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1. 发明公开

CN116936670A 一种高速锗硅光电探测器审中-实审
公开(公告)号：CN116936670A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311116318.1
申请日：2023-08-31
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 石洋 , 邹明洁 , 李祖航 , 张新亮
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/028
摘要：本发明公开了一种高速锗硅光电探测器。高速锗硅光电探测器包括：掺杂硅层、锗吸收区、掺杂锗层、接触电极和锗上电极；掺杂硅层与掺杂锗层的掺杂极性相反，掺杂硅层、锗吸收区和掺杂锗层依次连接成垂直PIN结；接触电极设置在掺杂硅层上，接触电极围绕在锗吸收区的三个侧面，锗上电极设置在掺杂锗层上；接触电极和锗上电极收集锗吸收区吸收光而产生的光生载流子，形成光电流；接触电极的各边与锗吸收区中对应的边之间的距离和锗吸收区的边长成反比。解决了通过降低电阻进而降低RC寄生效应，用以提升探测器带宽时，寄生电容和寄生电阻相互制约的技术问题。

2. 发明公开

CN114844628A 一种集成芯片化的高维量子密钥分发系统审中-实审
公开(公告)号：CN114844628A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210328478.1
申请日：2022-03-30
申请人：广西大学 , 华中科技大学
发明人：韦克金 , 杜永强 , 赵震庚 , 张振荣 , 余宇 , 刘巍 , 石洋
IPC分类号： H04L9/08 , H04B10/70
摘要：本发明涉及一种集成芯片化的高维量子密钥分发系统，包括激光器、发射编码端芯片、接收解码端芯片和探测器，所述激光器与所述发射编码端芯片连接，所述发射编码端芯片与所述接收解码端芯片连接，所述接收解码端芯片与探测器连接。所述发射编码端芯片利用硅基光波导集成在同一片光子芯片上，所述接收解码端芯片利用氮化硅集成在同一片光子芯片上。本发明同时集成了基于时间相位编码HD‑QKD系统中的发射编码端芯片和接收解码端芯片，该集成系统中的发射编码端芯片在编码速率上有很大的优势，集成的接收解码端芯片的插损非常小，稳定性好，可以实现稳定、安全、高速调制、高码率的HD‑QKD协议的实验论证及应用。

3. 发明授权

CN106338800B 一种用于光纤与芯片间光信号传输的水平耦合器有权
公开(公告)号：CN106338800B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610929509.3
申请日：2016-10-31
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 赖亚骁 , 张新亮
IPC分类号： G02B6/42
摘要：本发明公开了一种用于光纤与芯片间光信号传输的水平耦合器件，包括第一采集模块，用于引导和收集一阶线偏振模式中第一模斑，第二采集模块，用于引导和收集一阶线偏振模式中第二模斑，耦合模块，设有第一传输通道、第二传输通道和主通道，第一传输通道接收第一模斑，第二传输通道接收第二模斑，并通过模场的空间叠加实现从耦合模块的主传输通道输出一阶横电模。本发明实现了将光纤中一阶线偏振模式转化为芯片中的一阶横电模同时也保证了基模的透明耦合，使得二者均能达到较高的耦合效率，实现光纤与芯片之间低损耗、大带宽、大容量信号传输。

4. 发明授权

CN105810774B 一种高功率大带宽锗硅光电探测器有权
公开(公告)号：CN105810774B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610192106.5
申请日：2016-03-30
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 陈冠宇 , 张新亮
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/02
摘要：本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构，实现了一种高功率、大带宽、结构紧凑的锗硅光电探测器。

5. 发明授权

CN101272214B 一种波分复用系统的传输控制方法失效
公开(公告)号：CN101272214B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810047528.9
申请日：2008-04-30
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 张新亮 , 黄德修
IPC分类号： H04J14/02
摘要：本发明涉及光纤传输系统中波分复用系统(WDM)的传输控制，它提出了一种WDM传输系统的传输控制方法，在不改变现有WDM系统的情况下，在发射端阵列波导光栅(AWG)上间隔选择通道进行多通道的信号传输，间隔数为整数参量m，m大于零且小于二分之一通道数；与发射端AWG传输信号的通道对应的接收端AWG的通道接收该发射端AWG通道传输过来的原始信号，下载并且进行转发或者继续传输，在该接收信道的相邻信道，接收原始信号的解调信号，通过滤波选取或者直接提取信息。本发明提供的一种WDM系统的传输控制方法，无需对原有系统进行任何改动，也不需要增加任何器件，能同时实现波分复用系统中的非归零相位调制格式的解调和解复用，适用于不同速率的非归零(NRZ)信号和非归零差分相移键控(NRZ-DPSK)信号的传输。

6. 发明公开

CN101304284A 一种多通道全光3R再生器失效
公开(公告)号：CN101304284A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810048113.3
申请日：2008-06-20
申请人：华中科技大学
发明人：张新亮 , 余宇 , 黄德修
IPC分类号： H04B10/17
摘要：本发明涉及高速大容量全光网络通信技术领域的全光3R再生器，它包括光学时钟恢复装置、光学非线性器件和光学延时干涉装置，所述光学时钟恢复装置用于从传输链路上多路受损光信号中任意选取一路受损光信号提取出同步的光时钟信号；该同步光时钟信号和多路受损光信号进入非线性光学器件，非线性光学器件用于实现光时钟信号和多路受损光信号之间的交叉相位调制XPM效应；经非线性光学器件实现交叉相位调制XPM效应所产生的多路光信号进入所述光学延时干涉装置，所述光学延时干涉装置为梳状滤波器，用于滤出发生XPM效应后每路光信号光谱中的特定的啁啾部分，同时滤除噪声以及劣化的信号部分，生成多路再生光信号。本发明提出的多通道全光3R再生器，能同时对各个通道在一个再生器中进行再生，避免了现有多通道再生装置因采用分开再生、再合并方法对原有的信号传输线路的破坏，保持了原有传输线路的完整性。同时，克服了目前实现多通道3R再生方案中存在的系统复杂，实现成本高，稳定性差和不易集成等缺点。

7. 发明授权

CN111999917B 一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器有权
公开(公告)号：CN111999917B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010830539.5
申请日：2020-08-18
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 付思东
IPC分类号： G02F1/025
摘要：本发明公开了一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器，属于半导体光电子器件领域，电光移相器掺杂结构包括脊形光波导，脊形光波导包括脊区以及位于脊区两侧的肋区，脊区包括N型掺杂脊区和P型掺杂脊区，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面处形成两段纵向倾斜PN结以及连接该两段纵向倾斜PN结的横向倾斜PN结；其中，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面与脊区的左右侧面不相交。本发明中的掺杂结构，增大移相器中光场与PN结的重叠面积，提高移相效率，具有更低的驱动电压，降低了移相器功耗，对移相器调制带宽影响非常小，与CMOS工艺兼容且具有较大的工艺容差，从而保证器件的良品率。

8. 发明公开

CN112485930A 一种实现偏振稳定的控制方法及系统有权
公开(公告)号：CN112485930A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011294682.3
申请日：2020-11-18
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 廖佳文 , 蔡宏隽 , 刘巍 , 杨常鸣 , 张新亮
IPC分类号： G02F1/01
摘要：本发明公开了一种实现偏振稳定的控制方法及系统，属于光纤通信与光纤传感技术领域。本发明通过快速定位算法将任意输入光偏振态经过偏振控制器后的输出光偏振态快速调整到邦加球上任意指定目标偏振态附近，再由随机梯度下降算法进一步稳定输出光偏振态至目标偏振态，以实现对任意偏振态稳定到任意设定的目标偏振态。具体实现系统由输入输出端两个偏振分析仪和标定好的偏振控制器以及单片机等构成，输入偏振分析仪和标定好相位差与电压关系的偏振控制器用于快速定位，同时由输出偏振分析仪结合随机梯度下降算法最终稳定输出偏振态到设定值。本发明的偏振稳定控制方法兼顾搜索速度和避免局部极值，实现快速稳定变化偏振态到任意指定目标偏振态。

9. 发明公开

CN111999917A 一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器有权
公开(公告)号：CN111999917A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010830539.5
申请日：2020-08-18
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 付思东
IPC分类号： G02F1/025
摘要：本发明公开了一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器，属于半导体光电子器件领域，电光移相器掺杂结构包括脊形光波导，脊形光波导包括脊区以及位于脊区两侧的肋区，脊区包括N型掺杂脊区和P型掺杂脊区，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面处形成两段纵向倾斜PN结以及连接该两段纵向倾斜PN结的横向倾斜PN结；其中，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面与脊区的左右侧面不相交。本发明中的掺杂结构，增大移相器中光场与PN结的重叠面积，提高移相效率，具有更低的驱动电压，降低了移相器功耗，对移相器调制带宽影响非常小，与CMOS工艺兼容且具有较大的工艺容差，从而保证器件的良品率。

10. 发明公开

CN108933630A 一种调制格式与偏振复用切换的光发射系统有权
公开(公告)号：CN108933630A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810610748.1
申请日：2018-06-13
申请人：华中科技大学
发明人：余宇 , 刘巍 , 张新亮
IPC分类号： H04B10/516 , H04B10/556 , H04B10/54 , H04J14/06
摘要：本发明公开了一种调制格式与偏振复用切换的光发射系统，包括：分束模块、调制模块和合束模块，所述分束模块包括第一马赫曾德干涉仪，所述调制模块包括第一马赫曾德调制器、第二马赫曾德调制器、第一热调相移器和第二热调相移器，所述合束模块包括第二马赫曾德干涉仪和合束器件。本发明可以灵活地在无复用二进制调制信号、无复用多进制调制信号、复用的调制信号之间切换以选择适合信道传输的最佳传输信号。

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