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71. 发明公开

CN105658762A 纳米粒子材料以及发光器件有权
公开(公告)号：CN105658762A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480056014.3
申请日：2014-10-16
申请人：株式会社村田制作所
发明人：村山浩二 , 宫田晴哉
IPC分类号： C09K11/08 , B82Y20/00 , C01B19/04 , H05B33/14
CPC分类号： H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01B19/007 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L33/06 , H01L51/5004 , H01L51/502 , H01L51/504 , H01L2251/558 , H05B33/14
摘要：量子点(5)(纳米粒子材料)由具有核部(9)与保护该核部(9)的壳部(10)的核壳结构形成，该壳部(10)的表面被表面活性剂(11)包覆。对量子点(5)而言，壳部(10)的厚度(T)以壳部(10)的构成分子基准为3～5ML。使用该量子点(5)来形成发光器件。由此，可抑制被注入到纳米粒子材料的空穴泄漏至该纳米粒子材料的外部来提高再次结合概率，实现了能够改善发光效率、发光色纯度的纳米粒子材料，并实现了将该纳米粒子材料使用于发光层的发光器件。

72. 发明授权

CN103582690B 一种制备核壳纳米粒子及其溶液的方法失效转让
公开(公告)号：CN103582690B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180070699.3
申请日：2011-06-07
申请人：拜耳技术工程(上海)有限公司
发明人：付敏 , 刘涛 , 韩德滋 , 卢华昌 , 马熠龙
IPC分类号： C09K11/54 , C09K11/08 , C09K11/84
CPC分类号： C30B7/14 , B01J13/02 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/621 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L31/055 , Y02E10/52
摘要：提供一种制备核壳纳米粒子及其溶液的方法。所述核壳纳米粒子溶液的制备方法包括如下步骤：将半导体纳米粒子溶液调节至一预设定的壳层包裹温度；将一壳层前驱体溶液加入到所述半导体纳米粒子溶液中，并在所述预设定的壳层包裹温度下进行反应，所述壳层前驱体溶液由包括锌盐、烷基硫醇和非极性有机溶剂的成分混合形成；在所述反应进行一预设定反应时间后，得到所述半导体纳米粒子的核壳纳米粒子溶液。得到的核壳纳米粒子具有荧光量子产率高、无毒、生产成本低，工艺简单的优点。

73. 发明授权

CN103852817B 一种应用于背光模组的量子点膜有权
公开(公告)号：CN103852817B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410096164.9
申请日：2014-03-14
申请人：宁波激智科技股份有限公司
发明人：刘志鹏 , 李刚 , 唐海江 , 张彦
IPC分类号： G02B5/02 , F21V5/08 , G02F1/1335
CPC分类号： C09K11/88 , C09K11/565 , C09K11/70 , G02F2001/133614
摘要：本发明涉及光学薄膜技术领域，尤其涉及一种应用于背光模组的量子点膜。为了解决液晶显示器的色彩饱和度不佳的问题，本发明提供一种新型的量子点膜，所述量子点膜包括量子点层，在量子点层的上、下表面分别设置有上阻水层和下阻水层；所述量子点层包括100重量份的胶黏剂、5-20重量份的硅胶微粒、1-20重量份的扩散粒子和0.1-20重量份的量子点；所述硅胶微粒的表面具有微孔结构；所述量子点吸附在硅胶微粒的微孔内或分散在胶黏剂中；所述硅胶微粒和扩散粒子分散在胶黏剂中。本发明提供的量子点膜应用于背光模组中，所述量子点膜具有提高色域，同时提高亮度的作用。

74. 发明公开

CN104880856A 一种彩色光阻剂及其应用、彩膜基板、液晶显示器有权
公开(公告)号：CN104880856A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510354655.3
申请日：2015-06-24
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：谷新 , 齐永莲 , 张斌 , 周婷婷 , 谢蒂旎
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC分类号： G02F1/133514 , B82Y20/00 , C08F257/02 , C08F265/06 , C08F267/04 , C08K3/30 , C08K3/34 , C08K7/18 , C08K2003/3027 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C08K2201/011 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/66 , C09K11/883 , G02B5/206 , G02F1/133516 , G02F1/133617 , G02F2202/36 , G03F7/0005 , G03F7/0007 , G03F7/0042 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/033 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/824 , Y10S977/95 , C08F220/14 , C08F222/1006 , C08F2222/1013 , C08F2220/1816 , C08F220/18 , G02F1/133509 , G02F1/1336 , G02F2001/133614
摘要：本发明公开了一种彩色光阻剂及其应用、彩膜基板、液晶显示器，属于光敏材料领域。该彩色光阻剂包括光引发剂和量子点，该光引发剂为不含富电子基团的第一光引发剂和/或含有富电子基团的第二光引发剂；第二光引发剂包括共轭结构，且所述共轭结构由所述富电子基团与所述富电子基团的相邻基团构成。本发明实施例提供的彩色光阻剂中包含了正常发光的量子点，利用该彩色光阻剂制备得到的彩膜基板将具有高色域，能够有效改善液晶显示器的画质。

75. 发明公开

CN104640957A 微胶囊量子点-聚合物复合物、该复合物的制造方法、光学元件及该光学元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN104640957A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380025670.2
申请日：2013-03-15
申请人：世宗大学校产学协力团
发明人：徐暎洙 , 梁熙成 , 朴相律 , 孙惠美 , 金孝宣
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/06 , C08K9/10
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y10T428/1393 , Y10T428/31801 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本发明提供微胶囊量子点-聚合物复合物、该复合物的制造方法，光学元件、该光学元件的制造方法。为了制造所述微胶囊量子点-聚合物复合物，首先在第一溶剂中加热在侧链上具有官能基团的聚合物以形成聚合物溶液。将包含分散在第二溶剂中的由覆盖层覆盖的量子点的量子点悬浮液添加至所述聚合物溶液以形成混合溶液。冷却所述混合溶液以形成包含分散在聚合物基体中的量子点的量子点-聚合物复合物。

76. 发明公开

CN104520228A 高度发光的纳米结构和制备它们的方法有权转让
公开(公告)号：CN104520228A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041371.8
申请日：2013-06-13
申请人：纳米系统公司
发明人：郭文卓 , 陈建 , R·杜布罗 , W·P·弗里曼
IPC分类号： B82B1/00 , C09K11/70 , C09K11/62 , C09K11/56 , C09K11/54
CPC分类号： C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K11/565 , C09K11/70 , H01L33/005 , H01L33/0083 , H01L33/06 , H01L33/502 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , Y10S977/774 , Y10S977/778 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10S977/84 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要：提供了高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点。该纳米结构具有高的光致发光量子产率并且在某些实施方案中发射特定波长的光并具有窄的尺寸分布。该纳米结构可包含配体，包括在壳形成期间利用的C5-C8羧酸配体和/或在合成之后提供的二羧酸或者多元羧酸配体。还提供了用于制备这样的高度发光的纳米结构的工艺，包括用于富集具有铟的纳米结构核的方法和用于壳合成的技术。

77. 发明公开

CN104387772A 用于纳米结构体分散的官能化基质有权转让
公开(公告)号：CN104387772A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410513100.4
申请日：2010-04-29
申请人：纳米系统公司
发明人：刘明军 , R·杜布朗 , W·P·弗里曼 , A·库克马 , W·J·帕斯
IPC分类号： C08L83/04 , C08K3/30 , B82B3/00 , C08G77/04 , C08G77/06
CPC分类号： C01B25/087 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07D303/06 , C07D303/24 , C07D407/12 , C07D407/14 , C08G77/14 , C08G77/26 , C08L83/04 , C08L83/08 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L31/02322 , H01L31/0272 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/055 , H01L33/54 , H01L33/56 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/90
摘要：本发明提供了用半导体纳米晶体掺杂的基质。在某些具体实施方案中，该半导体纳米晶体具有使得在特定波长下它们吸收或发射光的尺寸和组成。该纳米晶体可以包含允许用于与不同的基质材料混合的配体，包括聚合物，以至于最少部分的光被该基质散射。该基质任选由配体形成。本发明的基质还可以用于折射率的匹配应用。在其他的具体实施方案中，将半导体纳米晶体嵌入基质中以形成纳米晶体密度梯度，由此产生有效的折射率梯度。本发明的基质还可以用作光学器件上的滤波器和抗反射涂层并且用作下变频层。本申请还提供了用于制备包含半导体纳米晶体的基质的方法。本申请还描述了具有高量子效率、小尺寸、和/或窄的尺寸分布的纳米结构体、制备磷化铟纳米结构体和具有第II-VI族的壳的核-壳纳米结构体的方法。

78. 发明公开

CN104291374A 一种简单快速的量子点合成方法无效
公开(公告)号：CN104291374A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410269930.7
申请日：2014-06-18
申请人：南京工业大学
发明人：田丹碧 , 张涛 , 江凌 , 张卫 , 汤燕 , 李燕萍
IPC分类号： C01G11/02 , C09K11/56
CPC分类号： C01G11/02 , C01P2004/64 , C09K11/565
摘要：本发明属于材料制备技术领域，涉及一种新的量子点合成方式。本发明通过对现有技术合成方法的优化，建立了简单快速的小体系原位硫化镉量子点合成方法。该方法具有合成方法简单，反应条件温和，反应速度快，荧光强度好等方面有点。本发明中的超小体系量子点原位合成方法还能够轻易与其它化学反应耦合，方便建立基于该方法的新检测方法。具有较大的实际意义与深入研究价值。

79. 发明公开

CN104205368A 半导体纳米晶体、其制备方法、组合物、以及产品有权转让
公开(公告)号：CN104205368A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280072253.9
申请日：2012-11-20
申请人： QD视光有限公司
发明人：刘文浩 , 克雷格·布林 , 塞思·科埃-沙利文
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , C09D11/52 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/0029 , H01L33/28 , H01L33/502 , Y10S977/774 , H01L33/16
摘要：公开了一种半导体纳米晶体，其特征在于，具有在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是在25℃下的半导体纳米晶体的固态光致发光外部量子效率的至少95％。还公开了一种半导体纳米晶体，其具有至少0.5eV的多个LO光子辅助电荷热逃逸活化能。半导体纳米晶体，其能够发射在从590nm至650nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中，在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于5.5。半导体纳米晶体，其能够发射在从545nm至590nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于7。半导体纳米晶体，其能够发射在从495nm至545nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于10。进一步公开了一种组合物，该组合物包含多种半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下组合物的固态光致发光效率是组合物25℃的固态光致发光效率的至少95％。一种用于制备半导体纳米晶体的方法，包括将一种或多种第一壳硫属元素化物前体和一种或多种第一壳金属前体引入到包括半导体纳米晶体核的反应混合物中，其中，第一壳硫属元素化物前体以大于第一壳金属前体至少约2摩尔当量的因数的量加入，然后在至少300℃的第一反应温度下使第一壳前体反应，从而在半导体纳米晶体核上形成第一壳。公开了包括本发明的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。还公开了包括根据本发明的任何方法制备的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。

80. 发明公开

CN104037205A OLED像素结构无效复审申请
公开(公告)号：CN104037205A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410326557.4
申请日：2014-07-09
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：刘亚伟 , 王宜凡
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/565 , C09K11/59 , C09K11/883 , H01L27/3211 , H01L27/3213 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/001 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2227/323 , Y02B20/181 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/893 , Y10S977/952
摘要：本发明提供一种OLED像素结构，其包括：红色、绿色、及蓝色子像素，红色子像素具有红光发光层，绿色子像素具有绿光发光层，蓝色子像素具有蓝光发光层，所述蓝光发光层的材料包括无机量子点，所述蓝光发光层发射白光，对应蓝色子像素设有蓝光滤光片。通过蓝色子像素采用“无机量子点+蓝光滤光片”的方式，使OLED器件的稳定性和寿命都得到显著提高。本发明还可以增加一白色子像素，所述白色子像素具有白光发光层，所述白光发光层的材料包括无机量子点，通过增加白色子像素，提高了OLED器件的出光效率，降低了能耗。

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