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1. 发明公开

CN117747594A 一种扇出封装结构及扇出封装方法审中-实审
公开(公告)号：CN117747594A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311667379.7
申请日：2023-12-06
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：胡川 , 燕英强 , 向迅
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/48 , H01L23/367 , H10B80/00
摘要：本发明的实施例提供了一种扇出封装结构及扇出封装方法，涉及存储器芯片领域。该扇出封装结构包括：芯片、内衬基板、贴片层、包封层、绝缘支撑层、互连线、封装引脚、第一导电层以及第二导电层。该扇出封装结构采用扇出封装方法制备而成，通过各个导电层进行电信号传递，无需在芯片上开设硅通孔，降低了工艺难度，提高了生产效率，降低了成本；并且芯片贴装在内衬基板的两侧，无需通过热压键合固定，可以降低制造成本并提高散热能力，使得产品性能也能得到提升。

2. 发明授权

CN114335293B 一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法有权
公开(公告)号：CN114335293B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111630053.8
申请日：2021-12-28
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：王建太 , 邹胜晗 , 龚政 , 郭婵 , 潘章旭 , 陈志涛
IPC分类号： H01L33/50 , H01L27/15
摘要：本申请提供一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法，涉及显示技术领域，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。能够提高量子点光转换效率，并且增强显示器件的稳定性及隔热效果。

3. 发明公开

CN117393446A 三维芯片堆叠制备方法及三维芯片堆叠结构审中-实审
公开(公告)号：CN117393446A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311517268.8
申请日：2023-11-14
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：胡川 , 向迅 , 燕英强 , 陈志涛
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538
摘要：本发明公开一种三维芯片堆叠结构及制备方法，方法包括形成导电结构；在芯片的第一表面和/或第二表面制备半固化状态的有机膜，并在有机膜上开窗以露出第一导电结构和/或第二导电结构；在较低温度下，依次将上层芯片的第一导电结构固定在下层芯片的第二导电结构上，完成多层芯片的堆叠；在堆叠的多层芯片顶部施加压力，通过真空回流工艺，将堆叠的多层芯片的第一导电结构和第二导电结构的突刺和金属凸块的侧壁浸润，实现第一导电结构与第二导电结构的完全键合，通过有机膜将上下层芯片粘合；将有机膜加热完全固化。本发明的方案能够有效降低上下层芯片互连时的工艺难度和三维堆叠封装的成本，且制得的三维芯片堆叠结构的良率和可靠性更优。

4. 发明公开

CN117241639A 一种图案化量子点薄膜的制备方法及全彩化显示器审中-实审
公开(公告)号：CN117241639A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311188805.9
申请日：2023-09-14
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：邹胜晗 , 龚政 , 李育智 , 陈志涛
IPC分类号： H10K71/12 , H10K59/10 , H01L27/15
摘要：本申请提供了一种图案化量子点薄膜的制备方法及全彩化显示器，涉及图案化量子点薄膜技术领域。该方法包括步骤：制备设有多个凹槽的凹模板；对凹模板进行表面处理，其中，凹模版的表面包括各凹槽和台面；在凹模板表面旋涂第一量子点聚合物材料，并去除位于凹模版台面上的第一量子点聚合物薄膜；将凹模板中各凹槽底部的第一量子点聚合物薄膜转印至目标基底；将第二量子点聚合物薄膜转印至同一目标基底，其中，所述第一量子点聚合物薄膜与所述第二量子点聚合物薄膜交错设置在同一目标基底。本申请提供的图案化量子点薄膜的制备方法及全彩化显示器能够制备得到对量子点材料本身的光学性能无不良影响的高分辨率和高厚度的图案化量子点薄膜。

5. 发明授权

CN116246923B 电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体有权
公开(公告)号：CN116246923B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202211730763.2
申请日：2022-12-30
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：刘珠明 , 张衍俊 , 李全同 , 周洁林 , 陈志涛
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/145
摘要：本发明公开一种电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体，其电子束聚焦偏转系统包括：物镜，设置在电子束光柱体内的电子束射出路径上，用于形成精细电子束束斑，照射到样品上；磁偏转器，设置在电子束射出路径上，用于对电子束产生定位作用；静电偏转器，设置在电子束射出路径上，嵌套在磁偏转器中，用于对电子束产生偏转使电子束在样品上进行扫描。本发明同时加入磁偏转器和静电偏转器，将扫描场分为两部分，一部分利用磁偏转器的像差低的特点对电子束的定位，另一部分利用静电偏转器的扫描速度高的特点对电子束偏转，结合磁偏转器和静电偏转器均置于物镜内的优点，使得整体光柱体更加紧凑、高效，能够既保证了像差精度，又能够提高扫描速度。

6. 发明公开

CN116888734A 扇出型封装结构及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN116888734A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280013573.0
申请日：2022-10-24
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 郑伟 , 凌云志 , 陈志宽 , 陈志涛
IPC分类号： H01L23/64
摘要：本公开提供了一种扇出型封装结构及其制备方法。扇出型封装结构可以包括包封层和嵌埋在包封层中的天线射频模组组件和一个或更多个电子部件。天线射频模组组件包括射频基板以及布设在射频基板上的天线阵列和一个或更多个射频器件。天线射频模组组件嵌埋在包封层的第一侧，使得天线阵列从包封层的第一侧完全露出，并且天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚和电子部件的管脚位于同一平面内。扇出型封装结构还可以包括：设置于包封层的第一侧的表面上的第一再布线层，设置于包封层的第二侧的表面上的第二再布线层，以及设置于第二再布线层的与包封层相背的一侧上的导电焊球和/或凸点。第一再布线层构造成与天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚中的至少一部分管脚电连接以及与一个或更多个电子部件的管脚中的至少一部分管脚电连接。包封层中形成有用于将天线射频模组组件的设置在射频基板的与天线阵列相反的一侧上的管脚与第二再布线层电连接以及将第一再布线层与第二再布线层电连接的包封层互连导电柱。第二再布线层构造成与包封层互连导电柱电连接以及与导电焊球和/或凸点电连接。本公开的实施方式提供的扇出型封装结构及其制备方法能够有效减小射频模组的体积、降低射频模组的制造成本，并且还能够明显降低介电损耗，满足高频信号传输需求。

7. 发明授权

CN114019661B 投影物镜系统有权
公开(公告)号：CN114019661B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111483415.5
申请日：2021-12-07
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：夏智锋 , 张志清 , 古志良 , 许毅钦 , 邢景超 , 李鸿 , 陈博谦 , 陈志涛 , 赵维
IPC分类号： G02B13/00
摘要：本发明的实施例提供了一种投影物镜系统，涉及光学器件技术领域，该投影物镜系统包括沿光路设置第一透镜群组、光阑、第二透镜群组以及分光器，从而构成了物镜系统本体，第一透镜群组的焦距f1与物镜系统本体的焦距f之比在22到23之间，且第二透镜群组的焦距f2与物镜系统本体的焦距f之比在2到3之间。通过对第一透镜群组和第二透镜群组的焦距比例进行限定，使得镜头成像质量更好，具体通过光学设计提高相对孔径值的同时，又能保证成像质量，对亮度有不少的提升。相较于现有技术，本发明结构精简，对物镜系统参数做出有效改进，以达到更小的畸变，更均匀的光场分布，更清晰的画质，同时物镜系统稳定，像差平衡优异，公差合理。

8. 发明授权

CN114180539B 纳米多孔氮化钒材料及其制备方法和储能器件有权
公开(公告)号：CN114180539B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111617973.6
申请日：2021-12-24
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：刘博天 , 陈志涛
IPC分类号： C01B21/06 , C25D11/26 , B82Y30/00
摘要：本发明公开了纳米多孔氮化钒材料及其制备方法和储能器件。制备方法，包括：采用电解的方式，以钒金属片作为阳极，利用阳极氧化作用在钒金属片上形成多个纳米孔洞得到纳米多孔结构的中间材料；将纳米多孔结构的中间材料与含氮物质反应得到纳米多孔氮化钒材料；用于电解的电解液中包括浓度为0.01‑0.1mol/L的硼酸根离子、浓度为0.1‑0.5mol/L的氟离子以及浓度为0.01‑0.1mol/L的钛离子。纳米多孔氮化钒材料，采用上述方法制得。该材料具有大的比表面积和高的电导率，在低电位下具有好的可逆储存。储能器件，包括上述纳米多孔氮化钒材料。

9. 发明公开

CN116454057A 一种基于LCP材料的封装载板的制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN116454057A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310370607.8
申请日：2023-04-07
申请人：安捷利(番禺)电子实业有限公司 , 广东省科学院半导体研究所
发明人：凌云志 , 齐伟 , 张筱瑾 , 胡川 , 陈志涛
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要：本发明公开了一种基于LPC材料的封装载板的制备方法，包括以下步骤：S1.在临时载板上涂布临时键合层，再将第一LCP层涂布至所述临时键合层上；S2.在所述第一LCP层上制作精细金属线路；S3.在S2精细金属线路表面热压第二LCP层；S4.将所得LCP复合膜开孔，孔金属化处理；重复步骤S2‑S4；S5.在S4所得LCP层表面制备精细线路，焊接分立器件；S6.填充缝隙，固化；塑封所述分立器件与LCP层；S7.剥离临时键合层，在第一层LCP下表面植锡球。本发明采用临时载板上热压LCP膜材料，所制得的封装载板的翘曲度及粗糙度可控，还可以进行高密度电感耦合信号传输。

10. 发明公开

CN116435163A 多电子束场曲校正模块及电子束光柱体审中-实审
公开(公告)号：CN116435163A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310687458.8
申请日：2023-06-12
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：刘珠明 , 张衍俊 , 李全同 , 赵维 , 陈志涛
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/153 , H01J37/21 , G03F7/20
摘要：本发明公开一种多电子束场曲校正模块及电子束光柱体，多电子束场曲校正模块包括：基座和设置在基座上的聚焦像面调节结构阵列，聚焦像面调节结构阵列包含有与通过多电子束场曲校正模块的电子束阵列中的电子束一一对应的聚焦像面调节结构，聚焦像面调节结构用于调整通过聚焦像面调节结构的电子束的聚焦的像面位置，聚焦像面调节结构阵列设置为使通过的电子束，其对应的聚焦的像面位置与基座之间的距离由电子束阵列的中心向外逐渐增大。本发明对通过的电子束的聚焦的像面位置进行调节，从而使得电子束阵列中的电子束的聚焦的点能够形成一个用于与现有的电子束光柱体中所存在的场曲误差相抵消的正误差，使得电子束阵列在样品上形成均匀阵列图形。

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