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1. 发明公开

CN117995698A 一种真空用热压板及半导体产品真空热压装置审中-公开
公开(公告)号：CN117995698A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410075262.8
申请日：2024-01-18
申请人：芯笙半导体科技(上海)有限公司
发明人：朱庆辉 , 陆鑫 , 杨贵舟
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
摘要：本申请公开了一种真空用热压板及半导体产品真空热压装置，涉及半导体制造领域，其包括上板体、下板体和加热丝，所述上板体的底壁上开设有第一安装槽，所述加热丝放置在第一安装槽内并与上板体焊接固定，所述下板体的顶壁上开设有第二安装槽，所述上板体固定设置在下板体的顶壁上，所述加热丝位于第二安装槽内，且半导体产品放置在上板体上。本申请利用焊接在上板体上的加热丝对热压板进行加热，加热丝通过热传导的方式向上板体传送热量，相较于热辐射的方式，使用热传导的方式传送热量，热量传送的效率更高，从而使得加热板的升温速度更快。

2. 发明授权

CN117594500B 一种芯片热压键合装置及方法有权
公开(公告)号：CN117594500B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410077575.7
申请日：2024-01-19
申请人：浙江集迈科微电子有限公司
发明人：马飞 , 邬庆波 , 曹庆 , 魏泽涛 , 高超华
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/603
摘要：本发明提供一种芯片热压键合装置及方法，所述芯片热压键合装置包括若干个子键合单元，每个所述子键合单元均包括键合吸嘴、吸嘴底座、子传感器、子活塞和子控制器；所述键合吸嘴经所述子活塞装配于所述吸嘴底座上；所述子传感器用于实时监测所述键合吸嘴的压力和/或温度，所述子控制器用于根据所述子传感器的数据和设定的温度和/或压力数据，调整所述子活塞的高度和/或所述键合吸嘴的温度。其为集成式键合装置，每个子键合单元都能独立控制高度、压力和温度，以此解决芯片键合过程中压力不均匀或区域键合效果差的问题，同时子键合单元之间形成有间隔，间隔大小可以调整，以匹配热压键合过程中芯片的横向涨缩带来的平面尺寸的变化问题。

3. 发明公开

CN117976553A 封装结构及其形成方法审中-公开
公开(公告)号：CN117976553A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410014532.4
申请日：2024-01-04
申请人：通富通科(南通)微电子有限公司
发明人：李德权 , 吴明敏 , 吉红斌 , 李昊一
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/603 , H01L23/31
摘要：一种封装结构及其形成方法，提供基板、第一芯片和伪基底，第一芯片的功能面上具有凸起的若干第一焊接凸起以及覆盖若干第一焊接凸起的第一非导电膜，伪基底包括相连接的水平部分和垂直部分，垂直部分凸起于水平部分的边缘区域下表面上；将伪基底的水平部分中间区域的下表面粘附在第一芯片的背面上；通过焊接吸嘴吸附伪基底的背面，将伪基底的下表面上粘附的第一芯片的功能面向下对准贴装在基板的上表面上；进行焊接过程，进行加热并通过焊接吸嘴加压，使第一芯片上的第一焊接凸起焊接至基板，进行焊接过程中伪基底的垂直部分的底部抵接在基板的上表面。防止第一非导电膜污染焊接吸嘴以及第一芯片，并提高了焊接制冷和散热性能。

4. 发明授权

CN113808964B 一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法有权
公开(公告)号：CN113808964B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111111328.7
申请日：2021-09-23
申请人：华东光电集成器件研究所
发明人：郑文昭 , 李彪 , 张乐银 , 向圆 , 欧阳径桥 , 刘仲敏
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603
摘要：本发明涉及一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，包括以下步骤：1）.将助焊膏涂抹在镀镍管壳底部，把焊料片粘在使镀镍管壳底部，在焊料片上点滴助焊剂，将芯片粘接在焊料片上；2）.把粘好芯片的镀镍管壳在80℃烘烤5分钟；3）.在烘烤过的镀镍管壳放入回流炉内进行烧结，烧结过程为第一段230℃条件下预热4分钟，第二段250℃条件下预热4分钟；310℃恒温条件下共晶6分钟，最后进入冷却区。发明有效提升了现有的效率，而针对于多芯片共晶不需要制作特殊工装限位，节省开模加工时间和成本，采用镀镍管壳和金锡焊料共晶较之前降低成本三分之一，且参数均达到需求，效果显著。

5. 发明授权

CN108107163B INLAY电子标签芯片封装实验机有权
公开(公告)号：CN108107163B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810167587.3
申请日：2018-02-28
申请人：巨心物联网实验室(深圳)有限公司
发明人：程明明
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/67
摘要：本发明涉及INLAY电子标签芯片封装实验机，包括加工台，加工台上设置有载料载具、上热压头、下热压头、安装板、第一驱动机构、第二驱动机构，和调节安装板与第一驱动机构间距并检测压力的压力微调机构；还包括控制面板，上热压头、下热压头、第一驱动机构、第二驱动机构均与控制面板电连接并受其控制；通过载料载具夹载基板后，电子标签芯片放置到基板上，第一驱动机构驱动上热压头下行，第二驱动机构驱动下热压头上行，进行加热，加热温度和时间由控制面板进行控制，通过压力微调机构调节安装板与第一驱动机构之间距离并测试压力达到对压力的调节控制，单一设备即可进行电子标签封装测试，使用方便，结构简单，成本低，体型较小。

6. 发明公开

CN117878015A 一种倒装芯片的平行度调校方法审中-实审
公开(公告)号：CN117878015A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410013518.2
申请日：2024-01-04
申请人：深圳维盛半导体科技有限公司
发明人：余海滨 , 赵光礼
IPC分类号： H01L21/67 , G01B21/24 , G01B21/02 , H01L21/603
摘要：本发明公开了一种倒装芯片的平行度调校方法，包括提供测量组件，将测量组件安装于加热台上，并置于加热压头下；选择测试纸，并层叠放置于测量组件的上表面；测试纸包括依次层叠设置的压印纸和复写纸，设置压印纸和复写纸层叠的厚度为T；驱动加热压头向下移动至预设高度，使测试纸完全压合于测量组件上，测量组件以在压印纸上形成印子；松开加热压头，并取下测试纸，测量压印纸上的印子宽度为M，运用计算公式得到压焊头的偏斜角度S，从而作为调节压焊头的依据；本平行度调校方法能够通过测量压焊头的角度偏斜以便于相对应的调整，保证了产品质量，极大提高了芯片精度和可靠性。

7. 发明公开

CN117859194A 用于通过同时通过压力烧结安装至少一个第一电子部件和通过无压烧结安装至少一个第二电子部件来生产电子组件的方法审中-实审
公开(公告)号：CN117859194A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056917.6
申请日：2022-08-18
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：霍尔格·乌尔里希 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 亚采克·鲁茨基
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/60 , H01L21/98 , H05K3/32 , H01L21/48 , H01L25/16 , H01L23/498
摘要：一种用于生产包括电路载体(10)、至少一个第一电子部件(30)和至少一个第二部件(40)的电子组件(100)的方法，该方法包括使用第一烧结化合物(20)通过局部地在第一部件(30)、第一烧结化合物(20)和第一部件(30)区域中的电路载体(10)上施加压力进行烧结来将第一部件(30)与电路载体(10)连接，而同时使用第二烧结化合物(20)通过无压烧结来将第二部件(40)与电路载体(10)连接。至少一个第一部件(30)可以是有源部件，比如半导体、功率半导体、IGBT晶体管、MOSFET晶体管、以及二极管。至少一个第二部件(40)可以是无源部件(比如，表面安装器件(SMD))或可以选自热传感器、电流传感器、电感器、电容器、电阻器、导线、粗导线和条带。在第一部件(30)的区域中的局部作用压力可以单轴地施加到第一部件(30)、烧结化合物(20)、以及电路载体(10)。第一电子部件(30)经由第一烧结化合物(20)与电路载体(10)的连接可以通过在温度的同时作用下经由烧结装置的(上)模具(200)向第一部件(30)施加压力来实现。可以同样在温度的作用下使用第二烧结化合物(20)通过无压烧结同时实现第二部件(40)与电路载体(10)的连接。压制模具(200)在第二部件(40)所在的位置上具有凹部，使得压制模具(200)接纳第二部件(40)而不对其施加压力。替代性地，组件(100)可以被设计成使得与第一部件(30)相比，第二部件(40)布置成整体较低或具有较小的总高度，使得模具(200)无法与第二部件(40)接触。烧结化合物(20)可以是干燥的烧结膏或烧结垫。在第一部件(30)或第二部件(40)连接到电路载体(10)之前，烧结化合物(20)可以附连至第一部件(30)或第二部件(40)或电路载体(10)。分离箔(210)可以布置在待烧结组件(100)与压制模具(200)之间，其中，为了防止压制模具(200)能够经由分离箔(210)向第二部件(40)施加压力，分离箔(210)可以在第二部件(40)的区域中设置有凹部，使得第二部件(40)未被覆盖。由于压力烧结，因此第一电子部件(30)可以可靠地安装(尽管可变负载高)，由于无压烧结，因此第二部件(40)可以在不断裂的情况下安装。

8. 发明公开

CN117855067A 键合方法审中-实审
公开(公告)号：CN117855067A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410027796.3
申请日：2024-01-08
申请人：复旦大学
发明人：王小村 , 肖斐
IPC分类号： H01L21/603
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种键合方法，包括：提供第一基底，第一基底的表面具有第一焊盘，第一焊盘的表面具有第一氧化层；在第一焊盘上涂覆有机还原剂；提供第二基底，第二基底的表面具有第二焊盘；将第二基底与第一基底相对放置并进行热压处理，在热压处理过程中，至少部分有机还原剂将第一氧化层还原为第一金属层，第一金属层促进第一焊盘与第二焊盘之间的键合，剩余的有机还原剂挥发。本申请实施例提供的键合方法，有利于在较低温度和较低压力下实现第一焊盘与第二焊盘的直接键合，缩短键合时间，提高键合强度。

9. 发明授权

CN109326588B 一种GaN基级联功率器件及其封装方法有权
公开(公告)号：CN109326588B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810953473.1
申请日：2018-08-21
申请人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
发明人：王洪 , 陈泽亮 , 周泉斌 , 高升
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/495 , H01L21/603
摘要：本发明公开了一种GaN基级联功率器件及其封装方法。该GaN基级联功率器件包括大栅宽GaN基功率芯片、硅基功率MOS芯片、TO‑220框架、小铜基板、导电银浆和绝缘胶；大栅宽GaN基功率芯片是横向结构的高耐压、耗尽型GaN基功率芯片，硅基功率MOS芯片是垂直结构的低压、增强型硅基功率MOS芯片。硅基功率MOS芯片通过导电银浆与小铜基板连接，小铜基板通过绝缘胶与TO‑220框架的基岛连接；大栅宽GaN基功率芯片通过绝缘胶固定在TO‑220框架的基岛上；本发明通过引入Cascode方式，将大栅宽GaN基功率芯片与硅基功率MOS芯片结合起来，组合成实用性更广的增强型的GaN基功率器件。

10. 发明授权

CN109816079B 一种射频支付模组及其制作方法有权
公开(公告)号：CN109816079B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201711166622.1
申请日：2017-11-21
申请人：北京握奇智能科技有限公司
发明人：彭朝跃
IPC分类号： G06K19/077 , H01L21/603 , H01L23/498
摘要：本发明公开了一种射频支付模组，涉及智能卡技术领域，其包括线路板、双面导电胶带和芯片模块；通过采用导电胶胶带+PCB板的组合方式，可有效解决异型模具多样化以及不能大批量生产的问题；具体来说，将PCB板和芯片模块之间通过采取双面导电胶带进行组合装配的方式，多个芯片模块分布在载带上，形成载带模块，同时采取与载带模块长度宽度尺寸相适应的导电胶带，并且在导电胶带上对应安装芯片模块的塑封位置进行镂空，通过热压设备将载带模块和导电胶带热压固定，形成背胶模块，形成的背胶模块在后续通过设备将胶皮分离并通过载带模块冲压模具将载带上的芯片模块分离成单个的背胶模块，最后将多个形成的单个背胶模块与线路板进行连接，形成支付模组。

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