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    • 5. 发明申请
    • PROGRAMMABLE LINEAR RECEIVER
    • 可编程线性接收器
    • WO99030426A1
    • 1999-06-17
    • PCT/US1998/026052
    • 1998-12-08
    • H03F1/02H03F1/34H03G1/00H03G3/18H03G3/20H04B1/10H04B1/16
    • H03G3/3068H03F1/0261H03F1/342H03F2200/294H03F2200/331H03F2200/372H03G1/0088H04B1/1027H04B1/109
    • A programmable linear receiver (1200) which provides the requisite level of system performance at reduced power consumption. The receiver minimizes power consumption based on measurement of the non-linearity in the ouput signal from the receiver (1200). The amount of non-linearity can be measured by the RSSI slope or energy-per-chip-to-noise-ratio (Ec/Io) measurement. The RSSI slope is the ratio of the change in the output signal plus intermodulation to the change in the input signal. The input signal level is periodically increased by a predetermined level and the output signal from the receiver (1200) is measured. The ouput signal comprises the desired signal and intermodulation products from non-linearity within the receiver (1200). When the receiver (1200) is operating linearly, the output signal level increases dB per dB with the input signal level. However, as the receiver (1200) transitions into non-linear region, intermodulation products due to non-linearity increase faster than the desired signal. By detecting the RSSI slope, the amount of degradation due to non-linearity can be determined. This information is then used to adjust the IIP3 operating point of the amplifiers (1234) and mixer (1230) to provide the requisite level of performance while minimizing power consumption.
    • 可编程线性接收器(1200),其以降低的功耗提供必要的系统性能水平。 该接收器基于来自接收器(1200)的输出信号中的非线性度测量来最小化功耗。 非线性量可以通过RSSI斜率或每芯片芯片噪声比(Ec / Io)测量来测量。 RSSI斜率是输出信号加互调变化与输入信号变化的比值。 输入信号电平周期性地增加预定电平,并且测量来自接收器(1200)的输出信号。 输出信号包括来自接收器(1200)内的非线性的期望信号和互调产物。 当接收器(1200)线性运行时,输出信号电平随输入信号电平增加每dB dB。 然而,随着接收机(1200)转变为非线性区域,由于非线性的互调产物比期望的信号增加更快。 通过检测RSSI斜率,可以确定由非线性导致的退化量。 然后,该信息用于调整放大器(1234)和混频器(1230)的IIP3工作点,以提供必要的性能水平,同时最大限度地降低功耗。
    • 7. 发明申请
    • 可変整合回路及び増幅器
    • 可变匹配电路和放大器
    • WO2014132645A1
    • 2014-09-04
    • PCT/JP2014/001035
    • 2014-02-26
    • パナソニック株式会社
    • 金丸 正樹
    • H03G3/18H03F3/189H03F3/68
    • H03G3/008H03F1/565H03F3/005H03F3/193H03F3/245H03F3/601H03F2200/222H03F2200/294H03F2200/408H03F2200/423H03F2200/451H03F2200/534H03F2200/537H03F2200/541H03G3/3052
    •  可変整合回路は、第1、第2の各トランジスタ回路間に設けられ、1次インダクタ素子と2次インダクタ素子とが磁気結合するトランスフォーマを含む。1次インダクタ素子は、第1のトランジスタ回路の出力端子と、第1のトランジスタ回路のバイアス回路との間に接続される。2次インダクタ素子は、第2のトランジスタ回路の入力端子と、第2のトランジスタ回路のバイアス回路との間に接続される。1次インダクタ素子と第1のトランジスタ回路のバイアス回路との接続点は、第1の容量素子に接続される。2次インダクタ素子と第2のトランジスタ回路のバイアス回路との接続点は、第2の容量素子に接続される。1次、2次の各インダクタ素子のインダクタンス値と、第1、第2の各容量素子の容量値とのうち、少なくとも1つは可変である。
    • 可变匹配电路设置在第一和第二晶体管电路之间,并且包括其中主电感器元件和次级电感器元件被磁耦合的变压器。 主电感器元件连接在第一晶体管电路的输出端和第一晶体管电路的旁路电路之间。 次级电感器元件连接在第二晶体管电路的输入端和第二晶体管电路的旁路电路之间。 第一晶体管电路的主电感器元件和旁路电路的连接点连接到第一电容元件。 次级电感器元件和第二晶体管电路的旁路电路的连接点连接到第二电容元件。 初级和次级电感器元件中的每一个的电感值和/或第一和第二电容元件的电容值都是可变的。