专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

CN108822853A 超大量子点及其形成方法无效
公开(公告)号：CN108822853A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810509698.8
申请日：2018-05-24
申请人：优美特创新材料股份有限公司
发明人：周必泰 , 周尚威 , 林钰旻 , 蒋勤政 , 谢佳纯
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0029 , H01L33/0083 , H01L33/28
摘要：一种超大量子点及超大量子点的形成方法。各超大量子点包括：由CdSe所构成的核、由ZnS所构成的壳以及形成在核与壳之间的合金。壳包覆核的表面。合金由Cd、Se、Zn以及S所构成，其中Cd与Se的含量从核到壳逐渐减少，而Zn与S的含量从核到壳逐渐增加。各超大量子点的粒径大于或等于10纳米。

2. 发明授权

CN102217102B 半导体发光器件有权转让
公开(公告)号：CN102217102B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN200980145944.5
申请日：2009-11-16
申请人：三星电子株式会社
发明人：崔繁在 , 李相范 , 李进馥 , 金裕承 , 宋尚烨
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L25/13 , H01L25/0753 , H01L33/002 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。

3. 发明公开

CN107123709A 一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法无效
公开(公告)号：CN107123709A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710315022.0
申请日：2017-05-07
申请人：佛山市领卓科技有限公司
发明人：杨昱
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/28 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L33/0029 , H01L31/0296 , H01L31/035272 , H01L31/1828 , H01L33/0083 , H01L33/28
摘要：本发明公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法，该材料由一种异质结纳米棒经封装而来，具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6‑四氰二甲基对苯醌、TCNQF4等部分。本发明还公开了这种器件的制备方法。

4. 发明公开

CN107123708A 一种异质结纳米棒及其制备方法无效
公开(公告)号：CN107123708A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710315021.6
申请日：2017-05-07
申请人：佛山市领卓科技有限公司
发明人：杨昱
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/28 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L33/0029 , H01L31/0296 , H01L31/035272 , H01L31/1828 , H01L33/0083 , H01L33/28
摘要：本发明是一种异质结纳米棒及其制备方法。本发明公开了一种硫化镉/硒化镉纳米棒，该异质结同时具备光电效应与电致发光的功能，其中CdS、CdSe的晶粒直径在15纳米以内。本发明还公开了这种器件的制备方法。

5. 发明授权

CN102959740B 用于光发射的基于纳米线的光电器件有权
公开(公告)号：CN102959740B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201180032830.7
申请日：2011-09-12
申请人：原子能与替代能源委员会
发明人：菲利普·吉莱 , 安-劳尔·巴文科夫
IPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/385 , Y10S977/762 , Y10S977/95
摘要：种光电器件,其包括:活性半导体区域(84),其用于电子‑空穴对的辐射复合,以至少根纳米线的形式制成,所述纳米线由非故意掺杂半导体材料制成;半导体区域(88),其用于空穴到所述或每根纳米线中的径向注入,其由具有第导电类型和比形成所述纳米线的材料的带隙小的带隙的掺杂半导体材料制成;以及半导体区域(82),其用于电子到所述或每根纳米线中的轴向注入,其由具有与所述第导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料制成。

6. 发明公开

CN102959740A 用于光发射的基于纳米线的光电器件有权
公开(公告)号：CN102959740A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032830.7
申请日：2011-09-12
申请人：原子能与替代能源委员会
发明人：菲利普·吉莱 , 安-劳尔·巴文科夫
IPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/385 , Y10S977/762 , Y10S977/95
摘要：一种光电器件，其包括：活性半导体区域（84），其用于电子-空穴对的辐射复合，以至少一根纳米线的形式制成，所述纳米线由非故意掺杂半导体材料制成；半导体区域（88），其用于空穴到所述或每根纳米线中的径向注入，其由具有第一导电类型和比形成所述纳米线的材料的带隙小的带隙的掺杂半导体材料制成；以及半导体区域（82），其用于电子到所述或每根纳米线中的轴向注入，其由具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料制成。

7. 发明授权

CN104205368B 半导体纳米晶体、其制备方法、组合物、以及产品有权转让
公开(公告)号：CN104205368B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201280072253.9
申请日：2012-11-20
申请人：三星电子株式会社
发明人：刘文浩 , 克雷格·布林 , 塞思·科埃-沙利文
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , C09D11/52 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/0029 , H01L33/28 , H01L33/502 , Y10S977/774
摘要：种半导体纳米晶体,其特征在于,具有在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是在25℃下的半导体纳米晶体的固态光致发光外部量子效率的至少95%。还公开了种半导体纳米晶体,其具有至少0.5eV的多个LO光子辅助电荷热逃逸活化能。半导体纳米晶体,其能够发射在从590nm至650nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光,其特征在于吸收光谱,其中,在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于5.5。半导体纳米晶体,其能够发射在从545nm至590nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光,其特征在于吸收光谱,其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于7。半导体纳米晶体,其能够发射在从495nm至545nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光,其特征在于吸收光谱,其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于10。进步公开了种组合物,该组合物包含多种半导体纳米晶体,其中,在90℃或更高的温度下组合物的固态光致发光效率是组合物25℃的固态光致发光效率的至少95%。种用于制备半导体纳米晶体的方法,包括将种或多种第壳硫属元素化物前体和种或多种第壳金属前体引入到包括半导体纳米晶体核的反应混合物中,其中,第壳硫属元素化物前体以第壳金属前体的至少约2倍摩尔当量大的量加入,然后在至少300℃的第反应温度下使第壳前体反应,从而在半导体纳米晶体核上形成第壳。公开了包括本发明的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。还公开了包括根据本发明的任何方法制备的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。

8. 发明公开

CN107293625A AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法有权
公开(公告)号：CN107293625A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710464683.X
申请日：2017-06-19
申请人：南京大学
发明人：刘斌 , 戴姜平 , 张荣 , 陶涛 , 谢自力 , 陈敦军 , 韩平 , 施毅 , 郑有炓
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0029 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/24
摘要：本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1-xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1-xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1-xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。

9. 发明公开

CN106058023A 纳米结构混合颗粒、其制造方法和包括其的装置无效
公开(公告)号：CN106058023A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510363982.5
申请日：2015-06-26
申请人：韩国科学技术研究院
发明人：禹庚子 , 刘慧仁
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/00 , G01N33/48 , G01N21/64
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G01J1/42 , G01J3/50 , G01J5/60 , G02B1/111 , H01L33/002 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/005 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/502 , H01L33/58 , G01N21/64 , G01N33/48 , H01L2933/0058
摘要：公开了一种纳米结构混合颗粒、其制备方法和包括该纳米结构混合颗粒的装置。纳米结构混合颗粒包括：疏水基本颗粒，在其表面上具有凹凸纳米图案；疏水发光纳米颗粒，设置在位于疏水基本颗粒的表面上的凹凸纳米图案的凹部中；以及涂层，覆盖疏水基本颗粒和疏水发光纳米颗粒。在该纳米结构混合颗粒，光提取可以在全部三维方向上发生，因此，与在二维平面上发生光提取相比，该纳米结构混合颗粒可以表现出高的光提取效率。

10. 发明公开

CN104205368A 半导体纳米晶体、其制备方法、组合物、以及产品有权转让
公开(公告)号：CN104205368A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280072253.9
申请日：2012-11-20
申请人： QD视光有限公司
发明人：刘文浩 , 克雷格·布林 , 塞思·科埃-沙利文
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , C09D11/52 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/0029 , H01L33/28 , H01L33/502 , Y10S977/774 , H01L33/16
摘要：公开了一种半导体纳米晶体，其特征在于，具有在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是在25℃下的半导体纳米晶体的固态光致发光外部量子效率的至少95％。还公开了一种半导体纳米晶体，其具有至少0.5eV的多个LO光子辅助电荷热逃逸活化能。半导体纳米晶体，其能够发射在从590nm至650nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中，在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于5.5。半导体纳米晶体，其能够发射在从545nm至590nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于7。半导体纳米晶体，其能够发射在从495nm至545nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于10。进一步公开了一种组合物，该组合物包含多种半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下组合物的固态光致发光效率是组合物25℃的固态光致发光效率的至少95％。一种用于制备半导体纳米晶体的方法，包括将一种或多种第一壳硫属元素化物前体和一种或多种第一壳金属前体引入到包括半导体纳米晶体核的反应混合物中，其中，第一壳硫属元素化物前体以大于第一壳金属前体至少约2摩尔当量的因数的量加入，然后在至少300℃的第一反应温度下使第一壳前体反应，从而在半导体纳米晶体核上形成第一壳。公开了包括本发明的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。还公开了包括根据本发明的任何方法制备的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式