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101. 发明公开

CN117144468A SiC基板以及SiC外延晶片审中-实审
公开(公告)号：CN117144468A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310173851.5
申请日：2023-02-28
申请人：株式会社力森诺科
发明人：周防裕政 , 金田一麟平
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36 , H01L29/16
摘要：本发明为SiC基板以及SiC外延晶片。本发明的目的是提供即使经过加工工艺也难翘曲的SiC基板以及SiC外延晶片。本实施方式涉及的SiC基板，由厚度、直径和在从中心起的[11‑20]方向上距外周端为10mm的内侧的第1外周端的应力求出的翘曲因子F为300μm以下。

102. 发明授权

CN109891265B 用于光学检测至少一个对象的检测器有权
公开(公告)号：CN109891265B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201780066208.5
申请日：2017-10-24
申请人：特里纳米克斯股份有限公司
发明人： S·瓦鲁施 , W·赫尔梅斯 , S·亨根 , R·森德 , I·布鲁德
IPC分类号： G01S17/46 , G01S7/481 , H01L31/02
摘要：少一个对象(112)在空间中的位置的简单、成本提出了光学检测至少一个对象(112)的检测有效且仍可靠的检测器(110)。器(110)。此外本发明涉及光学检测至少一个对象(112)的方法和检测器(110)的各种用途。检测器(110)包括：至少一个光学传感器(114)，光学传感器(114)具有至少一个传感器区域(114)，传感器区域(114)包括至少一个弯曲基板(142)和具有光电导材料(136)的至少一个膜(134)，其中膜(134)被置于弯曲基板(142)的至少一个表面(140,172)上，其中光学传感器(114)被设计为以依赖于光束(124)对传感器区域(114)的照射的方式生成至少一个传感器信号；至少一个传送装置(120)，传送装置(120)适于将光束(124)从对象(112)传送到光学传感器(114)，从而适于将光束(124)引导到位于弯曲基板(142)上的膜装置(154)被设计为通过评估光学传感器(114)(134)；以及至少一个评估装置(154)，其中评估(56)对比文件DE 102007050097 A1,2008.05.21JP 2004039248 A,2004.02.05JP 2007265559 A,2007.10.11WO 2005101103 A1,2005.10.27WO 2014097181 A1,2014.06.26CN 103168212 A,2013.06.19CN 102370490 A,2012.03.14CN 103712964 A,2014.04.09WO 2016120392 A1,2016.08.04US 5726743 A,1998.03.10WO 2012110924 A1,2012.08.23李宏章.光电对抗系统中激光辐射探测光学系统的研究.光电对抗与无源干扰.1996,(第04期),全文.周光亚,沈亦兵,侯西云,杨国光.象散法高精度离焦检测系统研究.浙江大学学报(工学版).1998,(第06期),全文.

103. 发明授权

CN111696855B 基板处理装置有权
公开(公告)号：CN111696855B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910654560.1
申请日：2019-07-19
申请人：铠侠股份有限公司
发明人：笹尾典克 , 浅川钢儿 , 杉村忍
IPC分类号： H01L21/027
摘要：一种半导体装置的制造方法，使用包含聚丙烯腈的嵌段单元的聚合物在具有被加工膜的基板的上述被加工膜上形成有机膜，向上述有机膜供给金属化合物而形成复合膜，将上述复合膜部分地除去而形成图案，然后进行加热，将上述加热后的复合膜作为掩模对上述被加工膜进行加工。

104. 发明授权

CN106356378B 阵列基板及其制作方法有权
公开(公告)号：CN106356378B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201610849162.1
申请日：2016-09-26
申请人：合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人：苏同上 , 成军 , 赵策 , 周斌 , 王东方 , 袁广才
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L21/28 , H01L21/44 , H10K19/10 , H10K10/82 , H10K10/46
摘要：本申请涉及一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括薄膜晶体管，且至少具有第一区域和第二区域，所述第一区域中的薄膜晶体管的有源层厚度大于所述第二区域中的薄膜晶体管的有源层厚度，且所述第一区域中的薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积大于所述第二区域中的薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积，使得薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积与有源层厚度的比率在所述第一区域和第二区域上保持均一。

105. 发明公开

CN116884838A 用于蚀刻半导体结构的含碘化合物审中-实审
公开(公告)号：CN116884838A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311017020.5
申请日：2017-12-29
申请人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人：维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
摘要：披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。

106. 发明授权

CN110870049B 包含含有苯基的聚硅氧烷的临时粘接剂有权
公开(公告)号：CN110870049B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880045131.8
申请日：2018-07-05
申请人：日产化学株式会社
发明人：森谷俊介 , 榎本智之 , 新城彻也 , 荻野浩司 , 泽田和宏
IPC分类号： H01L21/304 , C09J183/04 , C09J183/07 , C09J201/02 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要：提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，晶片背面的研磨后容易剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂容易除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。是用于在支持体与晶片的电路面之间能够剥离地粘接，并对晶片的背面进行加工的粘接剂，其特征在于，粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含含有苯基的聚有机硅氧烷的成分(B)，成分(A)与成分(B)以质量％计为95：5～30：70的比例。在第一基体上涂布该粘接剂而形成粘接层，然后将第二基体接合，从第一基体侧加热使粘接剂固化。如果结束该叠层体的加工，则在第一基体、第二基体与粘接层之间进行剥离。

107. 发明授权

CN110366768B 用于异物除去的涂膜形成用组合物有权
公开(公告)号：CN110366768B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880014924.3
申请日：2018-02-28
申请人：日产化学株式会社
发明人：岸冈高广 , 田村护 , 臼井友辉 , 绪方裕斗
IPC分类号： H01L21/02 , C09D179/08 , C09D201/00
摘要：提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。

108. 发明公开

CN116799094A 烧结设备、烧结方法及光伏电池片制备装置审中-实审
公开(公告)号：CN116799094A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210258512.2
申请日：2022-03-16
申请人：贺利氏光伏科技(上海)有限公司
发明人：冯纪伟
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要：本发明涉及一种烧结设备、烧结方法及光伏电池片制备装置。所述烧结设备(100)包括供带有第一基材的半导体材料通过的内腔(80)和设置在所述内腔中以对所述半导体材料进行金属化烧结的加热装置(60)，还包括设置在所述内腔(80)预定区域的光照装置(50)，所述光照装置对通过所述预定区域的所述半导体材料进行光照射，所述预定区域的温度设定为使得所述半导体材料上进行的金属化反应能够产生液相物质或维持液相物质的存在，所述光照装置(50)的光谱类型构造成其光子能量大于所述半导体材料的最小禁带宽度。

109. 发明公开

CN116799000A 半导体装置审中-实审
公开(公告)号：CN116799000A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210966054.8
申请日：2022-08-12
申请人：株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人：小松香奈子 , 石井良明 , 筿原大辅
IPC分类号： H01L27/02
摘要：实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的半导体层，设置在所述半导体基板上，包括第1器件部分；第2导电型的埋入层，设置于所述半导体基板与所述第1器件部分之间；第2导电型的保护区域，下端与所述埋入层相接，上端到达所述半导体层的上表面，配置于所述第1器件部分的第1方向侧，没有配置于与所述第1方向相反的第2方向侧；及第2导电型的第1半导体区域，设置于所述第1器件部分内。

110. 发明授权

CN114207779B9 后段制程兼容的金属-绝缘体-金属的片上解耦电容器有权
公开(公告)号：CN114207779B9
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202080055445.3
申请日：2020-07-20
申请人：国际商业机器公司
发明人： P·贾米森 , 安藤崇志 , J·麦西 , E·卡蒂尔
IPC分类号： H01L21/02 , H10N97/00
摘要：后段制程(BEOL)兼容金属-绝缘体-金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

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