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    • 9. 发明公开
    • 制造多晶硅颗粒的方法
    • CN116133985A
    • 2023-05-16
    • CN202080104843.X
    • 2020-07-17
    • 瓦克化学股份公司
    • M·戈坦卡H·赫特莱因B·克宁格
    • C01B33/029
    • 本发明涉及一种在流化床反应器中制造多晶硅颗粒的方法,其中在流化床反应器中,连续供应的晶种粒子在流化床中借助气流被流化,其中所述流化床区域用加热装置加热,其中通过供应包含氢气和硅烷和/或卤代硅烷的进料气流,使元素硅沉积在所述晶种粒子上以形成多晶硅颗粒,且其中在连续过程中,所述硅颗粒作为产物流从所述流化床反应器中排出,其中作为响应变量,流化床温度TWS通过平衡范围I和/或平衡范围II的质量和能量平衡确定为来自所述流化床区域的废气流(式(I))的温度TAbgas,WS,其中所述平衡范围I由以下组成:供应气流(式(III))的焓(式(II)),进入所述流化床区域的晶种粒子流(式(V))的焓(式(IV)),所述产物流(式(VII))的焓(式(VI)),来自所述流化床的所述废气质量流(式IX)的焓(式(VIII)),反应焓ΔRH23,所述加热装置的热输出Q20,从所述反应流化床区域中的所述反应器移除的能量Q24;且平衡范围I的废气流的焓(式(VIII))由方程(式(IX))给出。平衡范围II由以下部分组成:进入所述流化床区域中的所述晶种粒子流(式(V))的焓(式(IV)),进入所述反应器的所述晶种粒子流(式(XI))的焓(式(X)),来自所述流化床区域的所述废气质量流(式(I))的焓(式(VIII)),来自所述反应器的废气流(式(XIII))的焓(式(XIII)),从所述流化床上方区域中的所述反应器移除的能量Q25,且所述平衡范围II的所述废气流的焓(式(VIII))由方程(式(XIV))给出。所述流化床的温度TWS由方程(式(XV))给出,其中(式(I))=废气质量流量,cp,22=所述废气流的热容量,其中根据响应变量TWS,至少热输出Q20作为操纵变量被控制,使得在流化床中每千克硅的Q20在0.5至3kW的范围内。