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1. 发明公开

CN118160413A 具有射束位态调整装置的EUV光源审中-公开
公开(公告)号：CN118160413A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202180103729.X
申请日：2021-10-25
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： M·兰贝特 , B·雷加阿尔德 , T·埃尔金 , O·施洛瑟
IPC分类号： H05G2/00 , G02B26/08
摘要：本发明涉及一种EUV光源(1)，该EUV光源包括用于提供靶材(4)的提供装置(3)、用于发射至少一个脉冲激光射束(9，10)的至少一个脉冲激光源(5，6)、射束引导装置(7)，该射束引导装置用于将所述至少一个脉冲激光射束(9，10)从所述至少一个脉冲激光源(5，6)导引到辐射产生室(2)中并且用于借助所述至少一个脉冲激光射束(9，10)在该辐射产生室(2)内聚焦地照射该靶材(4)，其中，该靶材(4)构造为用于由于所述照射而发射EUV辐射(11)。所述射束引导装置(7)具有至少一个射束位态调整装置(14，15)以调整所述至少一个脉冲激光射束(9，10)的空间位态，所述至少一个射束位态调整装置包括呈两个镜对形式的四个镜，其中，所述四个镜可分别围绕恰好一个旋转轴线旋转，并且第一镜对的两个镜的旋转轴线沿第一空间方向定向，第二镜对的两个镜的旋转轴线沿第二空间方向定向。

2. 发明公开

CN117769793A 具有与靶平面平行或者叠合地延伸的图像平面的聚焦装置审中-公开
公开(公告)号：CN117769793A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052584.X
申请日：2022-07-27
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： B·雷加阿尔德
IPC分类号： H01S3/00 , G02B19/00 , H01S3/105 , H05G2/00 , H01S3/23
摘要：本发明涉及一种聚焦装置(10)，所述聚焦装置尤其用于产生EUV辐射。所述聚焦装置(10)构造为用于，对在靶平面(14)上的靶材料(12)进行照明。所述聚焦装置(10)具有至少一个射束成形元件(26，28)，该射束成形元件的光学轴线(30，32)与所述靶平面(14)垂直。由此，被导向穿过所述聚焦元件(26，28)中的至少一个聚焦元件的激光射束(18，20)的图像平面与所述靶平面(14)平行地定向。这能够实现对所述靶材料(12)的高效照射。至少一个激光射束(18，20)的完全无失真的成像可以通过该激光射束(18，20)的射束路径的主轴线相对于如下聚焦元件(26，28)的光学轴线(30，32)的错位来实现：该激光射束(18，20)被导向穿过该聚焦元件。第三激光射束(50)可以被导向穿过聚焦元件(26，28)中的一个聚焦元件，用于对所述靶材料(12)进行中间照射。

3. 发明公开

CN117280874A 具有分离装置的EUV光源审中-实审
公开(公告)号：CN117280874A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180097519.4
申请日：2021-04-26
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： O·施洛瑟 , S·皮勒
IPC分类号： H05G2/00
摘要：本发明涉及一种EUV光源(1)，包括：提供装置(3)，该提供装置用于提供目标材料(4)；预脉冲激光源(5)，该预脉冲激光源用于发射处于至少一个预脉冲波长(λV)的至少一个预脉冲激光束(9)；主脉冲激光源(6)，该主脉冲激光源用于发射处于不同于至少一个预脉冲波长(λV)的主脉冲波长(λH)的主脉冲激光束(10)；预脉冲射束引导装置(7)，该预脉冲射束引导装置用于将来自预脉冲激光源(5)的至少一个预脉冲激光束(9)输送到辐射发生室(2)中，并且用于分别使用至少一个预脉冲激光束(9)的至少一个预脉冲(11)聚焦地照射辐射发生室(2)内的目标材料(4)；以及主脉冲射束引导装置(8)，该主脉冲射束引导装置用于将来自主脉冲激光源(6)的主脉冲激光束(10)输送到辐射发生室(2)中，并且用于分别使用主脉冲激光束(10)的主脉冲(12)聚焦地照射辐射发生室(2)内的目标材料(4)。目标材料(4)构造为由于照射而发射EUV辐射(19)。预脉冲射束引导装置(7)具有至少一个分离装置(22)，该至少一个分离装置构造为将不包括至少一个预脉冲波长(λV)的至少一个波长范围内的、从辐射发生室(2)进入预脉冲束引导装置(7)的干扰辐射(21)以聚焦方式反射返回辐射发生室(2)中或者以聚焦方式反射到至少一个射束阱(24)中。

4. 发明授权

CN112166369B EUV辐射产生装置有权
公开(公告)号：CN112166369B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201880092706.1
申请日：2018-04-24
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： M·兰贝特 , T·埃尔金
IPC分类号： G02B27/09 , H05G2/00
摘要：本发明涉及一种反射光学元件(16)，其包括：内部的第一表面区域(18a)，用于对照射到反射光学元件(16)上的光束(3)的第一内辐射分量(20a)进行反射以形成第一反射光束(21a)；以及至少一个外部的第二表面区域(18b)，用于对照射光束(3)的至少一个第二外辐射分量(20b)进行反射以形成至少一个第二反射光束(21b)，其中，第二表面区域(18b)构造为使第二反射光束(21b)的射束横截面(D2)相比于第一反射光束(21a)减小，使得第二反射光束(21a)沿着重叠长度(L)完全在第一反射光束(21a)之内延伸。本发明还涉及一种具有至少一个这种反射光学元件(16)的射束引导装置(4)以及一种具有这种射束引导装置(4)的EUV辐射产生装置(1)。

5. 发明授权

CN110869825B 偏振器装置以及具有偏振器装置的EUV辐射产生设备有权
公开(公告)号：CN110869825B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201780093027.1
申请日：2017-07-12
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： T·埃尔金
IPC分类号： G02B5/30 , H01S3/10 , G02B27/28 , B23K26/064
摘要：本发明涉及一种偏振器装置(1)，该偏振器装置用于使激光射束(2)偏振，该偏振器装置包括：布置在激光射束(2)的射束路径中的多个板状光学元件(5，16)，所述多个板状光学元件分别具有用于激光射束(2)的射束入射面(5a，6a，...)以及用于激光射束(2)的射束出射面(5b，6b，...)，其中，相应的板状光学元件(5，16)的射束入射面(5a，6a，...)相对于激光射束(2)以布鲁斯特角(OB)地取向。板状光学元件(5，16)的射束入射面(5a，6a，...)与射束出射面(5b，6b，...)彼此分别以至少一个楔角(γ1，γ2)取向。本发明还涉及一种具有这种偏振器装置(1)的EUV辐射产生设备。

6. 发明授权

CN104472019B 具有激光射束源和用于操纵激光射束的射束导引设备的极紫外激励光源有权转让
公开(公告)号：CN104472019B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380030885.3
申请日：2013-05-29
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： M·兰贝特 , J·舒尔茨
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： G21K5/04 , B23K26/0676 , H01S3/005 , H01S3/2391 , H05G2/005 , H05G2/008
摘要：本发明涉及一种极紫外激励光源(1)，其具有：至少一个用于发射至少一个激光射束(10，12)的激光射束源(9，9')和一个用于操纵所述至少一个激光射束(10，12)的射束导引设备(22)，所述射束导引设备具有：用于由所述至少一个激光射束(10，12)产生至少两个分离射束(10'，11，12'，13)的至少一个分束器(2)、用于操纵所述分离射束(10'，11，12'，13)中的至少一个分离射束的至少一个镜(4，5，15，16，17，18)或至少一个透镜、用于叠加所述至少两个分离射束(10″，11″'，12″，13″')的叠加镜(3)，和用于产生所述两个分离射束(10″，11″'，12″，13″')的相应焦点(7，8)的聚焦装置(6)。

7. 发明公开

CN104756607A EUV辐射产生设备及其运行方法有权
公开(公告)号：CN104756607A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380055789.4
申请日：2013-09-19
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： M·兰贝特 , A·恩茨曼
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/008
摘要：本发明涉及一种EUV辐射产生设备(1)，其包括：真空室(4)以及用于将来自驱动激光装置(2)的激光射束(5)朝目标位置(Z)方向引导的射束引导室(3)，在所述真空室中为了产生EUV辐射(14)可以将靶材料(13)设置在所述目标位置(Z)处。EUV辐射产生设备(1)包括安置在所述真空室(4)和所述射束引导室(3)之间的中间室(18)、气体密封地封闭所述中间室(18)的用于使来自所述射束引导室(3)的激光射束(5)进入的第一窗(19)，以及气体密封地封闭所述中间室(18)的用于使所述激光射束(5)输出到所述真空室(4)中的第二窗(20)。本发明也涉及一种用于运行所述EUV辐射产生设备(1)的方法。

8. 发明公开

CN117980813A 用于改变激光的偏振的方法审中-公开
公开(公告)号：CN117980813A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180102068.9
申请日：2021-09-02
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： M·达林格尔 , K·卡斯滕斯
IPC分类号： G02F1/00 , G02F1/09
摘要：本发明涉及一种用于改变工作激光射束(12)的偏振的方法。工作激光(12)从工作激光源(22)照射到法拉第旋转器(14)上。法拉第旋转器(14)具有维尔德介质(20)和磁铁(16)，该磁铁的磁场穿透维尔德介质(20)。该方法的特征在于，改变维尔德介质(20)中的自由电荷载体密度并且由此改变维尔德介质(20)的维尔德常量。为此，通过指向维尔德介质(20)的激励激光射束(26)、布置在维尔德介质(20)上的电极和/或布置在维尔德介质(20)上的加热/冷却元件(28)实现维尔德介质(20)中的电场和/或温度变化。

9. 发明公开

CN117480693A 具有催化器的CO2射束源审中-公开
公开(公告)号：CN117480693A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202180099388.3
申请日：2021-06-17
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： J·米勒 , F·琼塔 , M·达林格尔 , M·卡尔
IPC分类号： H01S3/036
摘要：本发明涉及一种CO2射束源(1)，该射束源包括：至少一个放电管(3)，在该至少一个放电管中，激光气体用作激光介质；鼓风机(7)，该鼓风机用于在闭合的激光气体回路中藉由至少一个输入元件(8，9，9')将激光气体输入至少一个放电管(3)中以及藉由至少一个输出元件(10，11)将激光气体(4)从至少一个放电管(3)中输出；以及至少一个催化器(18)，该至少一个催化器用于催化在激发激光气体时产生的解离产物的氧化，其中至少一个催化器(18)包括被施加至基板的贵金属纳米颗粒。至少一个催化器(18)在闭合的激光气体回路内沿激光气体的流动方向与至少一个放电管(3)间隔开布置，以与布置在至少一个放电管(3)内相比减少在激发激光气体(4)时在至少一个放电管(3)中形成的降解产物的沉积。至少一个催化器(18)在CO2射束源(1)运行时的温度(T1，T2)为至少60℃、优选至少100℃、特别优选至少150℃。

10. 发明公开

CN116745671A 可变射束调制审中-实审
公开(公告)号：CN116745671A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180091527.8
申请日：2021-01-22
申请人：通快激光系统半导体制造有限公司
发明人： R·彼得罗维奇
IPC分类号： G02B7/00
摘要：本发明涉及一种设备(10)和方法，该设备和方法用于以简单的方式将多个光学元件(18a‑c)引入射束路径、尤其是引入EUV产生系统的射束路径。在此，设备(10)优选具有梯级盘(32)，该梯级盘具有至少一个梯级，该至少一个梯级构造用于将光学元件(18a‑c)间接或直接地移动到射束路径中。进一步优选地，设有弹簧(36a‑c)，当光学元件(18a‑c)没有被(多个)梯级间接或直接地操作时，这些弹簧将光学元件(18a‑c)间接或直接地从射束路径移出。梯级盘(32)尤其能够间接或直接地通过柔性轴(28)被旋转。可以设有操纵杆(34a‑c)，这些操纵杆各自在一端能够被(多个)梯级操作并且在另一端具有光学元件(18a‑c)。光学元件(18a‑c)的光学效应的强度就这些光学元件(18a‑c)中的另一个光学元件而言优选相应地增大相同的倍数、尤其是增大为两倍。

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