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1. 发明公开

CN1535387A 一种用于扫描成像的辐射成像系统,装置以及方法失效转让
公开(公告)号：CN1535387A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01822810.0
申请日：2001-12-20
申请人：金色力量有限公司
发明人： K·E·斯帕蒂奥蒂斯 , M·埃拉罗托
IPC分类号： G01T1/24 , G01T1/29 , A61B6/14
CPC分类号： A61B6/4233 , A61B6/14 , A61B6/4021 , G01T1/243 , G01T1/247 , G01T1/2928 , G01T1/2985
摘要：一种用于高能辐射直接转换扫描成像的成像系统，包括围绕对象位置安排的一个高能辐射源以及一个半导体高能辐射直接转换成像装置。该成像装置包括有多个成像单元，每个成像单元都包括一个检测器单元和一个读出单元，用于生成表示入射到所述检测器单元的高能辐射的成像单元输出值。为了对对象位置的对象进行扫描，将源部分和/或成像装置被设置为彼此之间相互连续移动。该读出单元可操作用来在各时间间隔读出所述成像单元的输出值，该时间间隔相当于一个对象图像点在扫描的方向上穿过一个检测器区域或单元的一半。这种结构在扫描期间提供了像素级的分辨率。

2. 发明授权

CN1273843C 一种用于扫描成像的辐射成像系统以及方法失效转让
公开(公告)号：CN1273843C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN01822810.0
申请日：2001-12-20
申请人：金色力量有限公司
发明人： K·E·斯帕蒂奥蒂斯 , M·埃拉罗托
IPC分类号： G01T1/24 , G01T1/29 , A61B6/14
CPC分类号： A61B6/4233 , A61B6/14 , A61B6/4021 , G01T1/243 , G01T1/247 , G01T1/2928 , G01T1/2985
摘要：一种用于高能辐射直接转换扫描成像的成像系统，包括围绕对象位置安排的一个高能辐射源以及一个半导体高能辐射直接转换成像装置。该成像装置包括有多个成像单元，每个成像单元都包括一个检测器单元和一个读出单元，用于生成表示入射到所述检测器单元的高能辐射的成像单元输出值。为了对对象位置的对象进行扫描，将源部分和/或成像装置被设置为彼此之间相互连续移动。该读出单元可操作用来在各时间间隔读出所述成像单元的输出值，该时间间隔相当于一个对象图像点在扫描的方向上穿过一个检测器区域或单元的一半。这种结构在扫描期间提供了像素级的分辨率。

3. 发明公开

CN1729579A 电路基板及方法失效转让
公开(公告)号：CN1729579A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380106794.X
申请日：2003-10-27
申请人：金色力量有限公司
发明人： K·普哈卡 , I·本森
IPC分类号： H01L31/00 , H04N3/00 , H01L27/146
摘要：本发明的实施例涉及用于辐射检测器的半导体电路基板，所述辐射检测器包括具有多个配置成可响应入射辐射而产生电荷的检测器单元的检测器基板，每个所述检测器单元包括至少一个检测器单元接点，它用于将来自所述检测器单元的电荷连接到所述半导体电路基板。更具体地说，在本发明的实施例中，所述半导体电路基板包括：多个单元电路接点，每个单元电路接点配置成可接收来自对应的检测器单元接点的电荷，与所述多个单元电路接点相关联的单元电路；一条或多条导电通路，配置成可传递送往和/或来自所述单元电路的控制、读出和电源信号中的至少一个信号；以及一条或多条延伸通过所述半导体电路基板的信号通路，所述一条或多条信号通路电连接到所述导电通路，以为所述单元电路提供外部信号接口。在本发明的实施例中，提供了用于将信号通过半导体基板送到半导体电路基板表面的电接点上。半导体电路基板表面的电接点然后被直接连接到装配板的相应电接点上。

4. 发明公开

CN1726598A 半导体基板上触点的形成失效转让
公开(公告)号：CN1726598A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200380106563.9
申请日：2003-10-23
申请人：金色力量有限公司
发明人： K·普哈卡 , I·本森
IPC分类号： H01L31/00 , H04N3/00 , H01L21/00 , H04N3/15
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L27/14661 , H01L27/14676 , H01L27/14696
摘要：本发明涉及制造在半导体基板上有一个或多个导电触点的辐射检测器的方法，其中包括一些步骤：在所述半导体基板的第一表面上形成第一导电层；在形成第二导电层，从而形成导电材料的多个邻接层，所述多个邻接层中包含所述第一导电层；有选择地将所述多个邻接层的一些部分除去以形成所述导电触点，所述导电触点在半导体基板上界定一个或多个辐射检测单元。

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