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1. 发明授权

CN102843124B 通过调节基极电流来驱动双极结型晶体管的系统和方法有权
公开(公告)号：CN102843124B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110171960.0
申请日：2011-06-20
申请人：昂宝电子(上海)有限公司
发明人：翟向坤 , 林元 , 黄晓敏 , 方烈义
IPC分类号： H03K19/013
CPC分类号： H02M3/33507 , H03K17/0414 , H03K17/0422 , H03K17/063
摘要：本发明公开了通过调节基极电流来驱动双极结型晶体管的系统和方法。提供了用于驱动用于电源变换器的双极结型晶体管的系统的方法。该系统包括电流生成器，被配置为向双极结型晶体管输出驱动电流信号以调节流经电源变换器的初级绕组的初级电流。电流生成器还被配置来：输出驱动电流信号以使双极结型晶体管在第一时间段、第二时间段和第三时间段期间导通，第二时间段将第一时间段与第三时间段分离开；在第一时间段和第二时间段期间驱动双极结型晶体管在硬饱和区域中工作；并且在第三时间段期间驱动双极结型晶体管在准饱和区域中工作。

2. 发明公开

CN105743474A 对反向导通IGBT的控制有权转让
公开(公告)号：CN105743474A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510994389.0
申请日：2015-12-25
申请人： ABB技术有限公司
发明人：伊格纳西奥·利扎马 , 斯特芬·贝尔内特 , 马蒂·莱蒂宁
IPC分类号： H03K17/60
CPC分类号： H03K17/284 , H03K17/0414 , H03K17/08128 , H03K17/28 , H03K17/567 , H03K17/74 , H03K17/60
摘要：本发明提供一种控制在包括可控开关部件的串联连接的电路中的反向导通IGBT(RC-IGBT)部件的方法和设备，其中，可控开关部件中的至少一个是RC-IGBT，以及另一部件待被控制成导通状态。该方法包括：在RC-IGBT反向导通期间，在第一时刻(t1)处对RC-IGBT的栅极电极施加预触发脉冲，该预触发脉冲对应于接通栅极脉冲；在第二时刻(t2)处，对串联连接的另一可控开关部件施加用于将该另一可控开关部件控制成导通状态的接通栅极脉冲，以使得预触发脉冲与接通栅极脉冲交叠；以及在延迟时间之后，在第三时刻(t3)处结束预触发脉冲，该延迟时间是接通栅极脉冲与预触发脉冲交叠的时间段。

3. 发明公开

CN102843124A 通过调节基极电流来驱动双极结型晶体管的系统和方法有权
公开(公告)号：CN102843124A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110171960.0
申请日：2011-06-20
申请人：昂宝电子(上海)有限公司
发明人：翟向坤 , 林元 , 黄晓敏 , 方烈义
IPC分类号： H03K19/013
CPC分类号： H02M3/33507 , H03K17/0414 , H03K17/0422 , H03K17/063
摘要：本发明公开了通过调节基极电流来驱动双极结型晶体管的系统和方法。提供了用于驱动用于电源变换器的双极结型晶体管的系统的方法。该系统包括电流生成器，被配置为向双极结型晶体管输出驱动电流信号以调节流经电源变换器的初级绕组的初级电流。电流生成器还被配置来：输出驱动电流信号以使双极结型晶体管在第一时间段、第二时间段和第三时间段期间导通，第二时间段将第一时间段与第三时间段分离开；在第一时间段和第二时间段期间驱动双极结型晶体管在硬饱和区域中工作；并且在第三时间段期间驱动双极结型晶体管在准饱和区域中工作。

4. 发明公开

CN101088221A 逆变器的开关器件的自适应栅极驱动失效
公开(公告)号：CN101088221A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580020353.7
申请日：2005-04-26
申请人：勒图尔纽科技钻孔系统公司
发明人：加里·佩斯 , 拉里·查尔斯·罗宾斯
IPC分类号： H03K17/60
CPC分类号： H02M7/538 , H02M7/5387 , H03K17/0414 , H03K17/0828 , H03K17/166 , H03K17/168 , H03K17/18 , H03K17/28 , H03K17/567
摘要：逆变器的自适应栅极驱动包括具有现场可编程门阵列(FPGA)的控制电路，并且包括具有多个FET、用于操作诸如沟槽栅绝缘栅双极晶体管(IGBT器件)之类的开关器件电源电路。控制电路提供用于操作开关器件的开关信号。另外，控制电路还接收IGBT器件的输出电流、IGBT器件的温度以及DC链路电压的信号。FPGA中存储了多个工作点。每个工作点具有用来控制IGBT器件的导通或截止行为的控制信号的对应参数。在工作中，控制电路把所测量电流、电压和温度与FPGA中存储的工作点比较，并向栅极驱动电路发送对应参数。栅极驱动相应地修改IGBT的栅极上的信号，因而根据实际工作条件来优化器件的导通和/或截止行为。

5. 发明授权

CN103516341B 开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置有权
公开(公告)号：CN103516341B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201310251209.0
申请日：2013-06-21
申请人：飞兆半导体公司
发明人：安德烈·康斯坦丁诺夫
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/0414 , H03K17/127 , H03K17/164
摘要：本发明提供了用于功率变换应用的开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置的新设计。用于功率变换应用的开关电路，所述开关电路包括第一基于硅的双极型开关装置和包括宽带隙半导体的第二开关装置，所述第一和第二开关装置是并联连接的。将主硅双极型开关并联连接于由宽带隙材料形成的缓冲开关（snubber switch）。在主硅开关的接通和/或关闭期间启动缓冲开关以便最大限度地减少开关损耗和分路安全操作区域限制。

6. 发明公开

CN103516341A 开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置有权
公开(公告)号：CN103516341A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310251209.0
申请日：2013-06-21
申请人：飞兆半导体公司
发明人：安德烈·康斯坦丁诺夫
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/0414 , H03K17/127 , H03K17/164
摘要：本发明提供了用于功率变换应用的开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置的新设计。用于功率变换应用的开关电路，所述开关电路包括第一基于硅的双极型开关装置和包括宽带隙半导体的第二开关装置，所述第一和第二开关装置是并联连接的。将主硅双极型开关并联连接于由宽带隙材料形成的缓冲开关（snubber switch）。在主硅开关的接通和/或关闭期间启动缓冲开关以便最大限度地减少开关损耗和分路安全操作区域限制。

7. 发明授权

CN101088221B 开关器件的自适应栅极驱动电路和方法以及逆变器失效
公开(公告)号：CN101088221B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200580020353.7
申请日：2005-04-26
申请人：勒图尔纽科技钻孔系统公司
发明人：加里·佩斯 , 拉里·查尔斯·罗宾斯
IPC分类号： H03K17/60
CPC分类号： H02M7/538 , H02M7/5387 , H03K17/0414 , H03K17/0828 , H03K17/166 , H03K17/168 , H03K17/18 , H03K17/28 , H03K17/567
摘要：逆变器的自适应栅极驱动包括具有现场可编程门阵列(FPGA)的控制电路，并且包括具有多个FET、用于操作诸如沟槽栅绝缘栅双极晶体管(IGBT器件)之类的开关器件电源电路。控制电路提供用于操作开关器件的开关信号。另外，控制电路还接收IGBT器件的输出电流、IGBT器件的温度以及DC链路电压的信号。FPGA中存储了多个工作点。每个工作点具有用来控制IGBT器件的导通或截止行为的控制信号的对应参数。在工作中，控制电路把所测量电流、电压和温度与FPGA中存储的工作点比较，并向栅极驱动电路发送对应参数。栅极驱动相应地修改IGBT的栅极上的信号，因而根据实际工作条件来优化器件的导通和/或截止行为。

8. 发明授权

EP0314013B1 Verfahren zur Basisstromregelung eines Schalttransistors und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens 失效
标题翻译：用于调节开关晶体管的基极电流的方法和实现方法的电路布置
公开(公告)号：EP0314013B1
公开(公告)日：1991-08-14
申请号：EP88117575.6
申请日：1988-10-21
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Feldtkeller, Martin, Dipl.-Ing.
IPC分类号： H03K17/04
CPC分类号： H03K17/0414

9. 发明授权

EP0561456B1 Miroir de courant à commutation accélérée 失效
标题翻译：快速开关电流镜
公开(公告)号：EP0561456B1
公开(公告)日：1997-09-24
申请号：EP93200711.5
申请日：1993-03-11
申请人： PHILIPS COMPOSANTS ET SEMICONDUCTEURS , Philips Electronics N.V.
发明人： Dufour, Yves
IPC分类号： G05F3/26 , H03K17/04 , H03L7/089
CPC分类号： G05F3/265 , G05F3/267 , H03K17/04126 , H03K17/0414 , H03L7/0895

10. 发明申请

WO2005104743A3 ADAPTIVE GATE DRIVE FOR SWITCHING DEVICES OF INVERTER 审中-公开
标题翻译：自适应门驱动器用于逆变器的开关装置
公开(公告)号：WO2005104743A3
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/US2005014380
申请日：2005-04-26
申请人： ROWAN ELECTRIC INC , PACE GARY , ROBBINS LARRY CHARLES
发明人： PACE GARY , ROBBINS LARRY CHARLES
IPC分类号： H03K17/60 , H01L29/43 , H02M7/538 , H03K17/0414 , H03K17/082 , H03K17/16
CPC分类号： H02M7/538 , H02M7/5387 , H03K17/0414 , H03K17/0828 , H03K17/166 , H03K17/168 , H03K17/18 , H03K17/28 , H03K17/567
摘要： An adaptive gate drive for an inverter includes control circuitry having a Field Programmable Gate Array (FPGA) and includes power circuitry having a plurality of FETs for operating a switching device, such as a Trench Gate Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT device). The control circuitry provides switching signals for operating the switching device. In addition, the control circuitry receives signals of output current of the IGBT device, temperature of the IGBT device, and DC link voltage. The FPGA has a plurality of operating points stored therein. Each operating point has corresponding parameters for a control signal that is used to control the turn-on or turn-off behavior of the IGBT device. During operation, the control circuitry compares the measured current, voltage and temperature operating points stored in the FPGA and sends the corresponding parameters to the gate drive circuit. The gate drive modifies the signal on the gate of the IGBT accordingly and thereby optimizes the turn-on and/or turn-off behavior of the device based on actual operating conditions.
摘要翻译：用于逆变器的自适应栅极驱动器包括具有现场可编程门阵列（FPGA）的控制电路，并且包括具有用于操作诸如沟槽栅绝缘栅双极晶体管（IGBT器件）的开关器件的多个FET的电源电路。控制电路提供用于操作开关装置的开关信号。此外，控制电路接收IGBT器件的输出电流信号，IGBT器件的温度和直流母线电压。 FPGA中存储有多个工作点。每个工作点具有用于控制IGBT器件的导通或关断特性的控制信号的相应参数。在操作期间，控制电路比较存储在FPGA中的测量电流，电压和温度工作点，并将相应的参数发送到栅极驱动电路。栅极驱动器相应地修改IGBT的栅极上的信号，从而基于实际操作条件优化器件的导通和/或关断特性。

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