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41. 发明授权

CN101720507B 含有碳或氮掺杂的二极管的非易失性存储器件及其制造和操作方法有权转让
公开(公告)号：CN101720507B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880021404.1
申请日：2008-06-23
申请人：桑迪士克3D公司
发明人： S·B·赫纳 , M·H·克拉克 , T·库玛
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/868 , G11C11/36 , H01L29/861 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/26 , H01L27/06 , H01L29/04
CPC分类号： H01L29/868 , G11C11/5692 , G11C17/06 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/33 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L29/04 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/66136 , H01L29/8615
摘要：一种非易失性存储器件，其包括至少一个非易失性存储单元，所述非易失性存储单元包括掺杂有碳或氮至少一种的硅、锗或硅锗二极管(2)，其中掺杂的浓度大于不可避免的杂质级浓度。碳和/或氮例如被引入到p-i-n二极管(4，6，8)的本征区(6)中。

42. 发明授权

CN101866954B 一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法失效转让
公开(公告)号：CN101866954B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010195978.X
申请日：2010-06-09
申请人：深圳丹邦投资集团有限公司
发明人：刘萍
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336 , H01L21/205
摘要：本发明涉及一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法，涉及真空镀膜技术。该TFT基板包括非晶硅薄膜与在非晶硅薄膜层上下的两层MgO薄膜。该方法是采用磁控溅射制备MgO薄膜和等离子体增强化学汽相沉积技术(PECVD)来制备非晶硅薄膜。MgO薄膜的二次电子发射系数大，当具有一定能量的电子轰击到MgO薄膜，可以得到更多的自由电子。使用本发明可保证微通道结构的TFT基板致密且厚度均匀。本发明不但提高了非晶硅薄膜载流子迁移率，而且使用本发明的非晶硅薄膜来制备的薄膜晶体管(TFT)性能接近于低温多晶硅制备的TFT性能，并可以大幅度地降低TFT基板的制备成本，还简化TFT相关的制备工艺。

43. 发明公开

CN102163625A 用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料铟锌钛氧化物无效
公开(公告)号：CN102163625A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110064561.4
申请日：2011-03-17
申请人：复旦大学
发明人：姚绮君 , 李曙新 , 张群
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/26
摘要：本发明属于薄膜晶体管器件技术领域，具体为一种用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料。该半导体层材料为铟锌钛氧化物。其中铟、锌和钛的成分比例控制在一定范围内的。本发明还提供以这种氧化物作为沟道层材料的薄膜晶体管。本发明获得的薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。

44. 发明公开

CN102110718A 用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法有权
公开(公告)号：CN102110718A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010513707.4
申请日：2010-10-20
申请人：华南理工大学
发明人：彭俊彪 , 兰林锋 , 王磊
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/02 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要：本发明公开了用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法，该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al2O3)x(Nd2O3)y(In2O3)z(ZnO)(1-x-y-z)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜1-x-y-z＜1，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。这种氧化物半导体薄膜可以用溅射方法制备。本发明的氧化物半导体薄膜具有载流子迁移率高、稳定性好、可以透射可见光等优点，这种氧化物半导体薄膜可以用于制备薄膜晶体管，包括所发明的氧化物半导体薄膜的晶体管可以应用在有机发光显示(OLED)、液晶显示(LCD)、电子纸显示等驱动方面，还可以应用在集成电路领域。

45. 发明公开

CN101989617A 用于半导体晶体管的垂直鳍状结构及其制造方法有权
公开(公告)号：CN101989617A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243667.6
申请日：2010-07-30
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：柯志欣 , 万幸仁
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/26 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/267 , H01L29/66795 , H01L29/7842
摘要：本发明提供了一种用于半导体晶体管的垂直鳍状结构及其制造方法，该鳍状结构包括：一半导体基板；一鳍型层，位于该半导体基板的顶部；以及一上盖层，覆盖该鳍型层，其中该半导体基板包括一IV族半导体材料，该鳍型层包括一IV族半导体材料。该半导体基板包括Si、Ge、SiGe或SiC。该鳍型层包括Ge、SiGe、SiC或上述材料的组合。该上盖层包括GaAs、InGaAs、InAs、InSb、GaSb、GaN、InP或上述材料的组合。该上盖层与该半导体基板之间具有多于4％的晶格不相称情形。该鳍型层可位于作为隔离邻近装置的浅沟槽隔离层之间。本发明借由采用较高晶格不匹配常数材料可造成极高迁移率的沟道。此外，可于Ge材质以及高Ge含量的SiGe装置内采用III-V族上盖层以改善栅介电物的界面。

46. 发明授权

CN111326435B 半导体装置的制造方法有权
公开(公告)号：CN111326435B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202010145469.X
申请日：2011-04-07
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/383 , H01L21/477 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/26 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/786
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。

47. 发明授权

CN111095578B 半导体多层结构有权转让
公开(公告)号：CN111095578B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201780094957.9
申请日：2017-09-18
申请人：坦佩雷大学基金会
发明人： A·阿霍 , R·伊莎霍 , A·图基艾嫩 , M·D·圭那 , J·夫赫利艾拉
IPC分类号： H01L33/12 , H01L29/26
摘要：根据本公开，提供了半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)，所述半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)包括：基材(5,7,17)和半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)。该基材包括由Ge制成的层(2,24)；以及该半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)包括至少一个第一层和至少一个第二层。至少一个第一层由选自下组的材料构成：AlxGai‑xAs，其中x为约0.6，AlxGa1‑x‑yInyAs，其中0≤x≤0.6且0≤y≤0.02，AlxGa1‑x‑yInyAs1‑zPz、AlxGa1‑x‑yInyAs1‑zNz、和AlxGa1‑x‑yInyAs1‑z‑cNzPc，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.3、且0≤c≤1，AlxGa1‑x‑yInyAs1‑z‑cNzSbc，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.3、且0≤c≤0.7，AlxGa1‑x‑yInyAs1‑z‑cPzSbc，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1和0≤c≤0.3，其中，对于任意材料，所有III族元素含量之和等于1，所有V族元素含量之和等于1；并且至少一个第二层由选自下组的材料构成：GaInAsNSb、GaInAsN、AlGaInAsNSb、AlGaInAsN、GaAs、GaInAs、GaInAsSb、GaInNSb、GaInP、GaInPNSb、GaInPSb、GaInPN、AlInP、AlInPNSb、AlInPN、AlInPSb、AlGaInP、AlGaInPNSb、AlGaInPN、AlGaInPSb、GaInAsP、GaInAsPNSb、GaInAsPN、GaInAsPSb、GaAsP、GaAsPNSb、GaAsPN、GaAsPSb、AlGaInAs和AlGaAs，其中，对于任意材料，所有III族元素含量之和等于1，所有V族元素含量之和等于1，其中，半导体多层结构(3,4,9,11)生长于基材(5,7,17)的Ge层(2,24)上。

48. 发明授权

CN111668315B 氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管元件有权
公开(公告)号：CN111668315B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010532733.5
申请日：2014-08-08
申请人：出光兴产株式会社
发明人：笘井重和 , 柴田雅敏 , 川岛绘美 , 矢野公规 , 早坂紘美
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/26 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/34
摘要：本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。

49. 发明授权

CN110071168B Ge和III-V族沟道半导体器件及制造方法有权
公开(公告)号：CN110071168B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201910109659.3
申请日：2013-09-27
申请人：英特尔公司
发明人： R·皮拉里塞泰 , S·达斯古普塔 , N·戈埃尔 , V·H·勒 , M·拉多萨夫列维奇 , G·杜威 , N·慕克吉 , M·V·梅茨 , W·拉赫马迪 , J·T·卡瓦列罗斯 , B·舒金 , H·W·肯内尔 , S·M·塞亚 , R·S·周
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/26 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：说明了具有最大顺从性和自由表面弛豫的Ge和III‑V族沟道半导体器件及制造这种Ge和III‑V族沟道半导体器件的方法。例如，一种半导体器件包括布置在半导体衬底上的半导体鳍状物。半导体鳍状物具有中心突出或凹陷段，沿半导体鳍状物的长度与突出外侧段对间隔开。覆层区布置在半导体鳍状物的中心突出或凹陷段上。栅极叠置体布置在覆层区上。源极区/漏极区布置在半导体鳍状物的所述突出外侧段对中。

50. 发明公开

CN113544856A 具有邻近导电掺杂第二半导体材料的多晶第一半导体材料的集成组合件有权
公开(公告)号：CN113544856A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080018557.1
申请日：2020-02-27
申请人：美光科技公司
发明人： K·M·考尔道 , D·C·潘迪 , 刘海涛 , R·J·希尔 , 黄广宇 , 高云飞 , R·甘地 , S·E·西利士
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/26 , H01L27/108
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有多晶第一半导体材料且具有直接邻近于所述多晶第一半导体材料的第二半导体材料。所述第二半导体材料具有不同于所述多晶第一半导体材料的成分。导电性增强掺杂剂在所述第二半导体材料内。所述导电性增强掺杂剂相对于所述多晶第一半导体材料是中性类型掺杂剂。电栅极邻近于所述多晶第一半导体材料的区，并且经配置以在所述多晶第一半导体材料的所述区内感应电场。所述栅极不邻近于所述第二半导体材料。

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