，并具有分隔的基于锑化物的包层以提供额外的电子限制和光子限制。该结构适于在980nm至1.55μm(微米)的远程通信波长发射激光。该包层使用了AlAsSb，其能与InP晶格匹配且能用于获得大的导带偏移。其对于无冷却器(没有热电冷却器)的工作非常有用。

6. 发明申请

US20030039287A1 Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser device and production method therefor 失效
标题翻译：增益耦合分布反馈半导体激光器件及其制作方法
公开(公告)号：US20030039287A1
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：US10221363
申请日：2002-09-12
发明人： Koji Takahashi
IPC分类号： H01S005/00 , H01S003/08
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1228 , H01S5/1231 , H01S5/3202 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3432 , H01S5/3434 , H01S5/34346 , H01S5/3438
摘要： The presence or absence and the intensity of refractive index distribution are easily controlled with high reproducibility without depending on the fabricating process accuracy. InGaAs well layers (14a) and (14b), which have a narrow bandgap and a high refractive index, are enclosed by a lower barrier layer (13), an intermediate barrier layer (15), an upper barrier layer (16) and a buried layer (18) of GaAsN-based materials of a wide bandgap. Then, by adjusting the nitrogen crystal mixture ratio of the GaAsN-based materials that constitute the barrier layers (13), (15) and (16) and the buried layer (18), the presence or absence and the intensity of the refractive index distribution are controlled. Thus, the refractive index distribution is easily controlled with high reproducibility without considering the configuration of a diffraction grating (17), a refractive index balance with respect to the buried layer (18) and so on, i.e., without depending on the fabricating process accuracy.
摘要翻译：折射率分布的存在或不存在和强度易于以高再现性进行控制，而不依赖于制造工艺的精度。具有窄带隙和高折射率的InGaAs阱层（14a）和（14b）被下阻挡层（13），中间阻挡层（15），上阻挡层（16）和具有宽带隙的GaAsN基材料的埋层（18）。然后，通过调整构成阻挡层（13），（15）和（16）和掩埋层（18）的GaAsN基材料的氮结晶混合比，折射率的存在或不存在和强度分配受到控制。因此，不考虑衍射光栅（17）的构造，相对于掩埋层（18）的折射率平衡等，即不依赖于制造工艺精度，可以以高再现性容易地控制折射率分布。

7. 发明申请

US20050100066A1 High temperature laser diode 审中-公开
标题翻译：高温激光二极管
公开(公告)号：US20050100066A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：US10981665
申请日：2004-11-05
申请人： Benoit Reid
发明人： Benoit Reid
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S5/3438
摘要： A semiconductor laser structure having confinement layers to confine electrons to an active region (quantum wells) and having separate antimonide-based cladding layers to provide additional electron confinement and photon confinement is suited to high temperature operation. The structure is suitable for lasing across telecommunications wavelengths from 980 nm to 1.55 μm (microns). The cladding layer uses AlAsSb which can be lattice-matched to InP and can be used to achieve large conduction band offsets. It is very useful for coolerless (without thermo-electric cooler) operation.
摘要翻译：具有将电子限制到有源区（量子阱）并具有单独的基于锑化物的包覆层以提供额外的电子限制和光子约束的限制层的半导体激光器结构适用于高温操作。该结构适用于从980nm到1.55mum（微米）的电信波长的激光。包层使用可与InP晶格匹配的AlAsSb，可用于实现大的导带偏移。对于无冷却器（无热电冷却器）操作非常有用。

8. 发明授权

US06539040B2 Laser diode and fabrication process thereof 失效
公开(公告)号：US06539040B2
公开(公告)日：2003-03-25
申请号：US09942670
申请日：2001-08-31
申请人： Chikashi Anayama
发明人： Chikashi Anayama
IPC分类号： H01S522
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2238 , H01S5/305 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/3436 , H01S5/34373 , H01S5/3438
摘要： An S3-type laser diode includes a p-type cladding layer formed on an active layer such that an inclined surface region thereof has a carrier concentration level of 1×1018 cm−3 or more, wherein the p-type cladding layer has a thickness of 0.35 &mgr;m or more.

9. 发明申请

US20190027896A1 TUNABLE LASER AND MANUFACTURING METHOD FOR TUNABLE LASER 审中-公开
公开(公告)号：US20190027896A1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：US16138648
申请日：2018-09-21
申请人： Huawei Technologies Co., Ltd.
发明人： Jifang He , Hongmin Chen , Hongbing Lei , Xiao Andy Shen
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/125 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/0612 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0625 , H01S5/06256 , H01S5/1003 , H01S5/125 , H01S5/2045 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S5/3438
摘要： A wavelength tunable laser includes: a heating layer, a dielectric layer, reflectors, a transport layer, a support layer, and a substrate layer. The heating layer is located above the transport layer; the transport layer is located above the support layer, and the transport layer includes an upper cladding layer, a waveguide layer, and a lower cladding layer from top to bottom; the reflector is located in the transport layer; the support layer has a protection structure, where the protection structure forms a hollow structure together with the transport layer and the substrate layer, and the hollow structure has a support structure; and the substrate layer is located below the support layer. The heating layer, the reflector, and a part of the transport layer form a suspended structure to prevent heat dissipation. Thus thermal tuning efficiency can be improved, and power consumption can be lowered.

10. 发明授权

US06940887B2 Gain optimizing for stable single mode operation of external cavity laser 有权
标题翻译：增益优化用于外腔激光器的稳定单模操作
公开(公告)号：US06940887B2
公开(公告)日：2005-09-06
申请号：US10376361
申请日：2003-02-27
申请人： Sergei Sochava
发明人： Sergei Sochava
IPC分类号： H01S3/08 , H01S3/082 , H01S3/10 , H01S3/13 , H01S5/10 , H01S5/14 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/34 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1078 , H01S5/141 , H01S5/2004 , H01S5/3086 , H01S5/34 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34326 , H01S5/3438
摘要： Known laser diode selections are limited to those designed for high power applications (high gain) or those designed for stable single mode operation in an external cavity (low gain). Exponential gain of laser diodes implemented according to embodiments of the present invention is improved (i.e., optimized) to provide both high output power and stability in an external cavity. This is accomplished by controlling the number of quantum wells, light confinement factor, and the transparency current of the laser diode.
摘要翻译：已知的激光二极管选择仅限于为高功率应用（高增益）设计的激光二极管选择，或限于外部腔体（低增益）中稳定单模工作的设计。根据本发明的实施例实现的激光二极管的指数增益被改进（即优化），以在外部空腔中提供高输出功率和稳定性。这是通过控制量子阱的数量，光限制因子和激光二极管的透明度电流来实现的。

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