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    • 10. 发明授权
    • 一种基于卷对卷的介质电容制备方法及介质电容
    • CN117059399B
    • 2024-01-26
    • CN202311307980.5
    • 2023-10-11
    • 北京航空航天大学宁波创新研究院
    • 徐惠彬张虎高明王方方祝钦清
    • H01G4/32H01G4/012H01G4/12H01G13/02
    • 层上沉积导电金属薄膜,形成表面电极,得到基本发明属于介质电容器技术领域,具体涉及 于卷对卷的介质电容。本发明实现了连续、高效一种基于卷对卷的介质电容制备方法及介质电 的介质电容制备,提高制造效率、降低成本,并具容,包括准备基材,通过磁控溅射系统在基材表 备一致性和稳定性。面沉积掺铌钛酸锶薄膜介质层;设置光子烧结卷对卷系统,沉积有掺铌钛酸锶薄膜介质层的基材从磁控溅射系统的腔体内导出,并通过前端卷筒进入光子烧结腔,通过光子烧结使介质层完全固化后,得到光子烧结后的掺铌钛酸锶薄膜介质(56)对比文件Dahl, O等.Optimized dielectricproperties of SrTiO3:Nb/SrTiO3 (001)films for high field effect chargedensities《.Journal of Applied Physics》.2008,第89卷第242915页.He Zichen等.Giant permittivity in Nb-doped SrTiO3 single crystal:Compositional gradient and localstructure《.Ceramics International》.2022,第48卷(第20期),第29572-29579页.Gopalan S等.Effect of niobium dopingon the microstructure and electricalproperties of strontium titanate thinfilms for semiconductor memoryapplication《.Applied Physics Letters》.1999,第75卷(第14期),第2123-2125页.Chae Changju等.A Printable MetallicCurrent Collector for All-Printed High-Voltage Micro-Supercapacitors:Instantaneous Surface Passivation byFlash-Light-Sintering Reaction《.AdvancedFunctional Materials》.2020,第30卷(第25期),第2000715页.望咏林等.卷绕式磁控溅射制备透明导电ITO薄膜工艺研究《.TFC'13全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》.2013,第124-125页.郝武昌等.光子烧结纳米铜浆及其在柔性电子中的应用《.电子工艺技术》.2020,第41卷(第5期),第256-259页.